Verbum

ДЭБА́Й ((Debye) Петэр Іозеф Вільгельм) (24.3.1884, г. Маастрыхт, Нідэрланды — 2.11.1966),

галандскі фізік і хімік, адзін са стваральнікаў тэорыі цвёрдага цела. Замежны чл. АН СССР (1924) і інш. акадэмій. Скончыў Мюнхенскі ун-т (1910). З 1911 праф. ун-таў Швейцарыі і Германіі, у 1934—39 дырэктар Ін-та фізікі кайзера Вільгельма (Берлін), у 1940—50 праф. Корнелскага ун-та (ЗША). Навук. працы па фізіцы цвёрдага цела, тэорыі будовы малекул і квантавай тэорыі атама. Пабудаваў мадэль цвёрдага цела (1912), устанавіў залежнасць цеплаёмістасці крышталёў ад т-ры (гл. Дэбая закон). Распрацаваў дыпольную тэорыю дыэлектрыкаў, прапанаваў рэнтгенаўскі метад даследавання дробнакрышт. матэрыялаў (гл. Дэбая—Шэрэра метад). Нобелеўская прэмія 1936.

Літ.:

Гельфер Я.М. История и методология термодинамики и статистической физики. 2 изд. М., 1981. С. 486—491.

А.​І.​Болсун.

т. 6, с. 320

ДЭБА́Я—ШЭ́РЭРА МЕ́ТАД,

метад даследаванняў полікрышталічных матэрыялаў з дапамогай дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў. Прапанаваны П.Дэбаем і швейц. фізікам П.​Шэрэрам (1916). Выкарыстоўваецца ў рэнтгенаўскім структурным аналізе для вымярэнняў параметраў элементарнай ячэйкі крышталёў, фазавага аналізу полікрышт. матэрыялаў і інш.

У Д.—Ш.м. тонкі пучок монахраматычных рэнтгенаўскіх прамянёў накіроўваецца на ўзор, які рассейвае выпрамяненне ўздоўж утваральных сувосевых конусаў (рассеянне адбываецца на крышталіках, для якіх выконваецца Брэга—Вульфа ўмова). Пры раўнамерным вярчэнні ўзору вакол восі, перпендыкулярнай першаснаму пучку выпрамянення, усе крышталікі ўводзяцца ў адбівальнае становішча. Рассеянае выпрамяненне рэгіструецца на фотаплёнцы ў цыліндрычнай (дэбаеўскай) рэнтгенаўскай камеры або з дапамогай рэнтгенаўскага дыфрактометра.

М.​М.​Аляхновіч.

т. 6, с. 320

КАВАРЫЯ́НТНЫЯ МЕ́ТАДЫ ў оптыцы,

прамыя бескаардынатныя метады апісання розных фіз. з’яў, заснаваныя на выкарыстанні вектарна-тэнзарнага злічэння і лінейнай алгебры. К.м. прынцыпова не патрабуюць выбару канкрэтнай сістэмы каардынат, што значна спрашчае форму запісу матэм. суадносін і надае ім агульны характар. Распрацаваны ў Ін-це фізікі Нац. АН Беларусі пад кіраўніцтвам Ф.І.Фёдарава.

На аснове К.м. прапанаваны арыгінальны падыход да апісання палярызацыі святла, каварыянтная фармулёўка законаў адбіцця і пераламлення святла; вывучаны аптычныя ўласцівасці паглынальных і магнітных крышталёў; выяўлены асн. заканамернасці ў оптыцы гіратропных асяроддзяў. З дапамогай К.м. дадзена малекулярнае абгрунтаванне адбіцця і пераламлення святла (Б.А.Соцкі), пабудавана тэорыя неаднародных хваль, прадказаны Фёдарава зрух.

Літ.:

Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. Мн., 1958;

Яго ж. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965;

Яго ж. Теория гиротропии. Мн., 1976.

М.​С.​Пятроў.

т. 7, с. 399

КЛАТРА́ТЫ, злучэнні ўключэння,

злучэнні, якія ўтвараюцца ўключэннем малекул ці іонаў малых памераў у поласці крышт. рашоткі (рашэцістыя) ці ў поласць адной вял. малекулы. К. называюць злучэннямі тыпу «гаспадар-госць».

Рашэцістыя К., ці інтэркалаты, існуюць толькі ў крышт. стане. Паводле формы поласці адрозніваюць К. клетачныя і слаістыя. Напр., клетачныя К. — газавыя гідраты, у якіх «гасцямі» з’яўляюцца малекулы газаў — аргон, крыптон, хлор, метал і інш., а «гаспадарамі» — малекулы вады, што ўтвараюць крышт. каркас. Знешне яны нагадваюць снег, але могуць існаваць пры дадатнай т-ры. Слаістыя К. ўтвараюцца пры ўкараненні малекул ці іонаў паміж слаямі крышталёў са слаістай рашоткай (напр., злучэнне ўключэння графіту з сернай к-той C​⁺₂₄HSO​⁻₄∙H₂SO₄). Утварэнне К. выкарыстоўваюць пры сінтэзе стэрэарэгулярных палімераў, апрасненні марской вады, захоўванні газаў і высокатаксічных рэчываў, у храматаграфіі.

В.​В.​Свірыдаў.

т. 8, с. 326

КУПЧЫ́НАЎ (Барыс Іванавіч) (н. 19.6.1935, Мінск),

бел. вучоны ў галіне матэрыялазнаўства ў машынабудаванні. Чл.-кар. Нац. АН Беларусі (1986), д-р тэхн. н. (1976), праф. (1989). Засл. вынаходнік Беларусі (1981). Сын І.І.Купчынава. Скончыў Бел. ін-т інжынераў чыг. транспарту (1959). З 1969 у Ін-це механікі металапалімерных сістэм Нац. АН Беларусі. Навук. працы па даследаванні трэння і зносу цвёрдых цел, фізіцы і механіцы кампазіцыйных матэрыялаў на аснове палімераў, трыбалогіі вадкіх крышталёў. Распрацаваў канстр.-тэхнал. параметры працэсу вытв-сці драўнінна-палімерных матэрыялаў, асновы новага павук. кірунку па стварэнні высокаэфектыўных вадкакрышт. змазачных матэрыялаў. Навук. адкрыццё ў галіне біятрыбалогіі (1984). Дзярж. прэмія БССР 1972.

Тв.:

Технология конструкционных материалов и изделий на основе измельченных отходов древесины. Мн., 1992 (разам з М.​В.​Немагаем, С.​Ф.​Мельнікавым);

Биотрибология синовиальных суставов. Мн., 1997 (разам з Я.​Дз.​Белаенкам, С.​Ф.​Ермаковым).

т. 9, с. 39

КЕ́ЛЬВІНА ЎРАЎНЕ́ННЕ,

залежнасць ціску насычанай пары над вадкасцю або крышталём ад крывізны іх паверхні (г.зн. ад памераў малых кропель вадкасці, пузыркоў, крышталікаў). Выведзена У.Томсанам (лордам Кельвінам) у 1871 з умовы роўнасці хім. патэнцыялаў у сумежных фазах, што знаходзяцца ў тэрмадынамічнай раўнавазе.

Пры т-ры T у раўнаважных умовах ${\displaystyle \frac{p}{p_0}exp\text{(}\frac{2\mathrm{\sigma }V}{rRT}\text{)}=\frac{c}{c_0}}$ , дзе r — сярэдні радыус крывізны паверхні раздзелу фаз, p — ціск насычанай пары над сферычнай паверхняй, p₀ — ціск пары над плоскай паверхняй, c і c₀ — адпаведныя растваральнасці, σ — міжфазавае паверхневае нацяжэнне, V — малярны аб’ём кандэнсаванай фазы, R — універсальная газавая пастаянная. З К.ў. вынікае, што ціск над часцінкамі малых памераў павышаны, а ў малых пузырках або над увагнутай паверхняй паніжаны ў параўнанні з ціскам насычанай пары над плоскай паверхняй. Адпаведна растваральнасць малых кропель або крышталёў большая за растваральнасць буйных.

А.​І.​Болсун.

т. 8, с. 223

«ПЛАНА́Р»,

дзяржаўны навук.-вытв. канцэрн дакладнага машынабудавання. Засн. ў 1992 на базе КБ дакладнага электроннага машынабудавання (існуе ў Мінску з 1962). Уключае комплекс устаноў і прадпрыемстваў, якія распрацоўваюць і забяспечваюць вытв-сць спец. тэхнал. абсталявання для мікраэлектронікі і мехатронных сістэм. Асн. прадукцыя (2001): оптыка-мех. абсталяванне для вырабу і кантролю фоташаблонаў, якія выкарыстоўваюцца ў вытв-сці інтэгральных мікрасхем і паўправадніковых прыбораў, шматслойных пячатных плат, а таксама для фарміравання і пераносу відарысаў у фоталітаграфіі, лазернай тэхналогіі раздзялення матэрыялаў; аўтаматы і паўправадніковыя аўтаматы дыскавай рэзкі, зондавага кантролю і мантажу крышталёў; лінейныя шагавыя рухавікі; высокараздзяляльныя аб’ектывы і аптычныя сістэмы; медтэхніка і тавары нар. спажывання. «П.» з’яўляецца лідэрам у распрацоўцы сістэм тэхн. зроку, унікальнай апаратуры для вымярэнняў, даследаванняў і выпрабаванняў з элементамі штучнага інтэлекту. Удзельнічае ў выкананні дзярж. праграм «Лазеры», «Белэлектроніка», «Прылады і сродкі вымярэнняў і тэхнічная дыягностыка», а таксама бел.-рас. праграм.

М.​С.​Калядка, А.​В.​Нікіфараў.

т. 12, с. 405

КАВАЛЁЎ (Анатоль Анатолевіч) (н. 13.1.1939, г. Гомель),

бел. фізік. Чл.-кар. Нац. АН Беларусі (1989). Д-р фіз.-матэм. н. (1988), праф. (1991). Скончыў Гомельскі пед. ін-т (1961). З 1964 у Ін-це фізікі, з 1971 у Ін-це электронікі Нац. АН Беларусі (з 1982 нам. дырэктара). Навук. працы па лазернай фізіцы, нелінейнай оптыцы вадкіх крышталёў, апрацоўцы аптычнай інфармацыі. Развіў метады кіравання параметрамі выпрамянення цвердацелых лазераў для задач атрымання і апрацоўкі інфармацыі; устанавіў асн. заканамернасці палярызацыі выпрамянення лазераў на фарбавальніках і нелінейна-аптычных з’яў, што ўзнікаюць у вадкакрышт. анізатропных асяроддзях пад уздзеяннем выпрамянення цвердацелых лазераў. Дзярж. прэмія СССР 1985. Дзярж. прэмія Беларусі 1996.

Тв.:

Оптические квантовые генераторы с просветляющимися фильтрами. Мн., 1975 (разам з У.​А.​Піліповічам);

Поляризация излучения, генерируемого растворами сложных молекул (з ім жа) // Проблемы современной оптики и спектроскопии. Мн., 1980;

ОВФ в нематиках, активированных красителями, в поле импульсного излучения рубинового лазера (у сааўт.) // Квантовая электроника. 1995. Т. 22, № 8.

т. 7, с. 394

ДЫФРА́КЦЫЯ ЧАСЦІ́Ц,

рассеянне электронаў, нейтронаў, атамаў і інш. мікрачасціц крышталямі або малекуламі вадкасцей і газаў з утварэннем чаргаваных максімумаў і мінімумаў у інтэнсіўнасці рассеяных мікрачасціц.

Максімумы і мінімумы ў дыфракцыйнай карціне размяркоўваюцца ў адпаведнасці з унутр. будовай рассейвальнага асяроддзя. Д.ч. аналагічная дыфракцыя святла і пацвярджае квантавую прыроду мікрачасціц (гл. Карпускулярна-хвалевы дуалізм). Паводле квантавай механікі свабодны рух часціцы з масай m і скорасцю v (энергіяй $E=\frac{m{v}^2}{2}$ ; пры ўмове v≪c, дзе c — скорасць святла ў вакууме) можна разглядаць як плоскую хвалю (гл. Хвалі дэ Бройля) з даўжынёй хвалі $\mathrm{\lambda }=\frac{h}{mv}=\frac{h}{\sqrt{2mE}}$ , дзе h — Планка пастаянная. Пры ўзаемадзеянні часціцы з атамамі ці малекуламі рассейвальнага асяроддзя мяняецца яе энергія і характар распаўсюджання звязанай з ёй хвалі, што адбываецца ў адпаведнасці з агульнымі прынцыпамі дыфракцыі хваль. Д.ч. выкарыстоўваецца пры даследаванні паверхні цвёрдых цел, будовы крышталёў і складаных малекул.

А.​І.​Болсун.

т. 6, с. 303

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ЛА́ЗЕР,

лазер з паўправадніковым крышталём у якасці рабочага рэчыва. Асаблівасці — высокая эфектыўнасць пераўтварэння эл. энергіі ў энергію кагерэнтнага выпрамянення, малая інерцыйнасць, магчымасць перастройкі даўжыні хвалі выпрамянення і інш.

У П.л. ўзбуджаюцца і выпрамяняюць (калектыўна) атамы крышт. рашоткі, што вызначае малыя памеры і кампактнасць прылады. У адрозненне ад лазераў інш. тыпаў у П.л. выкарыстоўваюцца выпрамяняльныя квантавыя пераходы паміж дазволенымі энергет. зонамі крышталёў (гл. Зонная тэорыя, Цвёрдае цела): пры рэкамбінацыі электронаў і дзірак вызваляецца энергія, якая выпрамяняецца ў выглядзе квантаў святла (люмінесцэнцыя) ці перадаецца ўсяму крышталю, як цеплавая энергія. У некаторых паўправадніках, напр. у арсенідзе галію, доля выпрамененай энергіі набліжаецца да 100%. Важнейшы спосаб пампоўкі ў П.л. — інжэкцыя праз p-n-пераход ці гетэрапераход (інжэкцыйны П.л.), што дазваляе непасрэдна пераўтвараць эл. энергію ў кагерэнтнае выпрамяненне. Інш. спосабы пампоўкі: эл. прабой (стрымерны П.л.), бамбардзіроўка электронамі (П.л. з электроннай пампоўкай) і аптычная пампоўка. П.л. выкарыстоўваюцца ў аптычнай сувязі і лакацыі, спец. аўтаматыцы, оптаэлектроніцы, тэхніцы спец. асвятлення (напр., скарасной фатаграфіі), для вызначэння забруджванняў і дамешкаў у розных асяроддзях, для лазернага праекцыйнага тэлебачання.

В.​К.​Кананенка.

т. 12, с. 231