Verbum

ДЭФЕ́КТ (лац. defectus),

недахоп чаго-н., загана. Гл., напр., Дэфект мас, Дэфекты металаў.

т. 6, с. 363

ДЭФЕ́КТ МАС,

рознасць паміж сумай мас нуклонаў (нейтронаў і пратонаў), якія ўваходзяць у склад ядра атамнага, і масай ядра. Вызначаецца формулай Δ = ZM_p + (A−Z) M_n − M_я, дзе Z — лік пратонаў у ядры, A — масавы лік ядра, M_p, M_n — масы пратона і нейтрона адпаведна, M_я — маса ядра атама. Д.м. выражаецца ў атамных адзінках масы і роўны (з адваротным знакам) энергіі сувязі нуклонаў у ядры. Чым большы Д.м., тым вышэйшая энергія сувязі і тым больш устойлівае ядро. Гл. таксама Ядзерная энергія.

т. 6, с. 363

АКЦЭ́ПТАР,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка, здольны «захапіць» электроны і тым забяспечыць дзірачную электраправоднасць. Тыповыя акцэптары для германію (Ge) і крэмнію (Si) — атамы-дамешкі хім. элементаў III групы (B, Al, Ga, In). Гл. таксама Донары.

т. 1, с. 223

ДО́НАР у фізіцы,

дэфект крышт. рашоткі паўправадніка (напр., дамешкавы атам), здольны аддаваць электроны ў зону праводнасці. Тыповыя Д. для германію Ge і крэмнію Si — атамы элементаў V групы перыядычнай сістэмы (фосфар Р, мыш’як As, сурма Sb). Гл. таксама Акцэптар, Паўправаднікі.

т. 6, с. 183

А́СТАН ((Aston) Фрэнсіс Уільям) (1.9.1877, г. Харбарн, Вялікабрытанія — 20.11.1945),

англійскі фізік. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1921), замежны чл.-кар. АН СССР (1924). Скончыў Бірмінгемскі ун-т (1898). Выкладаў у Бірмінгемскім і Кембрыджскім ун-тах. Навук. працы па атамнай і ядз. фізіцы, радыехіміі. Сканструяваў першы масспектрометр і з яго дапамогай адкрыў 213 устойлівых ізатопаў хім. элементаў, вызначыў іх адносную пашыранасць. У 1925 стварыў новы мас-спектрометр, на якім дакладна вызначыў масу і выявіў дэфект масаў шэрагу ізатопаў; упершыню пабудаваў крывую ўпаковачных каэфіцыентаў, што характарызуе энергію сувязі атамных ядраў. Нобелеўская прэмія 1922.

т. 2, с. 43

ДЭФЕКТАСКАПІ́Я (ад дэфект + ...скапія),

комплекс фізічных метадаў і сродкаў неразбуральнага кантролю якасці матэрыялаў і вырабаў (парушэння суцэльнасці, адхілення ад зададзеных фіз.-мех. уласцівасцей, хім. саставу, структуры, геам. памераў і інш.).

Да метадаў Д. адносяцца: аптычныя (візуальныя), акустычныя (ультрагукавыя), магнітныя, радыяцыйныя (у т. л. гама-метады і рэнтгенаўскія), радыёхвалевыя, цеплавыя (інфрачырвоныя), віхратокавыя (электраіндуктыўныя), электрычныя (у т. л. тэрма- і трыбаэлектрычныя, электрастатычныя), капілярныя (люмінесцэнтныя, каляровыя) і інш. Большасць метадаў Д. заснавана на ўзаемадзеянні акустычных або электрамагнітных ваганняў, фіз. палёў (магнітных, электрамагнітных, радыёхвалевых і інш.) з выпрабавальнымі вырабамі на лакальных іх участках або па ўсім аб’ёме. Д. рашае задачы з выкарыстаннем гэтых метадаў па выяўленні ў вырабах розных тыпаў паверхневых і ўнутраных дэфектаў — трэшчын, валасавін, ракавін, шлакавых уключэнняў, адслаенняў і інш.

На Беларусі навук. работы па Д. вядуцца з 1964 у Ін-це прыкладной фізікі Нац. АН. Развіваецца капілярны метад (у прыватнасці, для кантролю керамічных, кампазітных і інш. вырабаў), ультрагукавы метад з выкарыстаннем магн. вадкасці; распрацоўваюцца асновы магн., эл.-магн. і радыёхвалевага метадаў; створаны прылады магн., магнітаграфічнага, віхратокавага і радыёхвалевага кантролю.

Літ.:

Ермолов И.Н. Теория и практика ультразвукового контроля. М., 1981;

Прохоренко П.П., Мигун Н.П. Введение в теорию капиллярного контроля. Мн., 1988;

Зацепин Н.Н., Коржова Л.В. Магнитная дефектоскопия. Мн., 1981.

М.М.Зацэпін.

т. 6, с. 363

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463

ДА́ЛЬТАН, Долтан (Dalton) Джон (6.9.1766, Іглсфілд, каля г. Уэркінгтан, Вялікабрытанія — 27.7.1844), англійскі хімік і фізік, стваральнік хім. атамістыкі. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1822). Адукацыю атрымаў самастойна. У 1781—93 выкладаў матэматыку ў школе ў Кендалі, з 1793 — фізіку і матэматыку ў Новым каледжы ў Манчэстэры. Адкрыў кратных адносін закон (1803), газавыя законы, названыя яго імем (гл. Дальтана законы). Прапанаваў і абгрунтаваў тэорыю атамнай будовы. ці хім. атамістыку, якая тлумачыла эмпірычны закон пастаянства саставу. Аўтар працы «Новая сістэма хімічнай філасофіі» (т. 1—2, 1808—27). Апісаў дэфект зроку, што атрымаў назву дальтанізм.

Літ.:

Крицман В.А. Роберт Бойль, Джон Дальтон, Лмедео Авогадро. Создатели атомно-молекулярного учения в химии. М., 1976.

т. 6, с. 22