Verbum

радыяцыйныя дэфекты

т. 13, с. 244

ДЭФЕ́КТЫ МЕТАЛАЎ,

недасканаласці (парушэнні) будовы металаў і сплаваў (пераважна рэгулярнай крышт. структуры), якія пагаршаюць іх фіз.-мех. ўласцівасці. Дэфектамі лічацца адхіленні ад нармальнай (прадугледжанай тэхн. ўмовамі, стандартамі) якасці металу па хім. саставе, структуры, суцэльнасці, стане паверхні, якія вядуць да зніжэння сортнасці або забракоўкі вырабаў. Выяўляюць Д.м. метадамі дэфектаскапіі, металаграфіі, рэнтгенаструктурным аналізам і інш., ліквідуюць найчасцей тэрмічнай апрацоўкай.

Адрозніваюць Д.м.: тонкай структуры (вакансіі, дыслакацыі і інш., гл. Дэфекты ў крышталях), мікрадэфекты (дэндрыты, мікрапоры, мікратрэшчыны, мікрапузыры газаў, плёны, неправары і інш., выяўляюцца аптычнымі мікраскопамі); макрадэфекты (валасавіны, трэшчыны, поры, газавыя пузыры, умяціны, драпіны, ірваніны і інш.). Д.м. узнікаюць з-за недасканаласці або парушэнняў тэхнал. працэсаў пры плаўленні металаў і атрыманні адлівак (неметал. ўключэнні, шлакавіны, усадачная і газавая порыстасць, ракавіны і г.д.), пры апрацоўцы ціскам (расслаенні, заковы, валасавіны, флокены і г.д.), пры тэрмічнай, хімікатэрмічнай, электрахім. і мех. апрацоўцы (трэшчыны, прыпяканні, абезвугляроджванні і г.д.), пры зварцы, паянні, кляпанні (неправары, непрапаі, карозія і г.д.). Дэфекты ў паўфабрыкатах і гатовых вырабах могуць узнікаць таксама пры транспарціроўцы, захоўванні і эксплуатацыі (напр., карозія металаў). Высокая якасць металаў і вырабаў з іх забяспечваецца ўдасканаленнем тэхналогіі вытв-сці і метадаў кантролю іх якасці.

т. 6, с. 364

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.М.Шахлевіч.

т. 6, с. 364

ДЭФЕ́КТ (лац. defectus),

недахоп чаго-н., загана. Гл., напр., Дэфект мас, Дэфекты металаў.

т. 6, с. 363

ОТАРЫНАЛАРЫНГАЛО́ГІЯ [ад грэч. us, ōtos вуха + rhis (rhinos) нос + larynx (laryngos) гартань + ...логія],

галіна клінічнай медыцыны, якая вывучае нармальную функцыю і хваробы вуха, носа, горла; распрацоўвае метады дыягностыкі, лячэння і прафілактыкі. У О. вылучаюць 3 кірункі: аталогія, рыналогія, фарынгаларынгалогія. Асобна вылучаюць сурдалогію (дэфекты слыху, іх лячэнне), фоніятрыю (дэфекты голасу і іх лячэнне) і отанеўралогію.

Агульныя ўяўленні пра будову, функцыі і захворванні вуха і верхніх дыхальных шляхоў вядомы ўжо ў працах Гіпакрата, Цэльса, Галена. У Расіі першая кафедра хвароб вуха, горла і носа адкрыта праф. М.П.Сіманоўскім у 1893 у Пецярбургскай ваенна-мед. акадэміі.

На Беларусі першая кафедра ЛОР-хвароб адкрыта ў Мінскім мед. ін-це (1925), якую ўзначальваў С.М.Бурак; кафедры О. ёсць у Віцебскім і Гродзенскім мед. ін-тах. Вядучыя спецыялісты: В.Я.Гапановіч, Р.Х.Карпілаў, М.П.Кніга, У.Дз.Мяланын, Г.М.Смердаў, П.А.Цімашэнка, М.Ц.Яўстаф’еў.

Літ.:

Руководство по оториноларингологии. М., 1994;

Тугоухость. М., 1978.

І.А.Склют.

т. 11, с. 457