2.узнач.прым. Выраблены з дапамогай штампа (у 1 знач.). Штампаваная дэталь. Штампаваны крышталь. Штампаваны карданаж.
3.перан.; узнач.прым. Які ствараецца або дзейнічае па агульнаўжывальнаму, збітаму ўзору, штампу. Штампаваныя выразы. □ [Шэмет:] — Гэта не штампаваны арганізатар, гэта самародак. Такіх арганізатараў трэба цаніць на [вагу] золата!Лобан.
Тлумачальны слоўнік беларускай мовы (1977-84, правапіс да 2008 г.)
БЕРЫ́Л (грэч. bēryllos),
мінерал падкласа кальцавых сілікатаў, алюмасілікат берылію Be3Al2[Si6O18]. Мае ў сабе 14,1% аксіду берылію BeO, прымесі шчолачаў 7%, часам вокіслу рубідыю Rb2O, цэзію Cs2O (да 3% у вараб’явіце). Крышталізуецца ў гексаганальнай сінганіі. Крышталі прызматычныя, ігольчастыя, таблітчастыя, нярэдка значных памераў. Самы вял. з вядомых у свеце крышталь берылу з в-ва Мадагаскар (даўж. 18 м, дыям. 3,5 м, маса 380 т). Колер блакітнавата-зялёны або светлажоўты; разнавіднасці: блакітны (аквамарын), густа-зялёны (ізумруд), залаціста-жоўты (геліядор), ружовы (вараб’явіт) і інш. Празрысты да паўпразрыстага. Бляск шкляны. Цв. 7,5—8. Шчыльн. 2,75—2,8 г/см³. Трапляецца ў гранітных пегматытах, крышт. сланцах, цёмных вапняках. Руда для вытв-сці берылію. Празрыстыя, прыгожа афарбаваныя крышталі — каштоўныя камяні. Радовішчы берылу ў Бразіліі, Аргенціне, ЗША, Канадзе і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
СІМЕТРЫ́Я КРЫШТАЛЁЎ,
уласцівасць крышталёў заканамерна паўтараць аднолькавыя грані, рэбры, вяршыні або сумяшчацца з сабой пры паваротах вакол восі, у прамых і перавернутых адлюстраваннях, паралельных пераносах і інш.; аснова класіфікацыі крышталёў. Сіметрыя знешняй формы (агранкі) крышталя залежыць ад сіметрыі яго атамнай будовы або крышталічнай рашоткі, якая абумоўлівае сіметрыю яго фіз. уласцівасцей. Форма крышталя і сіметрыя ўнутр. яго будовы вызначаюцца з дапамогай элементаў сіметрыі. Гал. элемент С.к. — паваротныя восі сіметрыі 1—4-га і 6-га парадкаў, плоскасць люстэркавага адлюстравання і цэнтр сіметрыі. Перавернутыя адлюстраванні вызначаюцца інверсійнымі восямі і цэнтрам сіметрыі. Інверсійныя восі маюць тыя ж парадкі, што і асн. восі. Парадак паваротнай восі сіметрыі паказвае, колькі разоў крышталь сумяшчаецца з сабой пры павароце на 360° (напр., куб — 4 разы, 6-гранная прызма — 6 разоў). Плоскасць сіметрыі падзяляе крышталь на 2 палавіны, якія люстэркава адлюстроўваюцца. Восі і плоскасць праходзяць праз цэнтр сіметрыі, што ўяўляе сабой пункт унутры фігуры, адносна якога ўсе супрацьлеглыя падобныя элементы крышталя знаходзяцца на аднолькавай адлегласці. Існуюць таксама элементы С.к.: плоскасць слізготнага люстэркавага адлюстравання (камбінацыя адлюстравання ў плоскасці з адначасовай трансляцыяй) і вінтавая вось (сумяшчае паварот і трансляцыю ўздоўж восі павароту, мае 2-і—4-ы і 6-ы парадкі). Пэўная сукупнасць элементаў сіметрыі ў адным крышталі вызначае від (групу, клас) сіметрыі. Вядомы 32 віды размяшчэння элементаў сіметрыі ў трохмернай прасторы, вызначаныя ням. мінералогам І.Геселем (1830), у больш строгай матэм. форме — рус. вучоным А.В.Гадаліным (1867). Віды сіметрыі групуюцца ў 7 крышталеграфічных сістэм (сінганій). Найб. сіметрычны від С.к. кожнай сінганіі наз. галаэдрычным. Крышталі аднаго мінералу маюць адзін від сіметрыі і пастаянны вугал паміж дзвюма адпаведнымі гранямі. С.к. вывучае крышталяграфія. З дапамогай С.к. вызначаюць мінералы і іх уласцівасці.
Літ.:
Современная кристаллография. Т. 1. Вайнштейн Б.К. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М., 1979;
Егоров-Тисменко Ю.К., Литвинская Г.П., Загальская Ю.Г. Кристаллография. М., 1992.
Ангельска-беларускі слоўнік (В. Пашкевіч, 2006, класічны правапіс)
крышталіза́цыя
(ад гр. krystallizo = прасвечваюся, як крышталь)
працэс утварэння і росту крышталёў пры пераходзе рэчыва з газападобнага або вадкага стану ў крышталічны.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
ЗВЫШЦВЁРДЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ матэрыялы, цвёрдасць матэрыялаў якіх сувымерная з цвёрдасцю алмазу. Адрозніваюць прыродныя (алмаз) і сінт. (найб. пашыраны сінт. алмазы і кубічны нітрыд бору), мікрацвёрдасць якіх — 60—100 ГПа. Маюць высокія трываласць, зносаўстойлівасць, цеплаправоднасць. Хімічна інертныя. Сінт. З.м. атрымліваюць з вугляроду і нітрыду бору пры высокім ціску (4—12 ГПа) і т-рах ад 1200 да 2200 °C у спец. камерах. Выкарыстоўваюць у выглядзе парашкоў, мона- і полікрышталёў, кампазітаў, плёнак для вырабу абразіўных, металарэзных, горна-буравых інструментаў. На Беларусі даследаванні па стварэнні З.м. праводзяцца з 1960 у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац.АН. Распрацаваны тэхналогіі атрымання сінт. алмазаў, кубічнага нітрыду бору, у т. л. полікрышт. («белбор»), кампазітаў на іх аснове, наладжана вытв-сць гэтых матэрыялаў. Парашкі сінт. алмазаў выпускаюць на Гомельскім ВА «Крышталь».
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
КРЫШТАЛЯФІ́ЗІКА,
раздзел фізікі, у якім вывучаюцца фіз. ўласцівасці крышталёў у сувязі з іх атамным (хімічным) саставам і будовай крышталічнай рашоткі. Для крышталёў характэрна анізатрапія, іх анізатропныя ўласцівасці характарызуюцца сукупнасцю некалькіх незалежных велічынь і апісваюцца тэнзарамі.
Кожны крышталь у адносінах да адных уласцівасцей можа. быць анізатропным, да другіх — ізатропным. Наяўнасць залежнасці якой-н. уласцівасці ад напрамку ў крышталі і колькасць незалежных велічынь, якімі гэтая ўласцівасць апісваецца, вызначаюцца прыродай самой уласцівасці і сіметрыяй крышталя. Некаторыя фіз. ўласцівасці крышталёў не могуць залежаць ад напрамку, напр., цеплаёмістасць, шчыльнасць. Гл. таксама Крышталяграфія, Крышталяоптыка.
Літ.:
Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц: Пер. с англ. 2 изд. М., 1967;
Сиротин Ю.И. Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2 им, М., 1979;
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
крышталяхі́мія
(ад крышталь + хімія)
навука аб прасторавым размяшчэнні малекул, атамаў, іонаў у крышталях і залежнасці фізіка-хімічных уласцівасцей крыштальных рэчываў ад іх структуры.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
МАНЕ́ТНЫ ДВОР,
дзярж. прадпрыемства, якое займаецца чаканкай манет, вырабам ордэнаў, медалёў і інш.дзярж.метал. знакаў адрознення. М.д. ўзнікалі з утварэннем нац. дзяржаў, калі чаканка манет станавілася дзярж. манаполіяй. У Расіі першы М.д. узнік у 1534 у Маскве. У 1724 М.д. заснаваны ў Пецярбургу; з 1876 ён стаў адзіным у краіне. У Англіі М.д. створаны ў канцы 12 ст. ў Лондане, у ЗША у 1792 — у Філадэльфіі. На тэр. Беларусі дзейнічалі з 1665 Брэсцкі манетны двор, з 1706 Гродзенскі манетны двор, у 1796 запланавана адкрыццё Полацкага манетнага двара. Найб. вядомыя ў абарачэнні на тэр. Беларусі манеты выпускалі Віленскі манетны двор, М.д. Рэчы Паспалітай (16—18 ст., у т. л. ў Коўне, 1665—67), Саксоніі (1697—1763), Расійскай імперыі (18 ст. — 1917), СССР (1917—91). У Рэспубліцы Беларусь выраб бел.дзярж. узнагарод з каштоўных металаў ажыццяўляе падраздзяленне «Ювелір» Гомельскага вытв. аб’яднання «Крышталь».
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МОНАКРЫШТА́ЛЬ (ад мона... + крышталі),
асобны крышталь з адзінай неперарыўнай крышт. рашоткай. Характэрная асаблівасць М. — залежнасць большасці яго фіз. уласцівасцей ад напрамку (анізатрапія). Усе яго фіз. ўласцівасці (эл., магн., аптычныя, акустычныя, мех. і інш.) звязаны паміж сабой і абумоўлены крышт. структурай, сіламі сувязі паміж атамамі і энергет. спектрам электронаў (гл.Зонная тэорыя).
Многія М. маюць асаблівыя фіз. ўласцівасці: алмаз вельмі цвёрды, сапфір, кварц, флюарыт — надзвычай празрыстыя, ніткападобныя крышталі карунду рэкордна моцныя. Многія М. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (святла, мех. напружанняў, магн. і эл. палёў, радыяцыі і інш.) і выкарыстоўваюцца як пераўтваральнікі ў квантавай электроніцы, радыёэлектроніцы, лазернай фізіцы, акустыцы і інш. Прыродныя М. трапляюцца рэдка, найчасцей маюць малыя памеры і вял. колькасць дэфектаў структуры (гл.Дэфекты ў крышталях) Таму ў электронным прыладабудаванні выкарыстоўваюць штучныя М. з дасканалай крышт. структурай, зададзенымі ўласцівасцямі і памерамі (гл.Сінтэтычныя крышталі). Створана вял. колькасць сінтэтычных М., якія не маюць прыродных аналагаў.
Літ.:
Лодиз Р.А., Паркер Р.Л. Рост монокристаллов: Пер. с англ.М., 1974;
Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М., 1978.