Verbum

ДЫНАМІ́ЧНАЯ ГАЛАГРА́ФІЯ,

галіна галаграфіі, у якой разглядаюцца заканамернасці пераўтварэння і апрацоўкі хвалевых палёў на аснове нелінейнага ўзаемадзеяння з рэчывам некалькіх кагерэнтных хваль. Выкарыстоўваецца для стварэння аптычных, оптаэлектронных і інтэгральна-аптычных элементаў з вял. хуткадзеяннем, лазераў з размеркаванай адваротнай сувяззю і інш.

Д.г. сфарміравалася як навук. кірунак у выніку сінтэзу ідэй класічнай галаграфіі і нелінейнай оптыкі; заснавана на ўзаемадзеянні некалькіх кагерэнтных хваль, якое ўзнікае пры праходжанні іх праз нелінейнае асяроддзе (крышталь, паўправаднік, вадкасць, пара металаў і інш.). Напр., 2 (ці больш) кагерэнтныя пучкі святла падаюць на паверхню нелінейнага асяроддзя пад аднолькавымі вугламі да яе і перасякаюцца ў ім. Створаная інтэрферэнцыйная карціна запісваецца ў асяроддзі ў выглядзе перыяд. структуры (рашоткі), на якой гэтыя ж пучкі дыфрагуюць (самадыфракцыя), што змяняе параметры пучкоў, і таму запісаная рашотка таксама змяняецца па глыбіні асяроддзя. Галаграмы запісваюцца ў асяроддзях з рознымі тыпамі нелінейнасці (рэзананснай, стрыкцыйнай, камбінацыйнай і інш.). Д.г. пашырае магчымасці кіравання светлавымі пучкамі, рэалізуе новыя прынцыпы рэгістрацыі і ўзнаўлення эл.-магн. хваль.

На Беларусі даследаванні па Д.г. распачаты ў 1968 у Ін-це фізікі Нац. АН пад кіраўніцтвам А.​С.​Рубанава і Б.​І.​Сцяпанава. Адкрыта новая фіз. з’ява — абарачэнне хвалевага фронту (1970, пры 4-хвалевым узаемадзеянні; 1978, пры суперлюмінесцэнцыі). Работы ў галіне Д.г. і яе дастасаваннях вядуцца ў Ін-тах фізікі, электронікі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац. АН, БДУ і інш.

А.​С.​Рубанаў.

т. 6, с. 285

ВА́ДКІЯ КРЫШТАЛІ́,

стан рэчыва, прамежкавы паміж цвёрдым крышталічным і ізатропным вадкім. Характарызуецца цякучасцю і поўнай ці частковай адсутнасцю трансляцыйнага парадку ў структуры пры захаванні арыентацыйнага парадку ў размяшчэнні малекул (гл. Далёкі і блізкі парадак). Вадкія крышталі маюць пэўны тэмпературны інтэрвал існавання.

Пераходы цвёрдага крышталічнага рэчыва ў вадкі крышталь і далей у ізатропную вадкасць і адваротныя працэсы з’яўляюцца фазавымі пераходамі. Паводле спосабу атрымання вадкія крышталі падзяляюцца на ліятропныя (утвараюцца пры растварэнні шэрагу злучэнняў у ізатропных вадкасцях; напр., сістэма мыла — вада) і тэрматропныя (узнікаюць пры плаўленні некаторых рэчываў). Па арганізацыі малекулярнай структуры адрозніваюць вадкія крышталі нематычныя (з вылучаным напрамкам арыентацыі малекул — дырэктарам і адсутнасцю трансляцыйнага парадку), смектычныя (з пэўнай ступенню трансляцыйнага парадку — слаістасцю) і халестэрычныя (нематычныя, у якіх дырэктары сумежных слаёў утвараюць паміж сабою вугал, з-за чаго ўзнікае вінтавая структура). Узаемная арыентаванасць малекул абумоўлівае анізатрапію фіз. уласцівасцей вадкіх крышталёў: пругкасці, электраправоднасці, магн. успрымальнасці, дыэлектрычнай пранікальнасці і інш., што выкарыстоўваецца для выяўлення і рэгістрацыі фіз. уздзеянняў (эл. і магн. палёў, змены т-ры і інш.). Многія арган. рэчывы чалавечага арганізма (эфіры халестэрыну, міэлін, біямембраны) знаходзяцца ў стане вадкіх крышталёў.

Вадкія крышталі выкарыстоўваюцца ў інфарм. дысплеях (калькулятары, электронныя гадзіннікі, вымяральныя прылады і інш.), пераўтваральніках відарысаў, прыладах цеплабачання, мед. тэрмаіндыкатарах і інш. На Беларусі даследаванні вадкіх крышталёў праводзяцца ў БДУ, Мінскім і Віцебскім мед. ін-тах, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, навук.-вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і інш.

Літ.:

Чандрасекар С. Жидкие кристаллы: Пер. с англ. М., 1980;

Текстурообразование и структурная упорядоченность в жидких кристаллах. Мн., 1987.

В.​І.​Навуменка.

т. 3, с. 439

АЛМА́ЗНАЯ ПРАМЫСЛО́ВАСЦЬ,

галіна горнай прам-сці па здабычы і апрацоўцы алмазаў, а таксама вытв-сці сінт. алмазаў.

Апрацоўка алмазаў існуе са старажытнасці. Алмазы былі вядомы ў Індыі з 8—7 ст. да н.э. У пач. 18 ст. яны знойдзены ў Бразіліі, у 1829 — у Расіі (на Урале), у 1866 — у Паўд. Афрыцы. З канца 19 — пач. 20 ст. Афрыка стала асн. алмазаздабыўным рэгіёнам свету. З 1955 пачалася прамысл. здабыча алмазаў у Якуціі. Аульныя запасы алмазнай сыравіны ацэньваюцца больш як у 2 млрд. каратаў (І кар — 200 мг), найб. ў Заіры, ПАР, Батсване, Анголе, Гане, Намібіі, Аўстраліі.

Па здабычы ювелірных алмазаў 1-е месца ў свеце займае Афрыка, каля палавіны тэхн. алмазаў здабываецца ў Аўстраліі. Асн. вытворцы ювелірных алмазаў — Паўд. Афрыка, Батсвана, Расія, Намібія і Ангола. Каля 80% сусв. здабычы алмазаў кантралюе найбуйнейшая ў галіне кампанія «Дэ Бірс кансалідэйтэд майнс». Збыт прыродных алмазаў на сусв. рынку ажыццяўляе манапаліст — Алмазны сіндыкат. Каля 100% ювелірнай сыравіны, якая паступае на рынак, перапрацоўваецца ў брыльянты. Ювелірныя алмазы апрацоўваюцца пераважна ў Амстэрдаме, Тэль-Авіве, Бамбеі, Нью-Йорку. Сінтэтычныя алмазы (памеры 0,01—1,2 мм) вырабляюць Расія і некат. краіны Усх. Еўропы, амер. кампанія «Джэнерал электрык», прадпрыемствы кампаніі «Дэ Бірс», у ПАР, Ірландыі і Швецыі, а таксама японскія, герм. і інш. фірмы. Сучасная штогадовая вытв-сць сінт. алмазаў ацэньваецца ў 150 млн. кар; за іх кошт на 75% забяспечваецца выраб алмазнага інструменту. На Беларусі арг-цыямі ВА «Беларусьгеалогія» вядзецца пошук алмазаў. У 1980—90 выяўлены алмазаносныя кімберліт-лампраітавыя пароды на ПдУ рэспублікі. Знойдзены 3 крышталі алмазаў. На прывазной сыравіне наладжана апрацоўка алмазаў у Гомелі (прадпрыемства «Крышталь»).

т. 1, с. 264

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363

НЯСВІ́ЖСКІ ПАЛА́ЦАВА-ПА́РКАВЫ КО́МПЛЕКС,

помнік архітэктуры 16—18 ст. у г. Нясвіж Мінскай вобл. Закладзены ў 1583 кн. М.​К.​Радзівілам Сіроткам на ПдЗ ад горада на месцы драўлянага замка 1533. У пачатку буд-ва (да 1599) удзельнічаў італьян. арх. Дж.​Бернардоні. У першапач. выглядзе адлюстраваны на гравюры Т.​Макоўскага пач. 17 ст. Замак меў у плане форму чатырохвугольніка памерамі 170 × 120 м, быў абкружаны высокім земляным валам з бастыёнамі па вуглах, вадзяным ровам (унутр. кальцо), шырокай дарогай з невысокім земляным насыпам (гласісам) з вонкавага боку і штучнымі вадаёмамі на р. Уша (вонкавае кальцо). Вал (выш. да 20 м) абмураваны каменем, уверсе пераходзіў у мураваны бруствер з дадатковымі ўмацаваннямі, унутры вала былі мураваныя стайні і 4 патаемныя ўваходы. У 17 ст. па вуглах бастыёнаў пабудаваны 4 абарончыя вежы (вядомыя па інвентарах). Падыход да замка з З быў умацаваны трохвугольным шанцам, да якога вялі 2 пад’язныя дарогі. Уздоўж гал. восі знаходзіліся мураваная брама з рассоўным мостам і 3-павярховы палац з 8-граннымі вуглавымі вежачкамі. Злева ад брамы стаяў 2-павярховы гасп. корпус, справа — 3-павярховая казарма з вял. дазорнай вежай. У 1706 замак разбураны шведамі. Адноўлены і перабудаваны ў стылі барока пасля 1726 арх. К.​Ждановічам (у 1740 пабудаваў таксама палацавую капліцу). У 18 ст. ў буд-ве палаца ўдзельнічалі арх. М.​Педэці (у 1748—52), М.​Фларыяновіч (1775—78), К.​Спампані (1778—79), А.​Лоцы (1783, праект галерэі). Мураваныя бастыёны заменены землянымі ўмацаваннямі. Паводле інвентара 1767, замак складаўся з палаца і дапаможных карпусоў абапал уязной брамы. Палац — 3-павярховы прамавугольны ў плане будынак, накрыты дахоўкай і завершаны круглай у плане купальнай ратондай, у якой знаходзіўся гадзіннікавы звон. На гал. фасадзе меў галерэю, аздобленую балюстрадай з меднымі пазалочанымі парэнчамі. У ніжнім паверсе палаца размяшчаліся службовыя памяшканні, 2 лазні і інш. Верхнія паверхі займалі княжацкія апартаменты з вял. колькасцю парадных і жылых памяшканняў. У інтэр’ерах былі кафляныя і фаянсавыя печы, упрыгожаныя лепкай са стука, каміны з метал. геральдычнымі выявамі. Сцены аздаблялі дубовыя разныя панэлі, палатняныя і скураныя шпалеры ў ляпных пазалочаных рамах. Ляпная столь была пакрыта пазалотай і размалёўкай. Мэбля інкруставаная і размаляваная, упрыгожаная маст. тканінамі. Падлога з дубовага наборнага паркету. Вял. значэнне ў ансамблі інтэр’ера мелі творы жывапісу (партрэты, абразы, карціны на гіст. сюжэты), дэкар.-прыкладнога мастацтва (калекцыя саксонскага фарфору, размаляваны золатам шкляны посуд, крышталь, вырабы радзівілаўскіх мануфактур і інш.). Асабліва багатай аздобай вызначаліся парадныя залы і галерэі (збройная, партрэтная, мармуровая, залатая, гетманская, бібліятэчная). У браме (наверсе быў гадзіннік) размяшчаліся кардэгарда (у ніжнім ярусе), памяшканні архіва (у верхнім ярусе). Дапаможныя карпусы абапал брамы ўключалі шэраг жылых і гасп. памяшканняў, майстэрні, кухні, скляпы, скарбніцы і інш., а таксама замкавую капліцу з асн. памяшканнем, сакрысціяй, званіцай і кругавой галерэяй для літургічных працэсій. У капліцы былі фаянсавыя і разныя драўляныя алтары, амбон са штучнага мармуру. Скляпенні былі аздоблены размалёўкай на біблейскія сюжэты. Злева і справа ад замкавай брамы па-за межамі ўмацаванняў каля ставоў існавалі 2 комплексы жылых, гасп. і вытв. пабудоў (жыллё прыслугі, свірны, стайні, вазоўні, парахавая і карэтная майстэрні, кузня і інш.). Каля аднаго з іх стаяў Нясвіжскі тэатр Радзівілаў. У замкавых бастыёнах былі арсеналы, алькежы і каморы.

Пры перабудове гал. палацавага корпуса надбудаваны 4-ы паверх, завершаны трохвугольным франтонам з рэльефным стукавым дэкорам. Перабудаваныя бакавыя карпусы злучаны з гал. корпусам 3-павярховымі жылымі будынкамі, а з уязной брамай (у 2-й пал. 18 ст. завершана вежай) — галерэямі. У выніку палац набыў замкнёную па перыметры поліганальную форму, блізкую да пяцівугольніка. Фасады, арыентаваныя на ўнутр. двор, аздоблены пілястрамі вял. ордэра і вырашаны ў 2 колеры. 8-гранныя вежы (дазорная і над брамай) накрыты шлемападобнымі купалкамі з галоўкамі. У 1809 комплекс рэстаўрыраваны арх. М.​Цэйзікам. Часткова захаваліся багатыя калекцыі твораў мастацтва, зброі, сямейныя партрэты, б-ка, архіў, а таксама аздоба інтэр’ераў. З 1945 у замку размешчаны санаторый «Нясвіж». Паркі пейзажнага тыпу закладзены ў 1879 у пойме р. Уша. Пл. з вадаёмамі каля 100 га. Складаюцца з 5 аўтаномных ландшафтных зон, кожная з якіх мае завершаную кампазіцыю. Ставамі Замкавым і Дзікім паркі падзяляюцца на права- і левабярэжную часткі. На правабярэжнай знаходзяцца палац і замак з фрагментам парку (Замкавы парк) і Стары («англійскі») парк з «японскім» садам. У замкава-палацавы фрагмент уключаны рэшткі бастыёнаў, напоўненыя вадой равы, валы, азялененыя дворыкі, на бастыёнах — альтанкі. З дэкар. упрыгожанняў — стары ’калодзеж у стылі барока з дэталямі маст. коўкі і скульптура «Амур з чашай». Да Замкавага парку прылягае Стары парк з маляўнічымі палянамі, дэкар. групамі дрэў, памятнымі камянямі і архітэктурай малых форм. У пач. 20 ст. за Старым паркам створаны «японскі» сад з паплавамі. У левабярэжнай ч. — Новы (Марысін) парк з т.зв. іпадромам. Афармляў паркі садавод-дэкаратар А.​Пастарэмчак. У 1913—14 праведзены работы па паляпшэнні паркавых ландшафтаў. У парках растуць елкі звычайная і Энгельмана, лістоўніцы даурская і сібірская, хвоі веймутава і чорная і інш. У 1985—91 паводле праекта, распрацаванага ін-там «Мінскпраект» (гал. арх. І.​Жлоба), праведзены чысткі вадаёмаў, адваднога канала, асушэнне вільготных тэрыторый, адноўлены асобныя планіровачныя вузлы і ўчасткі, малыя арх. формы, асн. ландшафтныя кампазіцыі. У 1990-я г. ў парку ўстаноўлены бюсты кн. Ю.​Нясвіжскага, У.​Сыракомлі, Дж.​М.​Бернардоні (усе скульпт. С.​Гумілеўскі), кн. М.​К.​Радзівіла Сіроткі, Т.​Макоўскага, Я.​Коласа (усе скульпт. М.​Канцавы), скульптуры «Дама ў чорным» (скульпт. Л.​Давідзенка) і інш., 3 вазы з сімваламі: «1794. За нашу і вашу волю. 1863», «1410. Грунвальд», «Gloria victoria».

В.​Р.​Анціпаў, М.​А.​Ткачоў, Ю.​А.​Якімовіч.

т. 11, с. 418