Verbum

ПАЎПЛО́СКАСЦЬ,

сукупнасць пунктаў плоскасці, якія ляжаць з аднаго боку ад прамой, зададзенай на гэтай плоскасці. Каардынаты пунктаў П. задавальняюць няроўнасці Ax + By + C > 0 (ці Ax + By + < C), дзе A, B і C — пастаянныя, адначасова не роўныя нулю. Калі сама прамая (мяжа П.), якая задаецца ўраўненнем Ax + By + C = 0, належыць да П., то П. лічыцца замкнутай.

т. 12, с. 230

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ,

рэчывы з выразна выяўленымі ўласцівасцямі паўправаднікоў у шырокім інтэрвале тэмператур, прызначаныя для вырабу паўправадніковых прылад. У адрозненне ад металаў электраправоднасць у П.м. павялічваецца з ростам т-ры. П.м. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (награванне, апрамяненне, дэфармаванне і інш.), да наяўнасці ў іх дамешкаў і структурных дэфектаў. Асн. галіна выкарыстання — мікраэлектроніка. Найб. пашыраныя П.м.: крэмній, германій, алмаз, крэмнію карбід, злучэнні некаторых элементаў III і V (GaAs, InSb, GaN і інш.), II і VI (CdSe, ZnTe і інш.) груп перыядычнай сістэмы.

Літ.:

Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986;

Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. 2 изд. М., 1986;

Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов: Пер. с англ. М., 1991.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ ПРЫЛА́ДЫ,

прылады, дзеянне якіх заснавана на электронных працэсах у паўправадніках. Адрозніваюць прылады на аснове аднародных паўправаднікоў (фотарэзістар, Гана дыёд і інш.) і паўправадніковых пераходаў (электронна-дзірачны пераход, гетэрапераход, Шоткі дыёд і інш.).

У П.п. выкарыстоўваюцца працэсы, абумоўленыя адчувальнасцю паўправаднікоў да знешніх уздзеянняў (змены т-ры, апрамянення, святла, эл. і магн. палёў і інш.), іх паверхневыя ўласцівасці (кантакты паўправаднік—метал, паўправаднік—дыэлектрык і іх спалучэнні), а таксама залежнасць уласцівасцей паўправадніковых узораў ад іх памераў. Адрозніваюць П.п. дыскрэтныя (асобныя вырабы) і інтэгральныя (актыўныя элементы маналітных інтэгральных схем). П.п. выкарыстоўваюцца для апрацоўкі эл. сігналаў (паўправадніковы дыёд, транзістар, тырыстар), пераўтварэння сігналаў аднаго віду ў другі (паўправадніковы лазер, фотатранзістар і інш.), атрымання адных відаў энергіі з іншых (тэрмаэлемент, сонечная батарэя і інш.), успрымання відарысаў (прылада з зарадавай сувяззю), пераўтварэння мех. і магн. велічынь у электрычныя (тэнзарэзістар, Хола пераўтваральнік), рэгістрацыі часціц (паўправадніковы дэтэктар), эмісіі электронаў у вакуум (халодны катод) і інш.

На Беларусі распрацоўкай і вытв-сцю П.п. займаюцца ў навук.-вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і Маладзечанскім вытворчым аб’яднанні «Электрамодуль».

Літ.:

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. Кн. 1—2. 2 изд. М., 1984;

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. 4 изд. М., 1987;

Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Мн., 1988;

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М., 1989;

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2 изд. М., 1990.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЫЁД,

двухэлектродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях p-n-пераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл. Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфектаў у аднародным паўправадніку (гл. Гана дыёд).

Вырабляюцца на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарытнымі памерамі, масай і спажывальнай магутнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавінна-пралётны, тунэльны і параметрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧ-дыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш.

В.​К.​Кананенка.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЭТЭ́КТАР у ядзернай фізіцы,

прылада для рэгістрацыі іанізавальных выпрамяненняў, асн. элемент якой — крышталь паўправадніка.

Адчувальны слой П.д. — вобласць паўправадніка паблізу p-n-пераходу, якая абеднена носьбітамі току і мае высокае эл. супраціўленне. Іанізавальная часціца, што пранікла ў крышталь, генерыруе дадатковыя (нераўнаважныя) носьбіты току (электроны і дзіркі), у выніку чаго ў знешнім ланцугу ўзнікае імпульс току, які ўзмацняецца і рэгіструецца. Зарад, сабраны на электродах П.д., прапарцыянальны энергіі, выдзеленай часціцай пры праходжанні праз адчувальны слой. Можа працаваць як спектрометр, калі часціца поўнасцю тармозіцца ў ім. Выкарыстоўваюцца ў ядз. фізіцы, фізіцы элементарных часціц, а таксама ў хіміі, геалогіі, медыцыне і прам-сці.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ЛА́ЗЕР,

лазер з паўправадніковым крышталём у якасці рабочага рэчыва. Асаблівасці — высокая эфектыўнасць пераўтварэння эл. энергіі ў энергію кагерэнтнага выпрамянення, малая інерцыйнасць, магчымасць перастройкі даўжыні хвалі выпрамянення і інш.

У П.л. ўзбуджаюцца і выпрамяняюць (калектыўна) атамы крышт. рашоткі, што вызначае малыя памеры і кампактнасць прылады. У адрозненне ад лазераў інш. тыпаў у П.л. выкарыстоўваюцца выпрамяняльныя квантавыя пераходы паміж дазволенымі энергет. зонамі крышталёў (гл. Зонная тэорыя, Цвёрдае цела): пры рэкамбінацыі электронаў і дзірак вызваляецца энергія, якая выпрамяняецца ў выглядзе квантаў святла (люмінесцэнцыя) ці перадаецца ўсяму крышталю, як цеплавая энергія. У некаторых паўправадніках, напр. у арсенідзе галію, доля выпрамененай энергіі набліжаецца да 100%. Важнейшы спосаб пампоўкі ў П.л. — інжэкцыя праз p-n-пераход ці гетэрапераход (інжэкцыйны П.л.), што дазваляе непасрэдна пераўтвараць эл. энергію ў кагерэнтнае выпрамяненне. Інш. спосабы пампоўкі: эл. прабой (стрымерны П.л.), бамбардзіроўка электронамі (П.л. з электроннай пампоўкай) і аптычная пампоўка. П.л. выкарыстоўваюцца ў аптычнай сувязі і лакацыі, спец. аўтаматыцы, оптаэлектроніцы, тэхніцы спец. асвятлення (напр., скарасной фатаграфіі), для вызначэння забруджванняў і дамешкаў у розных асяроддзях, для лазернага праекцыйнага тэлебачання.

В.​К.​Кананенка.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ПЕРАХО́Д,

вобласць прасторавага зараду, якая прымыкае да мяжы падзелу металу і паўправадніка (Шоткі дыёд), двух розных паўправаднікоў (гетэрапераход) ці дзвюх розных абласцей аднаго паўправадніка (электронна-дзірачны пераход), якія знаходзяцца ў эл. кантакце.

т. 12, с. 231

ПАЎПРА́ВІЛЬНЫ МНАГАГРА́ННІК, Архімеда цела,

мнагаграннік, усе грані якога — правільныя многавугольнікі розных відаў, а мнагагранныя вуглы кангруэнтныя або сіметрычныя. Існуе 13 розных тыпаў выпуклых П.м. і 2 бясконцыя серыі (прызмы і антыпрызмы), нявыпуклых (зоркападобных) П.м. больш за 51.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАМА́Я,

сукупнасць пунктаў прамой, якія ляжаць з аднаго боку ад зададзенага пункта гэтай прамой. Каардынаты пунктаў П. задавальняюць няроўнасць x > a (ці x < a), дзе a — пастаянная. Калі сам пункт x = a (мяжа П.) належыць да П., то П. лічыцца замкнутай (ці промнем).

т. 12, с. 231