Verbum

АНТРАЦЭ́Н,

араматычны вуглевадарод C₁₄H₁₀. Мал. м. 178,24. Жоўтыя крышталі з блакітнай флуарэсцэнцыяй, t_пл 216 °C; растваральны ў спірце, эфіры, ацэтоне, нерастваральны ў вадзе. У высакачыстым стане — паўправаднік. Уступае ў рэакцыі далучэння з дыенафіламі, галагенамі, кіслародам, шчолачнымі металамі і інш. Атрымліваюць з каменнавугальнай смалы. Выкарыстоўваюць для вытв-сці антрахінонавых фарбавальнікаў, монакрышталі — для сцынтыляцыйных лічыльнікаў. Антрацэн раздражняе скуру і слізістыя абалонкі дыхальных шляхоў і вачэй.

т. 1, с. 393

ДЫЁД,

прылада з аднабаковай праводнасцю эл. току. Бываюць электравакуумныя, іонныя і паўправадніковыя. Выкарыстоўваецца ў радыёэлектроніцы, энергетыцы для пераўтварэння (выпрамлення) пераменнага току ў пастаянны, для пераўтварэння ваганняў або частот, пераключэння эл. ланцугоў і інш.

Электравакуумныя і іонныя Д. маюць катод (крыніцу электронаў) і анод (прыёмнік электронаў). Пры дадатным напружанні на анодзе паміж электродамі праходзіць эл. ток, пры адмоўным — току няма. Асн. разнавіднасці сілавых Д.: кенатрон і газатрон. Работа паўправадніковых дыёдаў засн. на нелінейных уласцівасцях электронна-дзірачнага пераходу або кантакту метал—паўправаднік. Гл. таксама Гана дыёд, Шоткі дыёд.

т. 6, с. 276

АКУСТАЭЛЕКТРЫ́ЧНЫ ЭФЕ́КТ,

узнікненне пастаяннага току ці электрарухальнай сілы ў праводным асяроддзі (метал, паўправаднік) пад уздзеяннем бягучай ультрагукавой (УГ) хвалі. Адкрыты Г.Вайнрахам і Х.Дж.Уайтам (ЗША, 1957) у монакрышталях германію. Паяўленне эл. току звязана з перадачай імпульсу (і адпаведна энергіі) ад гукавой хвалі электронам праводнасці. Пад уздзеяннем УГ хвалі ў правадніку ўзнікаюць лакальныя эл. палі, якія распаўсюджваюцца разам з хваляй і захопліваюць носьбіты зараду, што прыводзіць да ўзнікнення акустаэл. току. Акустычны эфект адносіцца да нелінейных эфектаў (гл. Нелінейная акустыка). Выкарыстоўваецца для вымярэння магутнасці УГ сігналу, частотных характарыстык УГ пераўтваральнікаў, для даследавання эл. уласцівасцяў паўправаднікоў.

У.М.Белы.

т. 1, с. 218

КРЭ́МНІЮ КАРБІ́Д, карбарунд,

хімічнае злучэнне крэмнію з вугляродам, SiC.

Бясколерныя крышталі з алмазным бляскам (пры наяўнасці прымесей мае зялёны, цёмна-шэры ці чорны колер). Тугаплаўкі (t_пл 2830 °C, плавіцца з раскладаннем); па цвёрдасці саступае толькі алмазу і карбіду бору; паўправаднік. Хімічна ўстойлівы: не ўзаемадзейнічае з к-тамі (акрамя канцэнтраваных плавікавай і азотнай), растворамі шчолачаў. Атрымліваюць узаемадзеяннем дыаксіду крэмнію з вугалем пры 1600—2800 °C, крэмнію з вугляродам пры т-ры вышэй за 1150 °C. Выкарыстоўваюць як абразіўны матэрыял для шліфавальных кругоў, брускоў, як кампанент вогнетрывалых матэрыялаў, для вырабу варыстараў, паўправадніковых дыёдаў і фотадыёдаў.

т. 8, с. 540

КАНТА́КТНАЯ РО́ЗНАСЦЬ ПАТЭНЦЫЯ́ЛАЎ,

рознасць патэнцыялаў паміж праваднікамі з рознай работай выхаду, якія знаходзяцца ў электрычным кантакце, ва ўмовах раўнавагі тэрмадынамічнай.

Пры кантакце двух праваднікоў паміж імі адбываецца абмен электронамі праводнасці. У выніку праваднік з меншай работай выхаду зараджаецца дадатна, з большай — адмоўна. У вобласці кантакту ўзнікае эл. поле, накіраванае так, што патокі электронаў у абодвух напрамках ураўнаважваюцца, і ўстанаўліваецца пастаянная К.р.п. Яна роўная рознасці работ выхаду праваднікоў. аднесенай да зараду электрона. К.р.п. залежыць ад прыроды правадніка, стану яго паверхні і можа дасягаць некалькіх вольт. На існаванні К.р.п. грунтуецца работа важнейшых элементаў паўправадніковай электронікі: p—n пераходаў і кантактаў метал—паўправаднік; яна выкарыстоўваецца для прамога пераўтварэння цеплавой энергіі ў электрычную; яе трэба ўлічваць пры канструяванні электравакуумных прылад.

Р.М.Шахлевіч.

т. 7, с. 603

НЕКРАШЭ́ВІЧ (Ілья Рыгоравіч) (2.3.1905, г. Мазыр Гомельскай вобл. — 18.11.1993),

бел. фізік, адзін з заснавальнікаў навук. школы па фізіцы плазмы. Праф. (1960). Засл. дз. нав. Беларусі (1972). Скончыў БДУ (1927) і Маскоўскі ун-т (1930). У 1930—41 і з 1945 у БДУ (з 1937 і 1945 заг. кафедры), адначасова ў 1932—37 і 1946—69 у Фізікатэхн. ін-це АН Беларусі (у 1946—67 заг. лабараторыі). Навук. працы па цвердацельнай электроніцы, фізіцы і тэхніцы плазмы. Даследаваў механізм электронных працэсаў у кантактах металаў з паўправаднікамі і газаразраднай плазмай, выявіў частотную інверсію выпрамлення пераменных токаў высокай частаты кропкавым кантактам паўправаднік-метал. Стварыў (з І.А.Бакутам) т.зв. міграцыйную тэорыю эл. эрозіі.

Тв.:

Частотная залежнасць уніпалярнай правадзімасці кантактаў // Весці АН БССР. 1948. № 6;

Об особенностях электрической эрозии пористых электродов (разам з І.А.Бакутам, М.К.Міцкевічам) // Сб. науч. тр. Физико-техн. ин-та АН БССР. 1956. Вып. 3.

т. 11, с. 279

ГЕРМА́НІЙ (лац. Germanium),

Ge, хімічны элемент IV групы перыядычнай сістэмы, ат. н. 32, ат. м. 72,59. Прыродны складаецца з 5 стабільных ізатопаў, найб. колькасць ​⁷⁴Ge (36,54%). У зямной кары 1,5·10​⁻⁴% па масе. Належыць да рассеяных элементаў. Адкрыты ў 1886 К.А.Вінклерам, названы ім у гонар яго радзімы (Германія).

Цвёрдае крохкае рэчыва серабрыстага колеру з метал. бляскам, t_пл 938,25 °C, шчыльн. 5323 кг/м³ (25 °C), шчыльн. вадкага 5557 кг/м³ (1000 °C). Паўправаднік, шырыня забароненай зоны 0,66 эВ. Пры звычайных умовах устойлівы да ўздзеяння вады, кіслароду, разбаўленых к-т. Узаемадзейнічае з азотнай к-той, царскай гарэлкай, растворамі шчолачаў у прысутнасці акісляльніку (утварае солі германаты, пры награванні — з большасцю неметалаў. У паветры пры 700 °C акісляецца да германію дыаксіду. Пры сплаўленні з металамі ўтварае германіды — крохкія цвёрдыя рэчывы з метал. бляскам (напр., германід цырконію Zi₅Ge₃, t_пл 2330 °C). Атрымліваюць з пабочных прадуктаў пры перапрацоўцы руд каляровых металаў, з попелу некаторых відаў вугалю, адходаў коксахім. вытв-сці. Выкарыстоўваюць у паўправадніковай тэхніцы для вырабу дыёдаў, транзістараў, тэрма- і фотарэзістараў; як кампанент сплаваў, матэрыял для лінзаў у прыладах інфрачырвонай тэхнікі і дэтэктараў іанізавальнага выпрамянення.

І.В.Боднар.

т. 5, с. 177

ДЫНАМІ́ЧНАЯ ГАЛАГРА́ФІЯ,

галіна галаграфіі, у якой разглядаюцца заканамернасці пераўтварэння і апрацоўкі хвалевых палёў на аснове нелінейнага ўзаемадзеяння з рэчывам некалькіх кагерэнтных хваль. Выкарыстоўваецца для стварэння аптычных, оптаэлектронных і інтэгральна-аптычных элементаў з вял. хуткадзеяннем, лазераў з размеркаванай адваротнай сувяззю і інш.

Д.г. сфарміравалася як навук. кірунак у выніку сінтэзу ідэй класічнай галаграфіі і нелінейнай оптыкі; заснавана на ўзаемадзеянні некалькіх кагерэнтных хваль, якое ўзнікае пры праходжанні іх праз нелінейнае асяроддзе (крышталь, паўправаднік, вадкасць, пара металаў і інш.). Напр., 2 (ці больш) кагерэнтныя пучкі святла падаюць на паверхню нелінейнага асяроддзя пад аднолькавымі вугламі да яе і перасякаюцца ў ім. Створаная інтэрферэнцыйная карціна запісваецца ў асяроддзі ў выглядзе перыяд. структуры (рашоткі), на якой гэтыя ж пучкі дыфрагуюць (самадыфракцыя), што змяняе параметры пучкоў, і таму запісаная рашотка таксама змяняецца па глыбіні асяроддзя. Галаграмы запісваюцца ў асяроддзях з рознымі тыпамі нелінейнасці (рэзананснай, стрыкцыйнай, камбінацыйнай і інш.). Д.г. пашырае магчымасці кіравання светлавымі пучкамі, рэалізуе новыя прынцыпы рэгістрацыі і ўзнаўлення эл.-магн. хваль.

На Беларусі даследаванні па Д.г. распачаты ў 1968 у Ін-це фізікі Нац. АН пад кіраўніцтвам А.С.Рубанава і Б.І.Сцяпанава. Адкрыта новая фіз. з’ява — абарачэнне хвалевага фронту (1970, пры 4-хвалевым узаемадзеянні; 1978, пры суперлюмінесцэнцыі). Работы ў галіне Д.г. і яе дастасаваннях вядуцца ў Ін-тах фізікі, электронікі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац. АН, БДУ і інш.

А.С.Рубанаў.

т. 6, с. 285

ВЯЛІ́КАЯ ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА,

інтэгральная схема з вялікай колькасцю схемных элементаў (высокай ступені інтэграцыі); асн. элементная база ЭВМ і радыёэлектронных сродкаў. Аналагавыя вялікія інтэгральныя схемы маюць да 800, лічбавыя — да некалькіх дзесяткаў тысяч элементаў. Звышвялікая інтэгральная схема мае на парадак большую ступень інтэграцыі. Вялікія інтэгральныя схемы забяспечваюць надзейнасць радыёэлектроннай тэхнікі, яе малыя габарыты і масу, нізкую спажываную магутнасць.

Асаблівасць вялікіх інтэгральных схем — малыя памеры яе элементаў і міжэлементных злучэнняў (да 1,2 мкм пры выкарыстанні фоталітаграфіі і менш за 1 мкм пры рэнтгенаўскай і электроннай літаграфіі); скарачэнне колькасці знешніх вывадаў для забеспячэння хуткадзеяння, напр. у аднакрышталёвых ЭВМ. Адрозніваюць вялікія інтэгральныя схемы цвердацельныя (маналітныя; бываюць на аснове структур метал-дыэлектрык-паўправаднік і біпалярных структур) і гібрыдныя (дыскрэтныя бяскорпусныя паўправадніковыя прыборы і інтэгральныя схемы размешчаны на плёначнай падложцы; маюць больш шырокі частотны дыяпазон у параўнанні з маналітнымі; недахопы — меншая шчыльнасць упакоўкі элементаў, меншая надзейнасць). Праектаванне і тэхнал. рэалізацыя вялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца пры дапамозе ЭВМ.

Вялікія інтэгральныя схемы выкарыстоўваюцца як запамінальныя прыстасаванні, аналага-лічбавыя і лічбавыя пераўтваральнікі, узмацняльнікі, у мікрапрацэсарных камплектах і інш. На Беларусі навук. распрацоўкі і вытворчасць вялікіх інтэгральных схем і звышвялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца ў навук.-вытв. аб’яднаннях «Інтэграл», «Карал», канцэрне «Планар», Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Мінскім н.-д. прыладабудаўнічым ін-це, НДІ радыёматэрыялаў і інш.

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. Кн. 1—2. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.У.Баранаў, А.П.Дастанка.

т. 4, с. 380

КРЭ́МНІЙ (лац. Silicium),

Si, хімічны элемент IV групы перыяд. сістэмы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Прыродны К. складаецца з 3 стабільных ізатопаў, асн.​²⁸Si (92,27%). Другі (пасля кіслароду) элемент паводле распаўсюджанасці ў зямной кары (27,6% па масе). У прыродзе знаходзіцца ў асн. у выглядзе крэмнію дыаксіду і сілікатаў прыродных, у свабодным стане не сустракаецца. Атрыманы ў 1823 Ё.Я.Берцэліусам; названы ад лац. silex — крэмень (назва К. ад грэч. kremnos уцёс, скала).

Крышт. К. — цёмна-шэрае рэчыва з метал. бляскам, шчыльн. 2330 кг/м³, t_пл 1415 °C. Паўправаднік, электрафіз. ўласцівасці якога залежаць ад прыроды і канцэнтрацыі прымесей (легіруючых дабавак), структурных дэфектаў. Не раствараецца ў вадзе і к-тах. Раствараецца ў сумесі азотнай і плавікавай кіслот, растворах шчолачаў з вылучэннем вадароду. Устойлівы ў паветры, акісляецца кіслародам да SiO₂ пры т-ры вышэй за 400 °C. З фторам (пры пакаёвай т-ры) і астатнімі галагенамі (пры 300—500 °C) утварае тэтрагалагеніды К. (напр., SiCl₄ тэтрахларыд К. — бясколерная вадкасць, дыміць у паветры). Пры награванні ўзаемадзейнічае з азотам, фосфарам, вугляродам (гл. Крэмнію карбід), многімі металамі (гл. Сіліцыды). З вадародам непасрэдна не ўзаемадзейнічае, сіланы атрымліваюць ускосным шляхам. Арган. вытворныя К. — крэмнійарганічныя злучэнні, крэмнійарганічныя палімеры. Тэхн. К. атрымліваюць аднаўленнем расплаву SiO₂, коксам, паўправадніковы — аднаўленнем SiCl₄ вадародам, раскладаннем сілану SiH₄ пры 1000 °C. З расплаву паўправадніковага К. вырошчваюць монакрышталі. Выкарыстоўваюць у электроніцы для вырабу інтэгральных схем, дыёдаў, транзістараў, сонечных батарэй і інш.; як кампанент электратэхн. і інш. сталей, чыгуну, бронзы, сілумінаў.

А.П.Чарнякова.

т. 8, с. 539