хімічныя рэчывы, што паскараюць ападанне лісця ў раслін. Д. стымулююць утварэнне этылену — прыроднага рэгулятара росту, які садзейнічае фарміраванню аддзяляльнага слоя ў аснове чаранка, што выклікае ападанне лісця (штучны лістапад). Д. з’яўляюцца некат. дэсіканты (хларат магнію, хларат-хларыд кальцыю). Выкарыстоўваюць Д. для перадуборачнага пазбаўлення ад лісця (дэфаліяцыя) на пасевах бавоўніку, бульбы, насеннага лубіну і інш.с.-г. раслін.
абязлісценне, перадуборачнае выдаленне лісця з раслін з мэтай паскарэння выспявання і аблягчэння ўборкі ўраджаю. Для Д. выкарыстоўваюць хім. рэчывы — дэфаліянты, якія выклікаюць у раслін працэсы, падобныя да прыроднага лістападу: зніжаецца колькасць хларафілу і вады, парушаецца працэс утварэння арган. рэчыва, павялічваецца колькасць прадуктаў распаду бялкоў і інш. злучэнняў, якія перамяшчаюцца з ліставой пласцінкі ў чаранок, што выклікае адасабленне клетак каля асновы ліста і яго ападанне. Выкарыстоўваюць часцей на пасевах бавоўніку, лубіну, тэхн. сартоў вінаграду.
змена ўзаемнага размяшчэння часціц (частак) цела, якая вядзе да скажэння яго формы і памераў і ўзнікнення напружанняў механічных. Узнікае ад мех. нагрузак, цеплавога расшырэння, уздзеяння эл. і магн. палёў, інерцыйных і гравітацыйных сіл і інш. Найпрасцейшыя віды Д. — выгін, зрух, кручэнне, расцяжэнне-сцісканне.
У цвёрдых целах адрозніваюць Д. пругкую (узнікае і знікае адначасова з нагрузкай), пластычную (захоўваецца пасля зняцця напружання) і вязка-пругкую (залежыць ад працэсу нагрузкі ў часе, пасля зняцця нагрузкі самаадвольна імкнецца да нуля). Д. бываюць таксама лінейныя (са зменай лінейных памераў цела) і аб’ёмныя (са зменай аб’ёму); агульныя для ўсяго цела (напр., абс. падаўжэнне) і лакальныя (мясцовыя); аднародныя (аднолькавыя ў любым пункце цела) і неаднародныя (змяняюцца ад аднаго пункта цела да другога, уласцівыя рэальным матэрыялам). Д. заўсёды звязана з затратай энергіі, якая пры пругкай Д. пераходзіць у патэнцыяльную, пры пластычнай — у цеплыню. Калі лакальная Д. дасягае гранічнага для дадзенага матэрыялу значэння, адбываецца яго разбурэнне. Пругкія Д. падпарадкоўваюцца законам пругкасці тэорыі (для іх выконваецца Гука закон), пластычныя — пластычнасці тэорыі і паўзучасці тэорыі. Пластычная Д. ў крышталічных целах звязана з паняццем дыслакацый. Вымярэнне Д. робяць пры выпрабаванні матэрыялаў, даследаванні збудаванняў у натуры або на мадэлях. Пругкія Д. ўлічваюць пры разліках дэталей машын, інж. канструкцый і збудаванняў; пластычныя — у тэхналогіі металаў (пры пракатцы, штампоўцы, коўцы, валачэнні, прасаванні і інш.), вытв-сці пластмас і керамічных вырабаў. Гл. таксама Супраціўленне матэрыялаў.
выдаленне незасвоеных рэшткаў ежы са стрававальнага тракту; у млекакормячых жывёл і чалавека — апаражненне тоўстых кішак ад калавых мас. Пры Д. рэфлекторна расслабляюцца сфінктары, якія закрываюць прамую кішку, і кал выкідваецца перыстальтычнымі рухамі тоўстай і прамой кішак. Цэнтр рэфлексу Д. знаходзіцца ў паяснічнай ч. спіннога мозга. Адвольны ўплыў, што стымулюе ці затрымлівае Д., ідзе ад кары галаўнога мозга.
навука пра заканамернасці псіхічнага развіцця, выхавання і навучання дзяцей, якія патрабуюць асаблівай увагі: глухіх, сляпых, са слабым зрокам ці слыхам, разумова адсталых, з затрымкай псіхічнага развіцця, цяжкімі парушэннямі маўлення, вынікамі дзіцячага цэрэбральнага паралічу, комплекснымі парушэннямі (слепаглухіх, глухіх з разумовай адсталасцю, сляпых з затрымкай псіхічнага развіцця і інш. камбінацыямі). Як самаст. галіна навукі склалася ў пач. 19 ст. Сучасная Д. апіраецца на дасягненні псіхалогіі, педагогікі, у т. л. народнай, прыродазнаўства, медыцыны, тэхнікі, радыёэлектронікі. Вызначае структуру і сістэму метадаў і методык дыягностыкі і дыферэнцыяльнай дыягностыкі стану своеасаблівага псіхічнага развіцця дзяцей з парушэннямі ў сістэме аналізатараў, ц. н. с., маўленчай дзейнасці; распрацоўвае прынцыпы, абгрунтоўвае змест, метады і сродкі карэкцыйна накіраванага навучання і выхавання; даследуе праблемы абілітацыі (стварэнне механізмаў кампенсацыі ў дзяцей з прыроджаным дэфектам), рэабілітацыі (сістэма мер па рэадаптацыі асоб з набытым дэфектам), сац. адаптацыі, прафарыентацыі. У Беларусі праблемы Д. распрацоўваюцца на кафедрах дэфекталагічнага ф-та Бел.пед. ун-та, у сектарах аддзялення Д. Нац. ін-та адукацыі, на кафедры Д. Акадэміі паслядыпломнай адукацыі. Спецыялістаў для спец. дзіцячых устаноў рыхтуе Бел.пед.ун-т і педвучылішча № 2 у Мінску.
комплекс фізічных метадаў і сродкаў неразбуральнага кантролю якасці матэрыялаў і вырабаў (парушэння суцэльнасці, адхілення ад зададзеных фіз.-мех. уласцівасцей, хім. саставу, структуры, геам. памераў і інш.).
Да метадаў Д. адносяцца: аптычныя (візуальныя), акустычныя (ультрагукавыя), магнітныя, радыяцыйныя (у т. л. гама-метады і рэнтгенаўскія), радыёхвалевыя, цеплавыя (інфрачырвоныя), віхратокавыя (электраіндуктыўныя), электрычныя (у т. л. тэрма- і трыбаэлектрычныя, электрастатычныя), капілярныя (люмінесцэнтныя, каляровыя) і інш. Большасць метадаў Д. заснавана на ўзаемадзеянні акустычных або электрамагнітных ваганняў, фіз. палёў (магнітных, электрамагнітных, радыёхвалевых і інш.) з выпрабавальнымі вырабамі на лакальных іх участках або па ўсім аб’ёме. Д. рашае задачы з выкарыстаннем гэтых метадаў па выяўленні ў вырабах розных тыпаў паверхневых і ўнутраных дэфектаў — трэшчын, валасавін, ракавін, шлакавых уключэнняў, адслаенняў і інш.
На Беларусі навук. работы па Д. вядуцца з 1964 у Ін-це прыкладной фізікі Нац.АН. Развіваецца капілярны метад (у прыватнасці, для кантролю керамічных, кампазітных і інш. вырабаў), ультрагукавы метад з выкарыстаннем магн. вадкасці; распрацоўваюцца асновы магн., эл.-магн. і радыёхвалевага метадаў; створаны прылады магн., магнітаграфічнага, віхратокавага і радыёхвалевага кантролю.
Літ.:
Ермолов И.Н. Теория и практика ультразвукового контроля. М., 1981;
Прохоренко П.П., Мигун Н.П. Введение в теорию капиллярного контроля. Мн., 1988;
прылада або ўстаноўка для выяўлення дэфектаў (тыпу парушэнняў суцэльнасці ці аднароднасці, адхіленняў у хім. саставе) у матэрыялах, паўфабрыкатах і вырабах метадамі неразбуральнага кантролю. Стацыянарныя і лабараторныя Д. абсталёўваюць асцылаграфічнымі і лічбавымі індыкатарамі, самапіснымі прыстасаваннямі; пераносныя — стрэлачнымі прыладамі, гукавымі або асвятляльнымі сігналізатарамі. Існуюць Д., якія кантралююць рухомыя вырабы або самі рухаюцца адносна вырабаў (рэйкавыя Д., Д.-цялежкі і інш.).
Адрозніваюць Д.: ультрагукавыя (выкарыстоўваюць уласцівасць ультрагукавых хваль адбівацца ад дэфектаў, напр., трэшчын); рэнтгенаўскія і гама-Д. (прасвечваюць вырабы і матэрыялы адпаведнымі прамянямі, фіксуюць трэшчыны, ракавіны, пабочныя ўключэнні); магнітныя (з дапамогай магн. поля збіраюць магн. парашок або суспензію ў месцах дэфектаў); электраіндуктыўныя (узбуджаюць у вырабе або матэрыяле віхравыя токі, сіла і шчыльнасць якіх залежаць ад наяўнасці дэфектаў); люмінесцэнтныя (выяўляюць парушэнні пакрыццяў на дэталях электронных прылад); аптычныя (устаноўкі з прасветным экранам для візуальнага кантролю або сістэмай аўтам. аналізу відарысу; выяўляюць мікрашчыліны, мех. напружанні, адшчэпы, драпіны, скопішчы дыслакацый па змене інтэнсіўнасці адбітых прамянёў) і інш.Гл. таксама Дэфектаскапія.
недасканаласці (парушэнні) будовы металаў і сплаваў (пераважна рэгулярнай крышт. структуры), якія пагаршаюць іх фіз.-мех. ўласцівасці. Дэфектамі лічацца адхіленні ад нармальнай (прадугледжанай тэхн. ўмовамі, стандартамі) якасці металу па хім. саставе, структуры, суцэльнасці, стане паверхні, якія вядуць да зніжэння сортнасці або забракоўкі вырабаў. Выяўляюць Д.м. метадамі дэфектаскапіі, металаграфіі, рэнтгенаструктурным аналізам і інш., ліквідуюць найчасцей тэрмічнай апрацоўкай.
Адрозніваюць Д.м.: тонкай структуры (вакансіі, дыслакацыі і інш., гл.Дэфекты ў крышталях), мікрадэфекты (дэндрыты, мікрапоры, мікратрэшчыны, мікрапузыры газаў, плёны, неправары і інш., выяўляюцца аптычнымі мікраскопамі); макрадэфекты (валасавіны, трэшчыны, поры, газавыя пузыры, умяціны, драпіны, ірваніны і інш.). Д.м. узнікаюць з-за недасканаласці або парушэнняў тэхнал. працэсаў пры плаўленні металаў і атрыманні адлівак (неметал. ўключэнні, шлакавіны, усадачная і газавая порыстасць, ракавіны і г.д.), пры апрацоўцы ціскам (расслаенні, заковы, валасавіны, флокены і г.д.), пры тэрмічнай, хімікатэрмічнай, электрахім. і мех. апрацоўцы (трэшчыны, прыпяканні, абезвугляроджванніі г.д.), пры зварцы, паянні, кляпанні (неправары, непрапаі, карозія і г.д.). Дэфекты ў паўфабрыкатах і гатовых вырабах могуць узнікаць таксама пры транспарціроўцы, захоўванні і эксплуатацыі (напр., карозія металаў). Высокая якасць металаў і вырабаў з іх забяспечваецца ўдасканаленнем тэхналогіі вытв-сці і метадаў кантролю іх якасці.
парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).
Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш.Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш.Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім.цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.
Літ.:
Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;
Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;
Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.