Verbum

ПІРАЭЛЕКТРЫ́ЧНАСЦЬ (ад піра... + электрычнасць),

узнікненне эл. зарадаў на паверхні некат. крышталёў (піраэлектрыкаў) пры іх награванні ці ахаладжэнні. Да піраэлектрыкаў адносяць крышт. дыэлектрыкі, што палярызуюцца ў адсутнасці эл. поля і інш. знешніх уздзеянняў (т. зв. спантанная палярызацыя). Даследавалася Д.Брустэрам, П.Кюры, Ф.Эпінусам.

Пры награванні адзін край піраэлектрыка зараджаецца дадатна, пры ахаладжэнні — адмоўна, другі — наадварот. Паяўленне зарадаў на паверхні піраэлектрыка звязана са зменай існуючай у ім палярызацыі пры змене т-ры крышталя, а таксама і пры дэфармаванні (піраэлектрыкі з’яўляюцца п’езаэлектрыкамі) Асобная група піраэлектрыкаў — сегнетаэлектрыкі, у якіх пры награванні да пэўнай т-ры спантанная палярызацыя знікае і крышталь пераходзіць у непіраэл. стан. Існуе эфект, адваротны піраэлектрычнаму. Калі крышталь змясціць у эл. поле, то яго палярызацыя змяняецца, што суправаджаецца награваннем ці ахаладжэннем крышталя (электракаларычны эфект). Піраэлектрыкі выкарыстоўваюць у тэхніцы ў якасці індыкатараў і прыёмнікаў выпрамяненняў. Іх дзеянне заснавана на рэгістрацыі эл. сігналаў, што ўзнікаюць у піраэлектрыках пры змене т-ры пад уплывам выпрамянення.

Літ.:

Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: Пер. с англ. М., 1981;

Кременчугский Л.С., Ройцина О.В. Пироэлектрические приемники излучения. Киев, 1979.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 12, с. 382

БРЭГ (Bragg),

англійскія фізікі, бацька і сын. Заснавальнікі рэнтгена-структурнага аналізу. Упершыню выкарысталі дыфракцыю рэнтгенаўскіх прамянёў у крышталях для выяўлення характарыстык гэтых прамянёў і для расшыфроўкі структуры крышталёў (1913). Нобелеўская прэмія 1915.

Уільям Генры (2.7.1862, Уігтан, графства Камбрыя, Вялікабрытанія — 12.3.1942), член (1906) і прэзідэнт (1935—40) Лонданскага каралеўскага т-ва. Скончыў Кембрыджскі ун-т. З 1886 праф. Адэлаідскага ун-та ў Аўстраліі, з 1909 у Лідсе, з 1915 у Лондане. Аўтар шэрагу навук-папулярных кніг.

Уільям Лорэнс (31.3.1890, г. Адэлаіда, Аўстралія — 1.7.1971), член Лонданскага каралеўскага т-ва (1921). Вучыўся ў Адэлаідскім і Кембрыджскім ун-тах. У 1919—37 праф. ун-та ў Манчэстэры, 1937—38 дырэктар Нац. фіз. лабараторыі, 1954—66 дырэктар Каралеўскага ін-та ў Кембрыджы. У 1913 адначасова з Г.​В.​Вульфам даў ураўненне, якое звязвае вугал адхілення рэнтгенаўскіх прамянёў, рассеяных крышталём без змены даўжыні хвалі, з адлегласцю паміж суседнімі атамнымі плоскасцямі ў крышталі (гл. Брэга—Вульфа ўмовы), практычна ажыццявіў указаны У.​Г.​Брэгам спосаб вызначэння структур пры дапамозе радоў Фур’е, вызначыў структуры шматлікіх сілікатаў.

Тв.:

Рус. пер. — Рентгеновские лучи и строение кристаллов. М.; Л., 1929;

Дифракция электронов. Л., 1936.

т. 3, с. 280

ДОЖДЖ,

від атмасферных ападкаў у выглядзе кропель вады дыяметрам 0,5—7 мм. Утвараецца ў выніку кандэнсацыі вадзяной пары ў паветры і зліцця дробных кропель у больш буйныя або раставання крышталёў, што выпадаюць з воблакаў.

Аблажныя Д. працяглыя. раўнамернай інтэнсіўнасці, выпадаюць са слаіста-дажджавых або высокаслаістых воблакаў на вял. плошчы; ліўневыя Д. кароткачасовыя, маюць хутказменлівую і часта вял. інтэнсіўнасць, выпадаюць з кучава-дажджавых воблакаў (гл. Лівень). Д. з дыяметрам кропель менш за 0,5 мм наз. імжой. Бывае ледзяны Д. у выглядзе дробных празрыстых ледзяных шарыкаў дыяметрам 1—3 мм, што ўтвараюцца пры замярзанні кропель Д. ў паветры з адмоўнай т-рай, і пераахалоджаны Д., кроплі якога застаюцца вадкімі пры адмоўнай т-ры і замярзаюць у выглядзе галалёду на паверхні Зямлі.

На Беларусі выпадзенне Д. часцей звязана з цыкланічнай дзейнасцю. Вадкія ападкі (пераважна Д.) даюць ад 75% на У да 80% на 3 гадавой сумы ападкаў. За год бывае каля 110 сут з Д. Летам пераважаюць ліўневыя Д., найб. дажджлівы месяц ліпень (13—16 сут з Д.). У халодны перыяд года акрамя снегу выпадаюць аблажныя Д. і імжа (да 8 сут з ападкамі за месяц). Гл. таксама Ападкі атмасферныя.

т. 6, с. 176

КАНДЭНСА́ЦЫЯ (ад позналац. condensatio ушчыльненне, згушчэнне),

пераход рэчыва з газападобнага стану ў вадкі або крышталічны. Адбываецца пры т-рах, меншых за крытычную тэмпературу, і адносіцца да фазавых пераходаў першага роду.

Пры К. ў інтэрвале т-р ад крытычнай да т-ры трайнога пункта рэчыва пераходзіць у вадкі стан (адваротны працэс — выпарэнне або кіпенне), пры больш нізкіх т-рах — у крышталічны (адваротны працэс — сублімацыя). Суправаджаецца вылучэннем цеплаты параўтварэння або сублімацыі (узгонкі). Для раўнаважнай К. неабходна прысутнасць кандэнсаванай фазы (вадкасць, крышталі) або т.зв. цэнтраў К. (напр., пылінкі). На нязмочвальных паверхнях вадкая фаза выпадае ў выглядзе кропель (кропельная К.), на поўнасцю змочвальных — у выглядзе плёнак (плёначная К.). Выкарыстоўваецца ў энергетыцы (цеплаабменныя апараты), у хім. тэхналогіі для раздзялення шматкампанентных газавых сумесей на фракцыі (фракцыйная К.), у апрасняльных устаноўках, халадзільнай і крыягеннай тэхніцы.

К. вадзяной пары ў атмасферы, працэс пераходу вадзяной пары, якая знаходзіцца ў паветры, у вадкі або цвёрды стан з утварэннем кропель і крышталёў воблакаў і туманаў, а таксама з вылучэннем вады і лёду на наземных прадметах. Адбываецца на ядрах кандэнсацыі пры ахаладжэнні паветра да пункта расы, у выніку яго цеплаабмену з зямной паверхняй.

т. 7, с. 583

ПАВЕ́РХНЕВЫЯ З’Я́ВЫ,

сукупнасць з’яў, звязаных з асаблівасцямі ўласцівасцей паверхняў, што падзяляюць датыкальныя целы (фазы). Адыгрываюць значную ролю ў прыродных працэсах (выветрыванне горных парод, атм. працэсы, глебаўтварэнне і інш.), у біялогіі (функцыянаванне клетачных мембран), у тэхніцы (трэнне, знос, змазачнае дзеянне і інш.).

Падзяляюцца на некалькі груп. Фізічныя П.з.: каалесцэнцыя, змочванне, адгезія, трэнне, капілярныя з’явы, звязаныя з лішкам свабоднай (гл. Паверхневае нацяжэнне) ці поўнай энергіі, энтрапіі або інш. тэрмадынамічных велічынь у паверхневым слоі. Вызначаюць форму кропель вадкасцей, газавых пузыроў, крышталёў у раўнаважным стане, умовы ўзнікнення зародкаў новай фазы. Хімічныя П.з. абумоўлены зменай хім. саставу паверхні ў выніку адсорбцыі. Уплываюць на мех. ўстойлівасць дысперсных сістэм (гл. Паверхнева-актыўныя рэчывы), ліяфільнасць рэчываў (гл. Ліяфільнасць і ліяфобнасць), павышаюць хім. ўстойлівасць (напр., супраць карозіі). П.з., звязаныя з фіз.-хім. і структурнымі ўласцівасцямі паверхневых слаёў. Уплываюць на кінетыку гетэрагенных працэсаў (каталіз, гарэнне, фазавыя пераходы). Электрапаверхневыя з’явы: электракінетычныя з’явы, электронная эмісія, паверхневая праводнасць і інш. абумоўлены ўтварэннем падвойнага электрычнага слоя іонаў і ўзнікненнем скачкоў патэнцыялу на паверхні падзелу фаз. На выкарыстанні П.з. заснаваны шматлікія тэхнал. працэсы: флатацыя, фільтрацыя, мех. апрацоўка і ўшчыльненне матэрыялаў, хім. сінтэз з выкарыстаннем гетэрагенных каталізатараў і інш.

Г.​С.​Раманаў.

т. 11, с. 465

ВАГА́ННІ КРЫШТАЛІ́ЧНАЙ РАШО́ТКІ,

узгодненыя зрушэнні атамаў крышталя каля становішчаў раўнавагі (вузлоў рашоткі). Характар ваганняў залежыць ад сіметрыі крышталёў, ліку атамаў у элементарнай ячэйцы, тыпу хім. сувязі, віду і канцэнтрацыі дэфектаў у крышталях. Амплітуда ваганняў павялічваецца з павышэннем тэмпературы крышталя. На цеплавыя ваганні могуць накладвацца ваганні, выкліканыя распаўсюджваннем у крышталі пругкіх хваляў, абумоўленых знешнім уздзеяннем.

У крышталі з N элементарных ячэек па ν атамаў у кожнай існуе 3νN—6 незалежных найпрасцейшых нармальных ваганняў, кожнае з якіх можна ўявіць у выглядзе дзвюх плоскіх пругкіх хваляў, што распаўсюджваюцца ў процілеглых напрамках. Гэтыя ваганні складаюцца з трох акустычных галін (ім адпавядаюць зрушэнні элементарнай ячэйкі як цэлага) і 3 (ν—1) аптычных (адпавядаюць зрушэнням атамаў унутры элементарнай ячэйкі). Пры пругкім характары міжатамнага ўзаемадзеяння вагальная энергія крышталя складаецца з энергій нармальных ваганняў, кожнае з якіх уцягвае ў рух усе атамы. Вагальную энергію крышталя можна разглядаць і як суму энергій фанонаў — квантаў энергіі пругкіх ваганняў. Квантавая прырода ваганняў крышталічнай рашоткі праяўляецца ў наяўнасці нулявых ваганняў атамаў пры T = 0К. Ваганні крышталічнай рашоткі ўплываюць на электраправоднасць металаў і паўправаднікоў, на аптычныя ўласцівасці дыэлектрыкаў.

Літ.:

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981;

Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М., 1975;

Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965.

М.​А.​Паклонскі.

т. 3, с. 428

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.​М.​Дашанкоў.

т. 1, с. 218

КАНФІГУРА́ЦЫЯ (ад лац. configuratio наданне формы, размяшчэнне),

1) абрысы, формы, знешні выгляд, а таксама ўзаемнае размяшчэнне, прасторавыя суадносіны якіх-н. прадметаў ці іх частак. Напр., К. воблакаў, К. крышталёў. 2)У астраноміі — бачнае становішча зоркі, планеты ці інш. на нябеснай сферы адносна Зямлі і Сонца. Гл. ў арт. Канфігурацыі планет.

3) У хіміі — канкрэтнае прасторавае становішча атамаў у малекуле хім. злучэння вядомай будовы; адно з асн. паняццяў стэрэахіміі. Разам з паняццем канфармацыі апісвае прасторавую будову малекулы.

К. малекулы змяняецца ў выніку рэакцый хімічных, перагруповак малекулярных, канфармацыйных пераходаў. Прасторавыя ізамеры з рознымі К. наз. канфігурацыйнымі ізамерамі. Адрозніваюць К. абсалютную і адносную. Абсалютная (стэрэахімічная) К. хіральнай малекулы (гл. Хіральнасць) вызначаецца становішчам пэўных замяшчальнікаў адносна цэнтраў упарадкаванасці ў малекуле, апісваецца пры дапамозе спец. стэрэахім. (R-S) наменклатуры хімічнай. Адносная К. вызначае канфігурацыйныя адносіны паміж элементамі хіральнасці, зыходзячы з іх параўнання паміж сабой; адрозніваюць унутры- і міжмалекулярнае параўнанне. Існуюць шматлікія сістэмы вызначэння адноснай К.: цыс-транс-К. (гл. Геаметрычная ізамерыя), D-L-К. (гл. Аптычная ізамерыя) і інш., што абумоўлена рознымі падыходамі да вызначэння правіл параўнання. Адносную К. ўстанаўліваюць рознымі хім. і фізіка-хім. метадамі, абсалютную — метадам рэнтгенаўскага структурнага аналізу. К. малекул улічваюць пры планаванні сінтэзу шматлікіх класаў прыродных злучэнняў — вугляводаў, пептыдаў і бялкоў, антыбіётыкаў, алкалоідаў і інш.

Т.​Т.​Лахвіч.

т. 8, с. 11

НЕЙТРО́ННАЯ О́ПТЫКА,

раздзел нейтроннай фізікі, які вывучае хвалевыя ўласцівасці нейтронаў і працэсы распаўсюджвання нейтронных хваль у рэчывах і палях.

У адпаведнасці з карпускулярна-хвалевым дуалізмам нейтрон можа паводзіць сябе як часціца з энергіяй E і імпульсам $\overrightarrow{w}$ або як хваля з частатой ${\displaystyle \mathrm{\omega }=\frac{2\mathrm{\pi }}{h}E}$ , даўжынёй хвалі λ = 2πh/p і хвалевым вектарам ${\displaystyle \overrightarrow{k}=\frac{2\mathrm{\pi }}{h}\overrightarrow{p}}$ , дзе h — Планка пастаянная. Хвалевыя ўласцівасці найб. выяўлены ў нейтронаў з малымі кінетычнымі энергіямі (гл. Павольныя нейтроны). Гэтымі ўласцівасцямі тлумачыцца пераламленне і адбіццё нейтронных пучкоў на мяжы падзелу двух асяроддзяў, поўнае адбіццё (пры пэўных умовах) ад мяжы падзелу, дыфракцыя на неаднароднасцях асяроддзя і на яго перыядычнай структуры. Для некаторых рэчываў пры адбіцці і пераламленні назіраецца палярызацыя нейтронаў, што вельмі падобна на ўзнікненне кругавой палярызацыі святла ў аптычна актыўных асяроддзях. У рэчывах, дзе спіны ядраў арыентаваны (палярызаваны) у адным напрамку, назіраецца ядз. прэцэсія нейтронаў, абумоўленая ядз. псеўдамагн. полем (гл. Ядзерная оптыка). Калі даўжыня хвалі нейтрона параўнальная з адлегласцю паміж атамамі (ядрамі) крышталёў, назіраецца дыфракцыя нейтронаў, аналагічная дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў.

На Беларусі даследаванні па асобных пытаннях Н.о. праводзяцца ў НДІ ядз. даследаванняў пры БДУ.

Літ.:

Крупчицкий П.А. Фундаментальные исследования с поляризованными медленными нейтронами. М., 1985;

Барышевский В.Г. Ядерная оптика поляризованных сред. М., 1995.

У.​Р.​Барышэўскі.

т. 11, с. 276

ДАМЕ́НЫ,

вобласці хімічна аднароднага асяроддзя, якія адрозніваюцца эл., магн., пругкімі ўласцівасцямі або ўпарадкаванасцю размеркавання часціц. Утварэнне Д. звязана з фазавым пераходам крышталёў у стан з больш нізкай сіметрыяй; аналіз з дапамогай тэорыі груп дазваляе выявіць усе магчымыя віды Д. пры любым фазавым пераходзе. Д. бываюць: ферамагн., сегнетаэл., пругкія, Гана, у вадкіх крышталях і інш.

Вобласць, у якой адбываецца паступовы пераход ад аднаго Д. да другога, наз. мяжой Д. (даменнай сценкай); яе характэрная таўшчыня залежыць ад тыпу фазавага пераходу — ад некалькіх міжатамных адлегласцей для Д., якія адрозніваюцца атамна-крышталічнай структурай, да соцень і тысяч міжатамных адлегласцей у ферамагн. Д. Ферамагнітныя Д. — вобласці самаадвольнай (спантаннай) намагнічанасці; намагнічаныя да насычэння часткі аб’ёму ферамагнетыка, на якія ён распадаецца пры т-рах, меншых за кюры пункт; звычайна маюць памеры да 0,1 мм. Сегнетаэлектрычныя Д. — вобласці аднароднай спантаннай палярызацыі ў сегнетаэлектрыках; маюць памеры да 0,01 мм. Пругкія Д. — вобласці з рознай спантаннай дэфармацыяй, што ўзнікаюць у цвёрдай фазе пры яе ўтварэнні ўнутры або на паверхні інш. цвёрдай фазы; выяўляюцца пры ўпарадкаванні цвёрдых раствораў, мех. двайнікаванні і інш. Д. Гана — вобласці паўправаднікоў з розным удзельным эл. супраціўленнем і рознай напружанасцю эл. поля; утвараюцца ў паўправадніках з N-падобнай вольтампернай характарыстыкай (гл. Гана эфект).

П.​С.​Габец, П.​А.​Пупкевіч.

т. 6, с. 31