Verbum

КАСМЕ́ТЫКА (ад грэч. kosmētikē майстэрства ўпрыгожваць),

комплекс гігіенічных, лячэбных і дэкар. мерапрыемстваў па падтрыманні прыгажосці цела чалавека ці ліквідацыі касметычных дэфектаў. Адрозніваюць К. ўрачэбную (кансерватыўную і хірург.) і дэкаратыўную.

Урачэбную кансерватыўную К. падзяляюць на прафілакт. (гігіенічную) і лячэбную.

Прызначэнне прафілакт. — барацьба з праявамі старэння арганізма (вяласць скуры, маршчыны). Выкарыстоўвае касметычныя сродкі (ваду, мыла, крэмы, ласьёны). Прызначэнне кансерватыўнай лячэбнай К. — знішчаць вугры, хлаазмы, лячыць ад выпадзення і тлустасці валасоў, празмернага іх росту, ачышчаць скуру твару. Ужывае фізіятэрапеўт. сродкі, вітамінныя і адбельвальныя маскі, масаж і інш. Хірург. К. аперацыйна выпраўляе набытыя або прыроджаныя дэфекты скуры, форму носа, вушэй, узроставыя заганы. Дэкаратыўная К. маскіруе недахопы скуры, валасоў, вейкаў, броваў з выкарыстаннем пудры, румян, крэмаў, фарбаў.

т. 8, с. 148

КРЫШТАЛІ́ЧНАЯ РАШО́ТКА рэгулярнае размяшчэнне часціц (атамаў, іонаў, малекул) у крышталях, якое характарызуецца перыядычнай паўтаральнасцю ў трох вымярэннях. Для апісання К.р. дастаткова ведаць размяшчэнне часціц у элементарнай ячэйцы, паўтарэннем якой шляхам паралельных пераносаў (трансляцый) утвараецца ўся структура крышталя.

У адпаведнасці з сіметрыяй крышталя элементарная ячэйка мае форму паралелепіпеда ці прызмы; памеры рэбраў наз. пастаяннымі або перыядамі К.р. ці (у вектарнай форме) вектарамі трансляцый. Матэм. схемай К.р. з’яўляецца прасторавая рашотка (Бравэ рашоткі). Існаваннем К.р. тлумачыцца анізатрапія ўласцівасцей крышталёў, плоская форма іх граней, пастаянства вуглоў і інш. законы крышталяграфіі. Памеры ячэек і размяшчэнне ў іх часціц вызначаюць пры дапамозе дыфрактаметрычных метадаў аналізу (рэнтгенаграфія, нейтронаграфія, электронаграфія). Структура рэальнага крышталя адрозніваецца ад ідэалізаванай схемы, якая апісваецца паняццем К.р.: у рэальных крышталях маюць месца ваганні крышталічнай рашоткі, дэфекты ў крышталях. Гл. таксама Сіметрыя крышталёў, Крышталяхімія.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 8, с. 528

ЗЛУЧА́ЛЬНАЯ ТКА́НКА,

тканка арганізмаў жывёл і чалавека, якая складаецца з клетак і міжклетачнага рэчыва і ўтварае ўнутр. асяроддзе арганізма. Есць ва ўсіх органах і ў залежнасці ад функцыі мае розную будову. Яе стан і функцыі рэгулююцца нерв. і гумаральнымі механізмамі. Функцыі З.т.: механічная (утварае шкілет, абалонкі і апору ўнутр. органаў, злучае органы), трафічная (пераносіць пажыўныя і інш. рэчывы да функцыянальнай тканкі — парэнхімы і ад адных органаў да другіх), ахоўная (ажыццяўляе ахоўныя запаленчыя рэакцыі арганізма), пластычныя (удзельнічае ў рэгенерацыі, запаўняе дэфекты пры пашкоджанні органаў).

Паводле будовы падзяляецца на касцявую, храстковую, рэтыкулярную (складае аснову крывятворных органаў), тлушчавую і валакністую, якая пранізвае ўсе органы і ўтварае праслойкі паміж асобнымі органамі. У міжклетачным рэчыве валакністай З.т. ёсць валокны калагенавыя (моцныя, не расцягваюцца), эластычныя і тыкулінавыя (пераплятаюцца, утвараюць сетку). Прамежкі паміж валокнамі і клеткамі запоўнены студзінападобным рэчывам. Клеткі З.т.: камбіяльныя, фібрабласты, гістыяцыты, плазматычныя, пігментныя, тлушчавыя і інш.

А.​С.​Леанцюк.

т. 7, с. 77

ІАНІЗАВА́ЛЬНАЕ ВЫПРАМЯНЕ́ННЕ,

патокі элементарных часціц ці эл.-магн. квантаў, узаемадзеянне якіх з асяроддзем даводзіць да іанізацыі яго атамы і малекулы. Напр., ультрафіялетавае, рэнтгенаўскае і гама-выпрамяненне, патокі альфа- і бэта-часціц, пратонаў, нейтронаў і інш. Выкарыстоўваецца ў медыцыне, для стэрылізацыі, пастэрызацыі і захоўвання харч. прадуктаў, фармацэўтычных прэпаратаў і інш.

Зараджаныя часціцы іанізуюць атамы асяроддзя непасрэдна пры сутыкненнях з імі; выбітыя электроны пры наяўнасці дастатковай энергіі таксама могуць іанізаваць (другасная іанізацыя). Пры праходжанні нейтральных часціц (напр., нейтронаў, фатонаў) іанізацыя абумоўлена другаснымі зараджанымі часціцамі, якія ўзнікаюць ад узаемадзеяння першасных часціц з асяроддзем. І.в. разбуральна ўздзейнічае на рэчыва і жывыя арганізмы; многія хім. рэакцыі пад уплывам І.в. ажыццяўляюцца больш лёгка або працякаюць пры значна меншых цісках і т-рах. У выніку дзеяння І.в. можна атрымаць розныя мутацыі мікраарганізмаў і раслін. Гл. таксама Біялагічнае дзеянне іанізавальных выпрамяненняў, Засцярога супраць іанізавальнага выпрамянення, Радыяцыйныя дэфекты, Прамянёвая тэрапія.

А.​В.​Берастаў.

т. 7, с. 138

МЕТАЛАФІ́ЗІКА,

раздзел фізікі цвёрдага цела, які вывучае структуру і ўласцівасці металаў і сплаваў; тэарэт. аснова металазнаўства. Вывучае механізм і кінетыку структурных і фазавых пераўтварэнняў пад уплывам мех., магн., тэрмічных, хім. і інш. уздзеянняў.

Асн. раздзелы М.: мікраскапічная тэорыя металаў (вывучае ўласцівасці на аснове асаблівасцей атамна-крышт. будовы); тэорыя дэфектаў і іх уплыў на ўласцівасці металаў (гл. Дэфекты металаў) тэорыя фаз (вывучае фазавую раўнавагу, пераўтварэнні, гетэрафазныя метал. матэрыялы — сплавы, цвёрдыя растворы; гл. Фаза ў тэрмадынаміцы). Задача М. — стварэнне матэрыялаў з зададзенымі фіз.-мех. ўласцівасцямі на аснове фундаментальных сувязей састаў — структура — уласцівасці метал. матэрыялаў.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. праводзяцца з 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац. АН, БДУ, БПА.

Літ.:

Уманский Я.С., Скаков Ю.А. Физика металлов: Атом, строение металлов и сплавов. М., 1978;

Физическое металловедение. Т. 1—3. М., 1987.

А.​Г.​Анісовіч.

т. 10, с. 305

МОНАКРЫШТА́ЛЬ (ад мона... + крышталі),

асобны крышталь з адзінай неперарыўнай крышт. рашоткай. Характэрная асаблівасць М. — залежнасць большасці яго фіз. уласцівасцей ад напрамку (анізатрапія). Усе яго фіз. ўласцівасці (эл., магн., аптычныя, акустычныя, мех. і інш.) звязаны паміж сабой і абумоўлены крышт. структурай, сіламі сувязі паміж атамамі і энергет. спектрам электронаў (гл. Зонная тэорыя).

Многія М. маюць асаблівыя фіз. ўласцівасці: алмаз вельмі цвёрды, сапфір, кварц, флюарыт — надзвычай празрыстыя, ніткападобныя крышталі карунду рэкордна моцныя. Многія М. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (святла, мех. напружанняў, магн. і эл. палёў, радыяцыі і інш.) і выкарыстоўваюцца як пераўтваральнікі ў квантавай электроніцы, радыёэлектроніцы, лазернай фізіцы, акустыцы і інш. Прыродныя М. трапляюцца рэдка, найчасцей маюць малыя памеры і вял. колькасць дэфектаў структуры (гл. Дэфекты ў крышталях) Таму ў электронным прыладабудаванні выкарыстоўваюць штучныя М. з дасканалай крышт. структурай, зададзенымі ўласцівасцямі і памерамі (гл. Сінтэтычныя крышталі). Створана вял. колькасць сінтэтычных М., якія не маюць прыродных аналагаў.

Літ.:

Лодиз Р.А., Паркер Р.Л. Рост монокристаллов: Пер. с англ. М., 1974;

Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М., 1978.

т. 10, с. 517

ДЫСЛАКА́ЦЫІ ў крышталях,

трансляцыйныя лінейныя дэфекты ў крышталях; лініі, уздоўж і паблізу якіх парушана рэгулярнае размяшчэнне атамных плоскасцей. Могуць выходзіць на паверхню, замыкацца (утвараць дыслакацыйную пятлю), разгаліноўвацца, не абрываюцца ўнутры крышталя. Сярэдняя колькасць ліній Д., што праходзяць праз сячэнне адзінкавай плошчы, вызначае дыслакацыйную шчыльнасць.

У простай кубічнай рашотцы бываюць 2 тыпы Д. — краявая і вінтавая; у больш складаных структурах паміж гэтымі гранічнымі тыпамі могуць існаваць прамежкавыя (напр., у рашотцы алмазу бывае 10 тыпаў Д.). Краявыя Д. — лініі, уздоўж якіх унутры крышталя абрываецца край лішняй атамнай паўплоскасці. Вінтавыя Д. ўтвараюцца ў выніку зруху на перыяд рашоткі адной часткі крышталя адносна другой уздоўж некаторай атамнай паўплоскасці паралельна яе краю. Пры абходзе вакол лініі Д. па вузлах рашоткі ўзнікае незамкнёнасць контуру, якая характарызуецца вектарам Бюргерса $\overrightarrow{b}$. Даўжыня вектара $\overrightarrow{b}$ роўная аднаму з трансляцыйных перыядаў рашоткі, а напрамак залежыць ад напрамку абходу контуру. Для краявой Д. вектар датычнай L да яе лініі і вектар $\overrightarrow{b}$ перпендыкулярныя, для вінтавой — паралельныя. Існуюць 2 спосабы перамяшчэння Д. па крышталі: слізганне (абумоўлена разрывам і перазлучэннем міжатамных сувязей уздоўж лініі Д.) і перапаўзанне (атамная рэканструкцыя краю лішняй паўплоскасці). У рэальных крышталях Д. — ломаныя лініі, якія складаюцца з участкаў (сегментаў) розных тыпаў. Пры збліжэнні двух Д. аднатыпныя сегменты 3 паралельнымі вектарамі Бюргерса адштурхоўваюцца, а з антыпаралельнымі — прыцягваюцца, і адбываецца «анігіляцыя» сегментаў. Узнікненне Д. абумоўлена пластычнай дэфармацыяй крышталя ў працэсе яго росту або далейшых тэрмаапрацовак. Д. ў крышталі знаходзіцца ў полі пругкіх напружанняў. Пры павелічэнні пластычнай дэфармацыі расце колькасць Д., іх палі перакрываюцца і слізганне ўскладняецца (дэфармацыйнае ўмацаванне). Рух і ўзаемадзеянне Д. вызначаюць змяненне формы крышталя і яго ўласцівасцей. У кавалентных крышталях (германій, крэмній, алмаз) Д. маюць абарваныя хім. сувязі; кожная разарваная (ненасычаная) сувязь можа выступаць як цэнтр захопу электрона. У кавалентных і іонных крышталях Д. праяўляюць сябе ў фотапругкасці, люмінесцэнцыі, анізатрапіі электраправоднасці і інш. Акрамя Д. у крышталях бываюць ратацыйныя лінейныя дэфекты — дысклінацыі (парушэнні сіметрыі напрамкаў).

Літ.:

Судзуки Т., Ёсинага Х., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность: Пер. с яп. М., 1989;

Дроздов Н.А., Патрин А.А., Ткачев В.Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в Журн. экспер. и теорет. физики. 1976. Т. 23, № 11.

М.​А.​Драздоў, М.​А.​Паклонскі.

т. 6, с. 293

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

АЛІГАФРЭНІ́Я (ад аліга... + грэч. phrēn розум),

разумовая недаразвітасць, прыроджаная ці набытая ў першыя гады жыцця дзіцяці. Прычыны: паталогія на ўзроўні генаў і храмасом, неспрыяльнае ўздзеянне экзагенна-арган. фактараў на мозг зародка, плода дзіцяці (алкагалізм бацькоў, таксікозы, асфіксія пры родах, нейраінфекцыі, чэрапна-мазгавыя траўмы і інш.). Найб. тыповыя прыкметы алігафрэніі — недаразвіццё абстрактна-лагічнага мыслення, зніжэнне памяці, малы запас слоў. Інтэлектуальная недастатковасць часта спалучаецца з заганамі развіцця органаў, сістэм, будовы цела. Адрозніваюць лёгкую, сярэднюю, цяжкую і глыбокую алігафрэнію

Дзеці з лёгкай ступенню разумовай адсталасці (дэбільныя) у стане авалодаць праграмай дапаможнай школы, моўнымі навыкамі і нескладанымі прафесіямі; каэф. інтэлектуальнага развіцця 50—69 балаў. Да сярэдняй ступені разумовай адсталасці (імбецыльнасць) адносяцца дзеці з каэф. інтэлектуальнага развіцця 35—49 балаў, здольныя авалодаць толькі элементамі мовы і навыкамі самаабслугоўвання. Сістэматычная вучэбная і прац. дзейнасць недаступная. Дарослыя самастойна жыць не могуць. Пры цяжкай ступені разумовай адсталасці (каэф. інтэлектуальнага развіцця 20—34 балы) інтэлектуальная недастатковасць больш выяўлена, парушана маторыка, ёсць фіз. дэфекты. Хворыя з глыбокай разумовай адсталасцю (ідыятыя) не маюць вышэйшых псіх. функцый, мова не развіваецца, увага не засяроджваецца, рэакцыя рэзка зніжана; каэф. інтэлектуальнага развіцця ніжэй за 20 балаў. Патрабуюць пастаяннага догляду. Лячэнне алігафрэніі сімптаматычнае.

Ф.​М.​Гайдук.

т. 1, с. 255

ДЗІЦЯ́ЧЫЯ ХВАРО́БЫ,

група хвароб, што бываюць выключна ці пераважна ў дзяцей і звязаны з асаблівасцямі развіцця іх арганізма. Ва ўлонні маці ўзбуджальнікі інфекц. хвароб (таксаплазмоз, сіфіліс, сываратачны гепатыт, цытамегалія і інш.) праз плацэнту хворай маці пашкоджваюць унутр. органы і ц. н. с. Да заган развіцця плода прыводзіць і ўздзеянне на арганізм маці фіз., хім., біял. фактараў. Пры родах парушэнне кровазвароту ў плацэнце выклікае асфіксію, магчымы родавыя траўмы, заражэнне плода. У нованароджаных (да 4 тыдняў) бываюць хваробы, звязаныя з родамі (траўмы, кровазліццё ў мозг, неданошанасць), і выяўляюцца асн. недахопы развіцця плода. Яны асабліва адчувальныя да гнаяроднай інфекцыі, пераахаладжэнняў, хварэюць на сепсіс і запаленне лёгкіх. У грудным узросце бываюць гіпатрафія, паратрафія, анемія, дыятэз, рахіт, спазмафілія. Дзеці да 7 гадоў пераважна хварэюць на вострыя дзіцячыя інфекцыі — адзёр, коклюш, воспу ветраную, шкарлятыну, дыфтэрыю. У дзяцей малодшага школьнага ўзросту (7—12 гадоў) бываюць гэтыя і інфекц.-алергічныя хваробы — рэўматызм, астма бранхіяльная, нефрыты. У сярэднім і старэйшым школьным узросце (12—17 гадоў) найчасцей расстройствы нерв. і сардэчна-сасудзістай сістэм, парушэнні абмену рэчываў, дысфункцыя эндакрынных залоз, абвастрэнне інфекц.-алергічных хвароб. туберкулёзу, рэўматызму. З пачаткам палавой спеласці выяўляюцца дэфекты развіцця палавых органаў.

Р.​У.​Дэрфліо.

т. 6, с. 122