Verbum

АГРЭГА́ЦЫЯ ў біялогіі,

працэс збірання (зліпання) клетак у шматклетачнае ўтварэнне — агрэгат, заснаваны на адгезіі. Адбываецца пры нармальным развіцці арганізмаў і ў эксперыменце пасля штучнага раз’яднання клетак, напр., пратэалітычнымі ферментамі і рэчывамі, якія звязваюць іоны кальцыю. Пры агрэгацыі клеткі «сартуюцца»; аднатыпныя зліпаюцца, разнатыпныя застаюцца раз’яднаныя. Здольнасць клетак да агрэгацыі залежыць ад т-ры і іоннага складу асяроддзя, з’яўлення на паверхні клетак спецыфічных бялковых рэчываў, якія садзейнічаюць іх зліпанню.

т. 1, с. 87

КАЛЬМАДУЛІ́Н,

кальцый-звязваючы бялок. Малекулярная маса 17 000 Да. Іоны Ca​²⁺ у цытаплазме кантралююць мноства функцый клеткі і разам з цыклічным адэназін-монафасфатам адносяцца да другасных пасрэднікаў. Напр., пры ўзаемадзеянні гармону са сваім рэцэптарам, што знаходзіцца на паверхневай мембране клеткі-мішэні, актывацыя мембрана-звязанага ферменту адэнілатцыклазы для перадачы сігналу гармону з паверхні клеткі да клетачнага ядра адбываецца пры наяўнасці комплексу іонаў Ca​²⁺ з К.

С.С.Ермакова.

т. 7, с. 491

МОЛЬ,

адзінка колькасці рэчыва; адна з сямі асн. адзінак Міжнароднай сістэмы адзінак. М. — колькасць рэчыва ў сістэме, якая мае столькі ж структурных элементаў, колькі атамаў вугляроду знаходзіцца ў 0,012 кг яго ізатопу ​¹²C (вуглярод-12). Структурнымі элементамі могуць быць атамы, іоны, малекулы і інш. часціцы (напр., электроны) ці групы часціц. Абазначаецца моль; 1 моль любога рэчыва мае аднолькавую колькасць структурных элементаў, роўную Авагадра пастаяннай (N_a = 6,022∙10​²³ моль​⁻¹).

т. 10, с. 515

О́ЛА ((Olah) Джордж) (н. 22.5.1927, Будапешт),

амерыканскі хімік-арганік. Скончыў тэхн. ун-т у Будапешце. З 1957 у Канадзе, з 1964 у ЗША. З 1965 праф. Зах. рэзервовага ун-та (г. Кліўленд), з 1977 ва ун-це Паўд. Караліны (г. Лос-Анджэлес). Навук. працы па хіміі карбкатыёнаў, даследаванні механізму хім. рэакцый. Вынайшаў метад атрымання стабільных карбкатыёнаў з дапамогай звышкіслот. Атрымаў трохвалентныя карбкатыёны («карбеніевыя» іоны — вытворныя CH​⁺₃), даследаваў іх структуру, уласцівасці і рэакцыйную здольнасць. Нобелеўская прэмія 1994.

Б.В.Корзун.

т. 11, с. 431

АМФАТЭ́РНАСЦЬ (ад грэч. amphoteros і той і гэты),

здольнасць некаторых хім. злучэнняў праяўляць у залежнасці ад умоў кіслотныя або асн. ўласцівасці. Уласцівая вадзе, аксідам і гідраксідам алюмінію, цынку, хрому і інш., некаторым амінам, амінакіслотам, іанітам.

Пры дысацыяцыі ў водных растворах амфатэрныя злучэнні (амфаліты) утвараюць H​⁺ і OH​⁻ іоны (напр., Cr​³⁺+3OH​⁻ ⇄ Cr(OH)₃ ⇄ H​⁺+CrO​⁻₂+H₂O). Перавага тыпу ўласцівасцяў амфатэрных гідраксідаў залежыць ад месца элемента ў перыяд. сістэме. Амфатэрнасць злучэнняў карыстаюцца ў хім. аналізе для раздзялення элементаў.

т. 1, с. 327

КРЫШТАЛЕФАСФО́РЫ (ад крышталі + фосфар),

неарганічныя крышт. люмінафоры. Люмінесцыруюць пад уздзеяннем святла, патоку электронаў, пранікальнай радыяцыі, эл. току. Люмінесцэнцыя К. абумоўлена наяўнасцю актыватараў ці дэфектаў у крышталях.

Найб. пашыраныя К. — сульфіды, селеніды, тэлурыды цынку і кадмію, аксіды кальцыю і магнію, галагеніды шчолачных металаў, оксісульфіды індыю і лантану (In₂O₂S, La₂O₂S). Актыватарамі з’яўляюцца іоны металаў (медзь, кобальт, марганец і інш.). К. даюць яркае свячэнне (працягласць паслясвячэння ад 10​⁻⁹ с да некалькіх гадзін). Выкарыстоўваюць у люмінесцэнтных лямпах, экранах тэлевізараў і асцылографаў, сцынтыляцыйных лічыльніках, паўправадніковых лазерах.

т. 8, с. 528

ВІ́ЛЬСАН, Уілсан (Wilson) Чарлз Томсан Рыс (14.2.1869, Гленкарс, каля г. Эдынбург, Вялікабрытанія — 15.11.1959), англійскі фізік. Чл. Брытанскага каралеўскага т-ва (1900). Скончыў Манчэстэрскі (1887) і Кембрыджскі (1892) ун-ты. У 1900—34 у Кембрыджскім ун-це (з 1925 праф.). Навук. працы па малекулярнай, атамнай і ядзернай фізіцы. Даследаваў кандэнсацыю пары пры ўздзеянні розных агентаў. Устанавіў, што пры пэўных умовах зараджаныя іоны становяцца цэнтрамі кандэнсацыі вадзяной пары і рух іонаў становіцца бачным (1897); стварыў прыладу для назірання і фатаграфавання слядоў (трэкаў) зараджаных часціц (гл. Вільсана камера). Нобелеўская прэмія 1927.

т. 4, с. 177

ГУМАРА́ЛЬНАЯ РЭГУЛЯ́ЦЫЯ,

адзін з механізмаў кіравання і каардынацыі фізіял. працэсаў у чалавека і жывёл у зменлівых умовах асяроддзя. Ажыццяўляецца праз вадкія асяроддзі (тканкавая вадкасць, лімфа, кроў) з дапамогай біялагічна актыўных рэчываў (неспецыфічныя метабаліты, гармоны, медыятары, пептыды, роставыя фактары, іоны і інш.). Прадукты абмену рэчываў уздзейнічаюць энда-, пара- або аўтакрынна на эфектарныя тканкі, канцы чуллівых нерваў (хемарэцэптары), нерв. цэнтры і выклікаюць гумаральным або рэфлекторным шляхам пэўныя рэакцыі арганізма. Гумаральная рэгуляцыя падпарадкавана нервовай рэгуляцыі і разам з ёй складае адзіную сістэму нейрагумаральнай рэгуляцыі, якая забяспечвае нармальнае функцыянаванне арганізма ў зменлівых умовах асяроддзя.

У.М.Калюноў.

т. 5, с. 531

ГАЛЬВАНАТЭ́ХНІКА (ад гальвана... + тэхніка),

галіна прыкладной электрахіміі, якая займаецца працэсамі электралітычнага асаджэння металаў на паверхні вырабаў. Уключае гальванастэгію, гальванапластыку і розныя спосабы электрахім. апрацоўкі металаў (аксідаванне, анадзіраванне, электралітычнае паліраванне і інш.). Асновы закладзены Б.С.Якобі, які ў 1838 адкрыў гальванапластыку і распрацаваў спосабы яе выкарыстання. Выкарыстоўваецца ў аўтамабілебудаванні, авіяц., радыётэхн. і электроннай прам-сці, у паліграфіі і інш.

Тэхнал. працэсы гальванатэхнікі заснаваны на з’яве электролізу. Асн. кампанент электраліту — солі металу, які ідзе на пакрыццё. У растворы яны распадаюцца на дадатна зараджаныя іоны металу (катыёны) і адмоўна зараджаныя групы (аніёны). Іоны металу асаджаюцца на адмоўным полюсе (катодзе), якім з’яўляюцца самі вырабы ці іх матрыцы. Аноды — пласціны або пруткі металу, які раствараецца ў электраліце і асаджаецца. У некаторых працэсах (напр., храміраванне, залачэнне) ужываюцца нерастваральныя аноды, а солі асноўнага металу дадаюцца звонку. Гальванатэхн. працэсы выконваюцца ў гальванічных ваннах (стацыянарных, паўаўтаматычных, ваннах-агрэгатах). Стацыянарныя ванны маюць прылады для вымярэння т-ры і прыстасаванні для перамешвання электраліту. Неметал. вырабы і матрыцы (з гіпсу, воску, пластмасы і інш.) для электраправоднасці пакрываюць графітам або тонкім слоем хімічна асаджанага металу; металічныя апрацоўваюцца акісляльнікамі для атрымання пасіўнай плёнкі, што дапамагае аддзяліць копію ад матрыцы. На з’яве нераўнамернага растварэння металу пры аноднай палярызацыі заснавана электралітычнае паліраванне.

У.М.Сацута.

т. 4, с. 476

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.М.Шахлевіч.

т. 6, с. 364