Verbum

дэфект

т. 6, с. 363

дэфект мас

т. 6, с. 363

донар,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка.

т. 6, с. 183

АКЦЭ́ПТАР,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка, здольны «захапіць» электроны і тым забяспечыць дзірачную электраправоднасць. Тыповыя акцэптары для германію (Ge) і крэмнію (Si) — атамы-дамешкі хім. элементаў III групы (B, Al, Ga, In). Гл. таксама Донары.

т. 1, с. 223

А́СТАН

(Aston) Фрэнсіс Уільям (1.9.1877, г. Харбарн, Вялікабрытанія — 20.11.1945),

англійскі фізік. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1921), замежны чл.-кар. АН СССР (1924). Скончыў Бірмінгемскі ун-т (1898). Выкладаў у Бірмінгемскім і Кембрыджскім ун-тах. Навук. працы па атамнай і ядз. фізіцы, радыехіміі. Сканструяваў першы масспектрометр і з яго дапамогай адкрыў 213 устойлівых ізатопаў хім. элементаў, вызначыў іх адносную пашыранасць. У 1925 стварыў новы мас-спектрометр, на якім дакладна вызначыў масу і выявіў дэфект масаў шэрагу ізатопаў; упершыню пабудаваў крывую ўпаковачных каэфіцыентаў, што характарызуе энергію сувязі атамных ядраў. Нобелеўская прэмія 1922.

т. 2, с. 43

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463