Verbum

ПАЎНО́ЧНЫ ФРОНТ,

1) аператыўна-стратэгічнае аб’яднанне рас. армій у 1915—18 на Петраградскім напрамку ў 1-ю сусв. вайну. Утвораны 17.8.1915 у выніку падзелу Паўночна-Заходняга фронту 1914—15 на П.ф. і Заходні фронт 1915—18. У ліп. 1917 лінія фронту праходзіла на Пн ад воз. Богінскае (Браслаўскі р-н), дзе была мяжа з Зах. фронтам, уздоўж р. Зах. Дзвіна, па марскім узбярэжжы да г. Рэвель (Талін) і паўд. частцы Фінскага заліва; тэатр ваен. дзеянняў ахопліваў і Фінляндыю. У склад П.ф. ўваходзілі 12-я, 5 і 1-я арміі. Камандаванню фронтам у аператыўным плане падпарадкоўваліся Балт. флот, гарнізоны марскіх крэпасцей, а з 30.9.1917 і Петраградская ваен. акруга. Вайсковым тылам была Дзвінская ваенная акруга. Войскі П.ф. сумесна з Зах. фронтам правялі Нарачанскую аперацыю 1916, у 1917 сіламі 12-й арміі — Мітаўскую аперацыю, удзельнічалі ў чэрвеньскай наступальнай аперацыі, адбіцці герм. наступлення ў час Рыжскай аперацыі. У войсках значны ўплыў мелі бальшавікі [у кастр. 1917 было больш за 13 тыс. членаў РСДРП(б)]. Рэв. часці фронту ўдзельнічалі ў ліквідацыі Карнілава мяцяжу 1917, у Кастр. узбр. паўстанні 1917, абароне Петраграда. З ліст. 1917 камандаванне фронтам ажыццяўлялася пад кантролем франтавога ВРК. 1-ы з’езд салдацкіх дэпутатаў П.ф. 10—15.12.1917 падтрымаў перамогу сав. улады на фронце, абраў выканаўчы к-т і кіраўніцтва П.ф. на чале з Б.П.Позернам (камісар СНК па П.ф.). 23.3.1918 П.ф. расфарміраваны. Галоўнакамандуючыя: ген. ад інфантэрыі М.У.Рузскі (жн. — 19.12.1915, 14.8.1916—8.5.1917); ген. ад кавалерыі П.​А.​Плеве (19.12.1915—19.2.1916); ген. ад інфантэрыі А.М.Курапаткін (19.2. — 4.8.1916); ген. ад кавалерыі В.​І.​Гурка (часова выконваючы абавязкі, жн. 1916, гл. ў арт. Гуркі); ген. ад кавалерыі А.​М.​Драгаміраў (12.5—14.6.1917); ген. ад інфантэрыі У.​Н.​Клямбоўскі (14.6—11.9. 1917); ген.-лейт. М.​Дз.Бонч-Бруевіч (выконваючы абавязкі, 11—29.9. 1917); ген. ад інфантэрыі У.​А.​Чарамісаў (22.9. — 27.11.1917); ген.-лейт. Я.​Д.​Юзафовіч (27.11. — 5.12.1917); ген.-лейт. В.​Ф.​Навіцкі (5—15.12.1917).

Аператыўна-стратэгічнае аб’яднанне сав. войск на паўн. напрамку ў грамадз. вайну. Утвораны паводле загада РВС Рэспублікі ад 11.9.1918 з мэтай абароны Сав. Рэспублікі на паўн. стратэг. напрамку. У яго склад уваходзілі войскі Паўн. ўчастка атрадаў заслоны, Петраградскага раёна абароны, 6-й і 7-й армій, Анежскай і Паўн.-Дзвінскай флатылій, крэпасць Кранштат. Увосень і зімою 1918 войскі фронту стрымлівалі наступленне англа-амер. інтэрвентаў і белагвардзейцаў; у студз. 1919 правялі Шэнкурскую аперацыю. На Нарвенскім і Пскоўскім напрамках, дзе дзейнічалі войскі фронту, у сувязі з пагаршэннем ваен. становішча (гл. Петраградская абарона 1919) у лют. 1919 створаны новы Зах. фронт, у склад якога ўвайшлі кіраўніцтва П.ф. і 7-я армія. Камандуючыя: Дз.​П.​Парскі (вер.—ліст. 1918); Дз.М.Надзёжны (ліст. 1918 — лют. 1919).

Аператыўна-стратэгічнае аб’яднанне сав. войск у Вял. Айч. вайну на паўн.-зах. стратэг. напрамку ў чэрв.—жн. 1941. Утвораны 24 чэрв. на базе ўпраўлення і войск Ленінградскай ваен. акругі ў складзе 14-й, 7, 23-й армій і ВПС акругі. З 28 чэрв. ў аператыўным падпарадкаванні фронту знаходзіўся Балт. флот; потым у яго склад увайшлі 8-я (14 ліп.) і 48-я (19 жн.) арміі Паўн.-Зах. фронту. Войскі фронту ўдзельнічалі ў прыгранічных бітвах 1941, баях у Карэліі і на Кольскім п-ве, у абароне Ленінграда (гл. Ленінградская бітва 1941—44). 21.8.1941 П.ф. падзелены на Ленінградскі і Карэльскі франты. Камандуючы — ген.-лейт. М.​М.​Папоў.

Літ.:

Ростунов И.И. Русский фронт первой мировой войны. М., 1976;

Тарасов В.В. Борьба с интервентами на Севере России (1918—1920 гг.). М., 1958;

История ордена Ленина Ленинградского военного округа. 3 изд. М., 1988.

А.​М.​Лукашэвіч, В.​А.​Юшкевіч.

т. 12, с. 229

ПАЎПАЛЦІ́ННІК.

паўпалціна, рас. сярэбраная манета, роўная 25 капейкам. Перыядычна чаканілася з 1701 да пач. 1900-х г. (у 1726 з медзі).

т. 12, с. 230

ПАЎПАРАЗІ́ТНЫЯ РАСЛІ́НЫ, паўпаразітычныя расліны,

тое, што расліны-паўпаразіты.

т. 12, с. 230

ПАЎПЕРЫ́ЗМ (ад лац. pauper бедны),

збядненне значнай або пераважнай часткі насельніцтва; становішча галечы. Звычайна з’яўляецца вынікам жорсткай эксплуатацыі або масавага беспрацоўя.

т. 12, с. 230

ПАЎПЛО́СКАСЦЬ,

сукупнасць пунктаў плоскасці, якія ляжаць з аднаго боку ад прамой, зададзенай на гэтай плоскасці. Каардынаты пунктаў П. задавальняюць няроўнасці Ax + By + C > 0 (ці Ax + By + < C), дзе A, B і C — пастаянныя, адначасова не роўныя нулю. Калі сама прамая (мяжа П.), якая задаецца ўраўненнем Ax + By + C = 0, належыць да П., то П. лічыцца замкнутай.

т. 12, с. 230

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ,

рэчывы з выразна выяўленымі ўласцівасцямі паўправаднікоў у шырокім інтэрвале тэмператур, прызначаныя для вырабу паўправадніковых прылад. У адрозненне ад металаў электраправоднасць у П.м. павялічваецца з ростам т-ры. П.м. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (награванне, апрамяненне, дэфармаванне і інш.), да наяўнасці ў іх дамешкаў і структурных дэфектаў. Асн. галіна выкарыстання — мікраэлектроніка. Найб. пашыраныя П.м.: крэмній, германій, алмаз, крэмнію карбід, злучэнні некаторых элементаў III і V (GaAs, InSb, GaN і інш.), II і VI (CdSe, ZnTe і інш.) груп перыядычнай сістэмы.

Літ.:

Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986;

Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. 2 изд. М., 1986;

Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов: Пер. с англ. М., 1991.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ ПРЫЛА́ДЫ,

прылады, дзеянне якіх заснавана на электронных працэсах у паўправадніках. Адрозніваюць прылады на аснове аднародных паўправаднікоў (фотарэзістар, Гана дыёд і інш.) і паўправадніковых пераходаў (электронна-дзірачны пераход, гетэрапераход, Шоткі дыёд і інш.).

У П.п. выкарыстоўваюцца працэсы, абумоўленыя адчувальнасцю паўправаднікоў да знешніх уздзеянняў (змены т-ры, апрамянення, святла, эл. і магн. палёў і інш.), іх паверхневыя ўласцівасці (кантакты паўправаднік—метал, паўправаднік—дыэлектрык і іх спалучэнні), а таксама залежнасць уласцівасцей паўправадніковых узораў ад іх памераў. Адрозніваюць П.п. дыскрэтныя (асобныя вырабы) і інтэгральныя (актыўныя элементы маналітных інтэгральных схем). П.п. выкарыстоўваюцца для апрацоўкі эл. сігналаў (паўправадніковы дыёд, транзістар, тырыстар), пераўтварэння сігналаў аднаго віду ў другі (паўправадніковы лазер, фотатранзістар і інш.), атрымання адных відаў энергіі з іншых (тэрмаэлемент, сонечная батарэя і інш.), успрымання відарысаў (прылада з зарадавай сувяззю), пераўтварэння мех. і магн. велічынь у электрычныя (тэнзарэзістар, Хола пераўтваральнік), рэгістрацыі часціц (паўправадніковы дэтэктар), эмісіі электронаў у вакуум (халодны катод) і інш.

На Беларусі распрацоўкай і вытв-сцю П.п. займаюцца ў навук.-вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і Маладзечанскім вытворчым аб’яднанні «Электрамодуль».

Літ.:

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. Кн. 1—2. 2 изд. М., 1984;

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. 4 изд. М., 1987;

Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Мн., 1988;

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М., 1989;

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2 изд. М., 1990.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЫЁД,

двухэлектродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях p-n-пераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл. Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфектаў у аднародным паўправадніку (гл. Гана дыёд).

Вырабляюцца на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарытнымі памерамі, масай і спажывальнай магутнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавінна-пралётны, тунэльны і параметрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧ-дыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш.

В.​К.​Кананенка.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЭТЭ́КТАР у ядзернай фізіцы,

прылада для рэгістрацыі іанізавальных выпрамяненняў, асн. элемент якой — крышталь паўправадніка.

Адчувальны слой П.д. — вобласць паўправадніка паблізу p-n-пераходу, якая абеднена носьбітамі току і мае высокае эл. супраціўленне. Іанізавальная часціца, што пранікла ў крышталь, генерыруе дадатковыя (нераўнаважныя) носьбіты току (электроны і дзіркі), у выніку чаго ў знешнім ланцугу ўзнікае імпульс току, які ўзмацняецца і рэгіструецца. Зарад, сабраны на электродах П.д., прапарцыянальны энергіі, выдзеленай часціцай пры праходжанні праз адчувальны слой. Можа працаваць як спектрометр, калі часціца поўнасцю тармозіцца ў ім. Выкарыстоўваюцца ў ядз. фізіцы, фізіцы элементарных часціц, а таксама ў хіміі, геалогіі, медыцыне і прам-сці.

т. 12, с. 231