Verbum

ДЫСЛАКА́ЦЫІ ў крышталях,

трансляцыйныя лінейныя дэфекты ў крышталях; лініі, уздоўж і паблізу якіх парушана рэгулярнае размяшчэнне атамных плоскасцей. Могуць выходзіць на паверхню, замыкацца (утвараць дыслакацыйную пятлю), разгаліноўвацца, не абрываюцца ўнутры крышталя. Сярэдняя колькасць ліній Д., што праходзяць праз сячэнне адзінкавай плошчы, вызначае дыслакацыйную шчыльнасць.

У простай кубічнай рашотцы бываюць 2 тыпы Д. — краявая і вінтавая; у больш складаных структурах паміж гэтымі гранічнымі тыпамі могуць існаваць прамежкавыя (напр., у рашотцы алмазу бывае 10 тыпаў Д.). Краявыя Д. — лініі, уздоўж якіх унутры крышталя абрываецца край лішняй атамнай паўплоскасці. Вінтавыя Д. ўтвараюцца ў выніку зруху на перыяд рашоткі адной часткі крышталя адносна другой уздоўж некаторай атамнай паўплоскасці паралельна яе краю. Пры абходзе вакол лініі Д. па вузлах рашоткі ўзнікае незамкнёнасць контуру, якая характарызуецца вектарам Бюргерса $\overrightarrow{b}$. Даўжыня вектара $\overrightarrow{b}$ роўная аднаму з трансляцыйных перыядаў рашоткі, а напрамак залежыць ад напрамку абходу контуру. Для краявой Д. вектар датычнай L да яе лініі і вектар $\overrightarrow{b}$ перпендыкулярныя, для вінтавой — паралельныя. Існуюць 2 спосабы перамяшчэння Д. па крышталі: слізганне (абумоўлена разрывам і перазлучэннем міжатамных сувязей уздоўж лініі Д.) і перапаўзанне (атамная рэканструкцыя краю лішняй паўплоскасці). У рэальных крышталях Д. — ломаныя лініі, якія складаюцца з участкаў (сегментаў) розных тыпаў. Пры збліжэнні двух Д. аднатыпныя сегменты 3 паралельнымі вектарамі Бюргерса адштурхоўваюцца, а з антыпаралельнымі — прыцягваюцца, і адбываецца «анігіляцыя» сегментаў. Узнікненне Д. абумоўлена пластычнай дэфармацыяй крышталя ў працэсе яго росту або далейшых тэрмаапрацовак. Д. ў крышталі знаходзіцца ў полі пругкіх напружанняў. Пры павелічэнні пластычнай дэфармацыі расце колькасць Д., іх палі перакрываюцца і слізганне ўскладняецца (дэфармацыйнае ўмацаванне). Рух і ўзаемадзеянне Д. вызначаюць змяненне формы крышталя і яго ўласцівасцей. У кавалентных крышталях (германій, крэмній, алмаз) Д. маюць абарваныя хім. сувязі; кожная разарваная (ненасычаная) сувязь можа выступаць як цэнтр захопу электрона. У кавалентных і іонных крышталях Д. праяўляюць сябе ў фотапругкасці, люмінесцэнцыі, анізатрапіі электраправоднасці і інш. Акрамя Д. у крышталях бываюць ратацыйныя лінейныя дэфекты — дысклінацыі (парушэнні сіметрыі напрамкаў).

Літ.:

Судзуки Т., Ёсинага Х., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность: Пер. с яп. М., 1989;

Дроздов Н.А., Патрин А.А., Ткачев В.Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в Журн. экспер. и теорет. физики. 1976. Т. 23, № 11.

М.​А.​Драздоў, М.​А.​Паклонскі.

т. 6, с. 293

ІНДЫ́ЙСКІЯ МО́ВЫ, індаарыйскія мовы,

1) група генетычна роднасных моў, якія паходзяць ад стараж.-інд. мовы і разам з дардскімі і іранскімі мовамі адносяцца да індаіранскай моўнай агульнасці, што ўваходзіць у індаеўрап. сям’ю моў (гл. Індаеўрапейскія мовы). У гісторыі развіцця І.м. адрозніваюць стараж.-інд. (мова ведаў у сярэдзіне 2-га тыс. да н.э., санскрыт з пач. 1-га тыс. да н.э.), сярэднеінд. (з сярэдзіны 1-га тыс. да н.э. паралельна з санскрытам развіваліся палі і пракрыты, якія адлюстроўвалі пэўныя з’явы жывой мовы), новаінд. (пасля 10 ст.) мовы. Новаінд. мовы падзяляюць на 3 галіны: унутраную (зах. хіндзі мова, урду мова, пенджабі, гуджараці, раджастані і інш.),

прамежкавую (усх. хіндзі) і знешнюю, якая падзяляецца на групы: паўн.-зах. (лахнда, сіндхі), паўд. (маратхі), усх. (орыя, біхары, бенгалі, асамская). Некат. вучоныя да ўнутр. галіны, апрача цэнтр. групы, далучаюць і мовы пахары, якія паходжаннем належалі да дардскай групы, але яшчэ ў пракрыцкую эпоху зазналі ўплыў І.м. Да І.м. належыць таксама цыганская мова.

Стараж. І.м. былі тыповымі флектыўнымі мовамі з унутр. і вонкавай флексіямі, чаргаваннем галосных, багатай марфалогіяй (3 роды, 3 лікі, 8 склонаў, разгорнутая сістэма часоў і ладоў дзеяслова і дзеепрыметнікаў); у фанетыцы — групы зычных, дыфтонгі, складовыя «р» і «л», муз. націск. У сярэднеінд. мовах адбывалася пэўнае спрашчэнне сістэмы часоў і ладоў, выкарыстанне дзеепрыметнікаў для абазначэння прошлага часу, выпрацоўваўся больш стандартны парадак слоў. Новаінд. мовы пры спрашчэнні марфал. выражэння скланення і спражэння развіваюць аналіт. спосабы перадачы склонавых значэнняў (паслялогі) і дзеяслоўных катэгорый; трацяцца зычныя на канцы слова і ў групах, у слоўнік пранікаюць многія запазычанні з санскрыту, з моў Усходу і еўрапейскіх. І.м. выкарыстоўваюць розныя алфавіты (гл. Індыйскае пісьмо). Некат. мовы карыстаюцца араба-перс. графікай. Вывучае І.м. індалогія.

2) Умоўная, не зусім дакладная назва моў, пашыраных на тэр. Індыі, Пакістана, Бангладэш, Шры-Ланкі, Мальдываў і Непала. Б.ч. іх — індаеўрап. ўласна І.м., іранскія (у т. л. пушту і белуджская), пашыраныя толькі ў Індастане дардскія мовы (у т. л. кашмірская), якія займаюць прамежкавае становішча паміж іранскімі і індыйскімі. Тут пашыраны таксама дравідыйскія мовы, мунду, некат. тыбета-бірманскія і мон-кхмерская мовы.

Літ.:

Зограф Г.А. Языки Индии, Пакистана, Цейлона и Непала. М., 1960;

Яго ж. Морфологический строй новых индоарийских языков. М., 1976;

Чаттерджи С.К. Введение в индоарийское языкознание: Пер. с англ. М., 1977.

А.​Я.​Супрун.

т. 7, с. 243

ПЛА́ЗМА (ад грэч. plasma літар. вылепленае, аформленае) у фізіцы, іанізаваны газ, у якім шчыльнасці дадатных і адмоўных зарадаў прыкладна аднолькавыя. Мае шэраг асаблівасцей, якія дазваляюць лічыць яе асобным (нараўне з цвёрдым, вадкім і газападобным) агрэгатным станам рэчыва. У стане П. знаходзяцца Сонца, гарачыя зоркі, міжзорнае асяроддзе, зоркавыя атмасферы, галактычныя туманнасці і інш. Уласцівасці П. вывучае фізіка плазмы.

У залежнасці ад ступені іанізацыі (адносін канцэнтрацыі зараджаных часціц да поўнай іх канцэнтрацыі) адрозніваюць слаба, сярэдне і поўнасцю іанізаваную П. З-за наяўнасці паміж зараджанымі часціцамі далёкадзейных (кулонаўскіх) сіл нават разрэджаная плазма з’яўляецца складана арганізаваным асяроддзем з мноствам элементарных і калект. працэсаў у ім. Штучна П. атрымліваюць з дапамогай эл. поля ў газавых разрадах, нагрэву газу, уздзеяння іанізавальных выпрамяненняў, ударных хваль і інш. Уласцівасці П. ў знешніх палях апісваюцца кінетычным ураўненнем Больцмана (гл. Кінетычная тэорыя газаў) і сістэмай Максвела ўраўненняў, у якія ўваходзяць самаўзгодненыя (пэўным спосабам усярэдненыя) эл. і магн. палі. Калі ўласна плазменныя эфекты неістотныя, карыстаюцца больш грубымі набліжэннямі магнітнай гідрадынамікі. Многія ўласцівасці, характэрныя для П., маюць таксама сукупнасці носьбітаў зараду ў паўправадніках і металах; іх асаблівасць — магчымасць існавання пры нізкіх (для газавай П.) т-рах — пакаёвай і ніжэй Выкарыстанне высокатэмпературнай П. (т-ра да 10​⁸ К) звязана з праблемай ажыццяўлення кіравальных тэрмаядзерных рэакцый. Найб. пашырана выкарыстанне ў тэхніцы нізкатэмпературнай (халоднай) П. (т-ра прыкладна ад 10​³ да 10​⁵ К) у газаразрадных прыладах, газавых лазерах, магнітагідрадынамічных і тэрмаэмісійных генератарах, плазматронах, плазменных паскаральніках і інш. (гл. Плазменная тэхналогія, Плазмахімія).

На Беларусі даследаванні па фізіцы і тэхніцы П. вядуцца ў Фіз.-тэхн. ін-це з канца 1940-х г. (вывучэнне працэсаў, што працякаюць у вобласці кантакту электраразраднай П. з металамі), Ін-це фізікі з 1955 (П. эл. дугавых і іскравых разрадаў як крыніцы святла, а з 1960 — сістэматычныя даследаванні нізкатэмпературнай П.), Ін-це цепла- і масаабмену, Ін-це малекулярнай і атамнай фізікі, Фіз.-тэхн. ін-це Нац. АН, БДУ.

Літ.:

Арцимович Л.А. Элементарная физика плазмы. 3 изд. М., 1969;

Трубников Б.А. Введение в теорию плазмы. Ч. 1—3. М., 1969—78;

Основы физики плазмы. Т. 1—2. М., 1983—84;

Чен Ф.Ф. Введение в физику плазмы: Пер. с англ. М., 1987.

Л.​Я.​Мінько, Г.​С.​Раманаў.

т. 12, с. 400