Verbum

ДЗІ́РАЧНАЯ ЭЛЕКТРАПРАВО́ДНАСЦЬ,

праводнасць паўправадніка, у якім асн. носьбітамі зараду з’яўляюцца дзіркі. Існуе, калі канцэнтрацыя акцэптараў перавышае канцэнтрацыю донараў. Наз. таксама праводнасцю р-тыпу. Гл. таксама Паўправаднікі.

т. 6, с. 117

НО́СЬБІТЫ ЗАРА́ДУ, носьбіты току,

агульная назва зараджаных рухомых часціц (ці квазічасціц), якія забяспечваюць праходжанне эл. току праз рэчыва. Тэрмін найчасцей выкарыстоўваецца ў фізіцы цвёрдага цела, дзе аб’ядноўвае электроны праводнасці і дзіркі (гл. Металы, Паўправаднікі).

т. 11, с. 381

ПАЛЯРО́Н,

састаўная квазічасціца, якая рухаецца ў крышталі; адно з асн. паняццяў электроннай тэорыі праводнасці паўправаднікоў і дыэлектрыкаў з іоннай рашоткай. Складаецца з электрона праводнасці (ці дзіркі), што рухаецца разам з выкліканай ім дэфармацыяй крышт. рашоткі (фанонам). Дае магчымасць апісаць многія эл., фотаэл. і аптычныя з’явы ў рэчывах.

т. 12, с. 27

ВАЛЕ́НТНАЯ ЗО́НА,

энергетычная вобласць дазволеных электронных станаў у цвёрдым целе. Пры т-ры абсалютнага нуля цалкам запоўнена валентнымі электронамі (гл. Зонная тэорыя). Пад уплывам цеплавога руху, знешніх уздзеянняў (асвятленне, апрамяненне, увядзенне прымесяў і інш.) невял. частка электронаў пераходзіць з валентнай зоны ў зону праводнасці ці на прымесныя ўзроўні ў забароненай зоне. У выніку ў валентнай зоне з’яўляюцца незапоўненыя электронныя станы (дзіркі) і электроны валентнай зоны могуць удзельнічаць у электраправоднасці.

т. 3, с. 479

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЭТЭ́КТАР у ядзернай фізіцы,

прылада для рэгістрацыі іанізавальных выпрамяненняў, асн. элемент якой — крышталь паўправадніка.

Адчувальны слой П.д. — вобласць паўправадніка паблізу p-n-пераходу, якая абеднена носьбітамі току і мае высокае эл. супраціўленне. Іанізавальная часціца, што пранікла ў крышталь, генерыруе дадатковыя (нераўнаважныя) носьбіты току (электроны і дзіркі), у выніку чаго ў знешнім ланцугу ўзнікае імпульс току, які ўзмацняецца і рэгіструецца. Зарад, сабраны на электродах П.д., прапарцыянальны энергіі, выдзеленай часціцай пры праходжанні праз адчувальны слой. Можа працаваць як спектрометр, калі часціца поўнасцю тармозіцца ў ім. Выкарыстоўваюцца ў ядз. фізіцы, фізіцы элементарных часціц, а таксама ў хіміі, геалогіі, медыцыне і прам-сці.

т. 12, с. 231

НЕКРО́З у раслін, амярцвенне ўчасткаў тканак, органаў ці частак раслін. Адбываецца пад уплывам фітапатагенных арганізмаў (інфекц. Н.) або інш. патагенных фактараў (неінфекц. Н., гл. Неінфекцыйныя хваробы раслін), у выніку лакальнага (мясц. Н.) ці агульнага (сістэмнага) іх уздзеяння. Як правіла, з’яўляецца вынікам ахоўнай рэакцыі расліны (затрымлівае пашырэнне патагену). Праяўляецца ў выглядзе плям розных форм і памераў і анамальнага колеру, цэнтр. ч. якіх потым можа разбурацца (на лістах утвараюцца дзіркі) ці загніваць, пры апёках — таксама сеткаватасцю і трэшчынамі на пладах, пабурэннем (пачарненнем) і засыханнем цэлых лістоў, кветак (суквеццяў), завязей, маладых парасткаў; пры Н. сасудзіста-валакністых пучкоў назіраецца завяданне, скручванне, кучаравасць лісця. У клетках адбываецца каагуляцыя або разрэджванне калоідаў цытаплазмы, разбурэнне арганоідаў. Н. ствалоў і галін дрэў, парэнхімных тканак часта суправаджаецца камедзе- і слізецячэннем.

С.​І.​Бельская.

т. 11, с. 279

МОТ ((Mott) Невіл Фрэнсіс) (30.9.1905, г. Лідс, Вялікабрытанія —8.8.1996),

англійскі фізік-тэарэтык, адзін з заснавальнікаў фізікі паўправаднікоў. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1936), чл.-кар. Амер. акадэміі навук і мастацтваў (1954). Скончыў Кембрыджскі ун-т (1927), дзе працаваў у 1930—33 і з 1954 (у 1954—71 дырэктар Кавендышскай лабараторыі). У 1933—54 праф. Брыстольскага ун-та. Навук. працы па квантавай механіцы, ядз. фізіцы, фізіцы цвёрдага цела. Вывеў ф-лу для дыферэнцыяльнага сячэння рассеяння атама (ф-ла М., 1930). Даў уяўленне аб звязаным стане электрона з зоны праводнасці і дзіркі з валентнай зоны (эксітон Ванье—М., 1937). Пабудаваў тэорыю фатагр. працэсу (мадэль М. — Гёрні; 1938) і тэорыю пераходных металаў і іх сплаваў. Адзін са стваральнікаў тэорыі неўпарадкаваных сістэм. Нобелеўская прэмія 1977 (разам з Ф.​Андэрсанам, Дж.​Х.​Ван Флекам).

Тв.:

Рус. пер. — Теория атомных столкновений. 3 изд. М., 1969 (разам з Г.​Месі);

Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1—2. 2 изд. М., 1982 (разам з Э.​А.​Дэвісам).

М.​М.​Касцюковіч.

т. 10, с. 527

АСТРАФІ́ЗІКА,

раздзел астраноміі, які вывучае фізічную будову, хімічны састаў і развіццё нябесных целаў. Узнікла ў сярэдзіне 19 ст. ў выніку выкарыстання ў астраноміі спектральнага аналізу, фатаграфіі і фотаметрыі, што дало магчымасць вызначаць т-ру атмасфер Сонца і зорак, іх магнітныя палі, скорасць руху ўздоўж праменя зроку, характар вярчэння зорак і інш. Асн. раздзелы астрафізікі: фізіка Сонца, фізіка зорных атмасфер і газавых туманнасцяў, тэорыя ўнутранай будовы і эвалюцыі зорак, фізіка планет і інш. Тэарэтычная астрафізіка вывучае асобныя нябесныя аб’екты (планеты, зоркі, пульсары, квазары, галактыкі, скопішчы галактык і інш.) і агульныя фіз. прынцыпы астрафіз. працэсаў з мэтай устанаўлення агульных законаў развіцця матэрыі ў Сусвеце. Практычная астрафізіка распрацоўвае інструменты, прылады і метады даследаванняў. Крыніцы атрымання інфармацыі пра нябесныя целы: эл.-магн. выпрамяненне (гама-, рэнтгенаўскае, ультрафіялетавае, бачнае, інфрачырвонае і радыёвыпрамяненне); касм. прамяні, якія дасягаюць атмасферы Зямлі і ўзаемадзейнічаюць з ёю; нейтрына і антынейтрына; гравітацыйныя хвалі, што ўзнікаюць пры выбухах масіўных зорак. Значны ўклад у развіццё Астрафізікі зрабілі А.​А.​Белапольскі, М.​М.​Гусеў, Ф.​А.​Брадзіхін, В.​Я.​Струвэ, Г.​А.​Ціхаў (Расія), Г.​Фогель, К.​Шварцшыльд (Германія), У.​Кэмпбел, Э.​Пікерынг, Э.​Хабл (ЗША), А.​Эдынгтан (Англія), В.​А.​Амбарцумян (СССР) і інш. Найб. значныя дасягненні сучаснай Астрафізікі — адкрыццё нябесных аб’ектаў з незвычайнымі фіз. ўласцівасцямі (нейтронныя зоркі, чорныя дзіркі, квазары).

Літ.:

Мартынов Д.Я. Курс обшей астрофизики. 4 изд. М., 1988;

Шкловский И.С. Звезды: их рождение, жизнь и смерть. 3 изд. М., 1984.

Ю.​М.​Гнедзін.

т. 2, с. 53

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230