Verbum

КРА́ТНАЯ СУ́ВЯЗЬ,

хімічная сувязь, якая, у адрозненне ад простай хім. сувязі, утворана больш чым адной парай электронаў. Паводле ліку электронных пар, што ўдзельнічаюць ва ўтварэнні К.с., адрозніваюць падвойную, патройную і чацвярную сувязі.

Паводле ўласцівасцей сіметрыі малекулярных арбіталей К.с. падзяляюць на σ-, π- і δ-сувязі. Арбіталі σ-сувязей маюць цыліндрычную сіметрыю адносна лініі сувязі, арбіталі π-сувязей антысіметрычныя адносна плоскасці, якая праходзіць праз сувязь. Простая хімічная сувязь утвараецца толькі σ-малекулярнымі арбіталямі, а π-сувязь — паміж атамамі ўжо злучанымі σ-сувяззю. Падвойная сувязь складаецца з адной σ- і адной π-сувязей (напр., у малекуле этылену H₂C=CH₂). Патройная сувязь паміж 2 атамамі з’яўляецца камбінацыяй адной σ- і дзвюх π-сувязей (напр., у малекуле ацэтылену HC=CH). Чацвярная сувязь, характэрная толькі для пераходных металаў, уключае арбіталі патройнай сувязі і арбіталі δ-сувязі. Найб. трываласцю вызначаюцца σ-сувязі. Энергія π-сувязі складае прыкладна 80% энергіі σ-сувязі, а ўклад δ-сувязі, напр., у комплексным октахлорадырэнат-аніёне [Re₂CL₈]​^2-, ацэньваецца прыблізна ў 14% ад поўнай энергіі сувязі. Пры наяўнасці ў малекуле 2 і большага ліку К.с. яны ўтвараюць сістэмы з кумуляванымі (2 падвойныя сувязі мяжуюць з адным атамам, напр., у алене H₂C=C=CH₂), спалучанымі [падвойныя ці (і) патройныя сувязі падзелены адной простай, напр., у акрыланігрыле H₂C=CH—C≡N] і ізаляванымі сувязямі (К.с. падзелены 2 і больш простымі сувязямі, гл. Дыенавыя вуглевадароды). У спалучаных сістэмах парадак К.с. (мера кратнасці, заселенасці сувязі электронамі) — велічыня дробная.

Літ.:

Гиллеспи Р. Геометрия молекул: Пер. с англ. М., 1975;

Коттон Ф.А., Уолтон Р.У. Кратные связи металл—металл: Пер. с англ. М., 1985.

Я.​Г.​Міляшкевіч.

т. 8, с. 465

МАДЭЛІ́РАВАННЕ ў навуцы і тэхніцы,

1) даследаванне складаных фіз. працэсаў, з’яў, аб’ектаў шляхам пабудовы і вывучэння іх мадэлей. Грунтуецца на падобнасці тэорыі і размернасцей аналізе.

Мадэль аб’екта, геаметрычна падобная да арыгінала, мае паменшаны або павялічаны памер, а мадэль працэсу (з’явы) можа адрознівацца ад рэальнага працэсу колькаснымі фіз. характарыстыкамі (магутнасцю, энергіяй, ціскам, шчыльнасцю асяроддзя, амплітудай ваганняў, сілай узаемадзеяння, скорасцю і інш.). Падобнымі наз. з’явы, у якіх усе працэсы (поўная падобнасць) ці найб. важныя пры пэўным даследаванні (лакальная падобнасць) адрозніваюцца ад параметраў другой з’явы ў пэўную колькасць разоў. Найб. пашырана М. гідрааэрамех з’яў, мех. уласцівасцей канструкцый і збудаванняў, цеплавых і аэрадынамічных працэсаў, натурных умоў функцыянавання складаных тэхн. сістэм. М. шырока карыстаюцца ў буд. справе, гідраўліцы і гідратэхніцы, авіяцыі, ракетнай і касм. тэхніцы, у судна-, прылада- і машынабудаванні, нафта- і газаздабычы, цепла- і электратэхніцы (напр., М. электраэнергет. сістэм), навук. даследаваннях (фіз. эксперыментах) і інш. З паяўленнем ЭВМ пашырылася т.зв. аналагавае М. з выкарыстаннем спецыяльна сканструяваных для гэтага аналагавых вылічальных машын, якія мадэліруюць суадносіны паміж бесперапынна зменнымі велічынямі (машыннымі пераменнымі) — аналагамі адпаведных зыходных пераменных. Вядучае месца сярод інш. метадаў даследаванняў належыць матэматычнаму мадэліраванню з дапамогай лічбавых электронных вылічальных машын, пры якім даследаванне рэальных з’яў зводзіцца да рашэння адпаведных матэм. задач. Увядзенне ў практыку ЭВМ і машыннае, або кібернетычнае, М. (жывых сістэм, інж сетак, працэсаў распазнавання, сістэмы «чалавек—машына» і інш.) дазваляе вывучаць складаныя сістэмы і з’явы без пабудовы іх фіз. мадэлей.

2) Выраб мадэлей новых прамысл. вырабаў, якія плануецца выпускаць, для адпрацоўкі іх аптымальнай канструкцыі і формы; адзін з асн. метадаў мастацкага канструявання.

3) Выраб мадэлей самалётаў, суднаў і інш. у спартыўных (гл. Мадэлізм спартыўны), доследных і навуч. мэтах (дэманстрацыйнае М.).

Літ.:

Чавчанидзе В.В., Гельман О.Я. Моделирование в науке и технике. М., 1966;

Полисар Г.Л. Моделирование. М., 1963;

Новик И.Б. О моделировании сложных систем. М., 1965;

Седов Л.И. Методы подобия и размерности в механике. 10 изд. М., 1987.

У.​М.​Сацута.

т. 9, с. 494

МЕТА́ЛЫ (лац. metallum ад грэч. metallon шахта, руднік),

простыя рэчывы, якія ў звычайных умовах маюць характэрныя, метал., уласцівасці — высокую эл. праводнасць і цеплаправоднасць, адмоўны тэмпературны каэф. эл. праводнасці, здольнасць добра адбіваць эл.-магн. хвалі (бляск, непразрыстасць), пластычнасць. У цвёрдым стане М. — крышт. рэчывы з металічнай сувяззю. У тэхніцы да М. адносяць таксама сплавы на іх аснове (гл. Металазнаўства).

Да М. адносяць 86 са 109 элементаў перыяд. сістэмы. Паводле становішча ў перыяд. сістэме адрозніваюць М. галоўных (a) і пабочных (b) падгруп, ці непераходныя і пераходныя. У непераходных М. адбываецца запаўненне знешніх s- і p-электронных абалонак (напр., шчолачныя металы), у пераходных — запаўненне размешчаных бліжэй да ядра d- і f-абалонак (гл. Пераходныя элементы). Паводле тэхн. класіфікацыі адрозніваюць чорныя (жалеза і яго сплавы) і каляровыя М., якія ўмоўна падзяляюць на некалькі груп: лёгкія металы, цяжкія (свінец, цынк і інш.), тугаплаўкія металы, высакародныя металы, рэдказямельныя М. (гл. Рэдказямельныя элементы), радыеактыўныя М. (гл. Радыеактыўныя элементы) і інш. Хім. ўласцівасці М. абумоўлены электроннай будовай атамаў, якія лёгка аддаюць знешнія (валентныя) электроны, таму ў хім. рэакцыях яны звычайна з’яўляюцца аднаўляльнікамі. М. ўтвараюць асн. аксіды і гідраксіды, многія замяшчаюць вадарод у к-тах. У прыродзе ў свабодным стане трапляюцца рэдка, звычайна ў выглядзе злучэнняў (аксідаў, сульфідаў і інш.). Здабычай М. з руд займаецца металургія. Ступень выкарыстання М. абумоўлена практычнай каштоўнасцю яго ўласцівасцей, а таксама прыроднымі запасамі (распаўсюджанасцю ў зямной кары) і цяжкасцямі атрымання. Здольнасць М. да ўзаемнага растварэння з утварэннем пры крышталізацыі цвёрдых раствораў і інтэрметалідаў (гл. Металіды) дазваляе атрымліваць мноства сплаваў з разнастайным спалучэннем уласцівасцей. У тэхніцы М. выкарыстоўваюць выключна ў выглядзе сплаваў як найважнейшыя канстр. матэрыялы.

Літ.:

Венецкий С.И. Рассказы о металлах. 4 изд. М., 1985;

Гелин Ф.Д., Чаус А.С. Металлические материалы. Мн., 1999.

Г.​Г.​Паніч.

т. 10, с. 307

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.​І.​Гурскі.

т. 11, с. 441

ІНСТЫТУ́Т ЭЛЕКТРО́НІКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1973 на базе Лабараторыі электронікі АН Беларусі (існавала з 1961). У ін-це (1998) 10 лабараторый, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фіз. асновы оптаэлектронікі і аптычныя метады апрацоўкі інфармацыі; фіз. асновы мікраэлектронікі, у межах якіх распрацоўкі накіраваны на стварэнне элементнай базы для звышхуткадзейных і высокапрадукцыйных сістэм атрымання, захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі; оптаэлектронных элементаў і прылад для аптычнай (у т. л. лазерна-галаграфічных сістэм) апрацоўкі інфармацыі, валаконна-аптычных ліній сувязі, вымяральнай тэхнікі і фотааўтаматыкі; оптыка-электронных, магн.-эл. і інш. пераўтваральнікаў для сістэм кантролю і вымярэння; вакуумных мікраэлектронных прылад для экстрэмальных умоў эксплуатацыі, прылад мікрамеханікі і мікрасенсорыкі; матэрыялаў для мікраэлектронікі і нанатэхналогій. Вынікі навук. даследаванняў: распрацаваны новыя матэрыялы для мікраэлектронікі; метады і сродкі прасторавай і прасторава-часавай мадуляцыі светлавых патокаў, якія забяспечваюць эфектыўнае пераўтварэнне двух- і аднамерных аптычных сігналаў; распрацаваны і створаны фотапрыёмнікі і фотапрыёмныя структуры для валаконна-аптычных ліній сувязі, сістэм аўтафакусіроўкі, рэгістрацыі звышслабых свячэнняў; высокаадчувальныя фотарэзістары і на іх аснове створаны оптаэлектронныя пераўтваральнікі для нанавальтметраў і мультыметраў; створаны спецыялізаваныя высокакагерэнтныя цвердацелыя лазеры для патрэб аптычнай лакацыі, галаграфіі і неразбуральнага кантролю вібратрываласных характарыстык вырабаў машынабудавання метадамі галаграфічнай інтэрфераметрыі, алюма-аксідная тэхналогія стварэння вакуумнай мікраэлектронікі, мікрамеханікі і нанаэлектронікі, вакуумныя інтэгральныя схемы для экстрэмальных умоў эксплуатацыі пры высокіх узроўнях т-р і радыяцыі; выпрацаваны прынцыпы пабудовы высокаадчувальных вымяральнікаў кампанентаў вектара індукцыі магн. поля Зямлі; створана апаратура арыентацыі галаўных частак метэаракет, вымярэння траекторый ствалоў свідравін у працэсе бурэння, спектрафотаметрычная апаратура, якая ўстанаўліваецца на ШСЗ для даследаванняў азонасферы Зямлі, шэраг высокапрадукцыйных сістэм аўтаматызаванага высокадакладнага вымярэння і кантролю памераў вырабаў электроннай тэхнікі, валаконнай оптыкі, а таксама субмікронных часцінак у тэхнал. асяроддзях; устаноўлены заканамернасці структурных і фазавых пераўтварэнняў у тонкіх паўправадніковых і метал. плёнках, сістэмах метал-паўправаднік пры імпульсным лазерным уздзеянні. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй СССР (1985), Дзярж. прэміямі Беларусі (1982, 1996), ЛКСМБ (1974). У Ін-це працаваў чл.-кар. АН СССР В.М.Аўдзееў; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.А.Піліповіч і чл.-кар. А.А.Кавалёў.

Я.​К.​Чаховіч.

т. 7, с. 275

ААМЫ́НЬ (партуг. Макао),

тэрыторыя ва Усх. Азіі, на ўзбярэжжы Паўд.-Кітайскага м., у дэльце р. Сіцзян. Належыць Партугаліі. Уключае п-аў Аамынь і а-вы Тайпа і Калаане. Пл. 16 км². Адм. ц. — г. Аамынь. Нас. 497 тыс. чал. (1991); кітайцы (больш за 95%), партугальцы і інш. Афіц. мова партугальская. Вернікі пераважна католікі. Большая частка насельніцтва жыве ў г. Аамынь. Рэльеф узгорысты. Клімат мусонны; ападкаў 1800 мм за год, бываюць тайфуны.

Тэр. Аамыня са стараж. часоў належала Кітаю, мела розныя назвы. Тут знаходзіўся палац кіт. імператрыцы — Магэ (Палата Матухны, адсюль назва Макао). У 14—17 ст. Аамынь — гандл. гавань у пав. Сяншань (цяпер Чжуншань), прав. Гуандун. У 1553 у Аамыні з’явіліся партугальцы, з 1555 яны арандавалі Аамынь, у 1557 стварылі адміністрацыю пры захаванні суверэнных правоў Кітая. У 1849 партуг. ўрад абвясціў Аамынь незалежным ад Кітая. Паводле навязанага Кітаю ў 1887 Дагавора аб дружбе і гандлі Партугалія атрымала права на «вечнае кіраванне» Аамынем. У 1940 захоплены Японіяй. Пасля паражэння Японіі ў 2-й сусв. вайне — пад кантролем Партугаліі, якая ў 1951 абвясціла Аамынь сваёй «заморскай правінцыяй» на чале з губернатарам. Урад КНР неаднаразова заяўляў, што Аамынь — тэр. Кітая, і настойваў на вяртанні яго праз мірныя перагаворы. У 1987 прынята сумесная кіт.-партуг. заява, якой прадугледжана з 20.12.1999 аднаўленне суверэнных правоў КНР на Аамынь, а таксама дазволена стварыць асобны адм. раён у адпаведнасці з абвешчаным Пекінам прынцыпам «адна дзяржава — два лады». Паліт. партыі: Дэмакратычны цэнтр Аамыня, Асацыяцыя абароны Аамыня.

Аснова эканомікі — турызм і галіны, якія яго абслугоўваюць. Развіта вытв-сць тэкст., электронных вырабаў, феерверкаў, вырабаў са скуры, він, камфары. Аамынь — буйны пасрэдніцкі цэнтр міжнар. гандл. і валютна-фін. аперацый. Пад с.-г. ўгоддзямі каля 2% тэрыторыі. Вырошчваюць агародніну, развіты птушкагадоўля і рыбалоўства. Асн. гандл. партнёры — Кітай, Сянган, ЗША і Канада. Экспартуе адзенне, тэкстыль, шоўк, прадукцыю саматужных промыслаў, тытунёвыя вырабы, чай, рыбу. Вял. ролю адыгрывае рээкспарт тавараў з Кітая. Імпартуе сыравіну, харч. прадукты, пітную ваду. Аамынь вядомы як перавалачны пункт кантрабанднага гандлю золатам і опіумам. Ігральны бізнес. Марскі курорт. Паромная сувязь Аамыня — Сянган. Штогод Аамынь наведваюць 5 млн. турыстаў. Грашовая адзінка — патака.

Ю.​В.​Ляшковіч, У.​С.​Кошалеў.

т. 1, с. 8

РАЗА́НЬ,

горад, цэнтр Разанскай вобл. ў Расіі, прыстань на р. Ака, пры ўпадзенні р. Трубеж. Размешчаны на Сярэднярускім узвышшы. 530 тыс. ж. (2000). Вузел чыгунак і аўтадарог. Аэрапорт. Прам-сць: машынабудаванне (буйнейшыя прадпрыемствы: «Цяжпрэсмаш», «Камбайн», «Цеплапрыбор»; з-ды: станкабуд., аўтамаб. агрэгатаў, аўтамаб. апаратуры, радыёзавод, электронных прыбораў, выліч.-аналітычных машын і інш.); нафтаперапр., хім. (ВА «Хімвалакно», з-д «Разаньколермет»), харч., лёгкая і інш. Вытв-сць буд. матэрыялаў. 4 ВНУ, 3 тэатры. Цырк. Музеі: маст., гіст.-арх. музей-запаведнік, паветрана-дэсантных войск, дом-музей І.​П.​Паўлава, непадалёку ад Р., у с. Канстанцінава, літ.-мемарыяльны музей-запаведнік С.​Ясеніна.

Першапачатковы горад Р., цэнтр Разанскага княства, размяшчаўся за 50 км ад сучаснай Р. У 1237 ён разбураны ханам Батыем і заняпаў. У сярэдзіне 14 ст. цэнтр княства перанесены ў Пераяслаўль-Разанскі (згадваецца ў летапісе пад 1095). У 1365 і 1379 ён таксама спалены татарамі, але адбудаваны Пры князю Алегу Іванавічу [1350—1402] горад умацаваны, развіваўся як гандл. і рамесніцкі цэнтр. У 1521 далучаны да Маскоўскай дзяржавы. З 1708 уваходзіў у Маскоўскую губ., з 1719 гал. горад Пераяслаўль-Разанскай правінцыі. У 1778 названы Р. З 1796 цэнтр Разанскай губ. У 2-й пал. 19 ст. Р. — буйны трансп. вузел. У 1929 цэнтр акругі (аб’ядноўвала 27 раёнаў) у складзе Маскоўскай вобл., з 1930 раённы цэнтр. З 1937 цэнтр Разанскай вобл.

Стараж. ядро Р. — крэмль (закладзены ў 1095) — знаходзіцца на паўн. мяжы горада на высокім мысе пры зліцці рэк Трубеж і Лебедзь. На тэр. крамля — саборы Раства Хрыстова (15 ст., перабудаваны ў 1826 у формах класіцызму), Архангельскі (16 ст., надбудаваны ў 1647), Успенскі (1693—99, арх. Я.​Бухвостаў, нарышкінскае барока, выш. 60 м) з асобна пастаўленай званіцай (1789—1840, арх. І.​Руско, Н.​Вараніхін і інш., класіцызм, выш. 83,2 м), царква Святога Духа (1642, арх. В.​Зубаў), архірэйскія палаты (т.зв. Палац Алега; 1653—92, арх. Ю.​Яршоў, Г.​Мазухін). Паводле генплана 1780—82 Р. набыла рэгулярную планіроўку з трызубцам вуліц, што сыходзіліся да цэнтр. плошчы (б. Саборнай). Горад забудоўваўся ў стылі класіцызму: будынак б. дзярж. ўстановы (1796), дамы Марозава (канец 18 ст.), дваранскага сходу (канец 18 — пач. 19 ст.), гандл. рады (1-я пал. 19 ст.), гімназія (1808—15), семінарыя (1812—16), бальніца (1816) і інш., а таксама драўлянымі жылымі дамамі, багата аздобленымі дэкар. разьбой і каменнымі будынкамі ў псеўдарус. стылі.

Літ.:

Рязань: Памятники архитектуры и искусства: Альбом. М., 1985;

Вагнер Г.К., Чугунов С.В. Рязанские достопамятности. 2 изд. М., 1989.

т. 13, с. 252

БО́СТАН (Boston),

горад на ПнУ ЗША. Адм. ц. штата Масачусетс. 551,7 тыс. ж.; у агламерацыі (Вялікі Бостан) — 4,17 млн. ж. (1992). Вузел чыгунак і аўтадарог. Буйны порт пры ўпадзенні р. Чарлз у зал. Масачусетс Атлантычнага ак. Міжнар. аэрапорт. Адзін з гал. прамысл. цэнтраў ЗША, буйны гандл.-фін., навук. і культ. цэнтр. У Бостане — праўленні буйных страхавых кампаній, банкаў і прамысл. карпарацый. Прамысловасць: прыладабудаванне, у т. л. вытв-сць кантрольна-вымяральных і навук. прылад, мед. інструментаў, фотатэхнікі (фірма «Паляроід»); радыёэлектронная (вытв-сць ЭВМ, сродкаў сувязі, мед. апаратуры, электронных кампанентаў), эл.-тэхн., аўтазборачная; вытв-сць прамысл. абсталявання, авіяц. дэталяў і вузлоў, авіяц. і суднавых рухавікоў; суднабудаванне і суднарамонт. Паліграф., гарбарна-абутковая, хім. (пераважна вытв-сць быт. хімікатаў), гумавая, лёгкая, харч. прам-сць. Метрапалітэн. Ун-ты, у т. л. Гарвардскі (з 1636). Масачусецкі тэхнал. ін-т. Акадэмія мастацтваў і навук. Марскі акварыум.

Засн. ў 1630 пурытанамі — выхадцамі з Англіі. З 1632 сталіца калоніі Масачусетс, гал. порт і горад Новай Англіі, важны гандл., навук. і культ. асяродак. У 2-й пал. 18 ст. ў Бостане распачалася барацьба супраць каланіяльнай палітыкі Вялікабрытаніі (паўстанне гараджан супраць гербавага збору ў 1765, іх узбр. сутычка з англ. войскамі ў 1770, т.зв. «Бостанскае чаяпіцце» 1773), якая стала пралогам Вайны за незалежнасць у Паўночнай Амерыцы 1775—83. Гар. правы з 1822. З 1831 адзін з цэнтраў абаліцыянізму, страціў пазіцыі ў гандлі, але стаў значным асяродкам банкаўскай справы, тут утварыўся саюз капіталістаў-ранцье, т.зв. Бостанская фін. група. У 19—20 ст. адзін з партоў масавага прыбыцця імігрантаў, у т. л. беларусаў.

Мае радыяльную сістэму планіроўкі, шматлікія паркі, паўкальцо бульвараў (з 1898, план Ч.​Эліята). Сярод арх. помнікаў калан. перыяду: Дом сходаў (1729—30), Стары дом штата (1713; перабудаваны ў 1748), Фанейль-хол (1742—1805); пабудовы Ч.​Булфінча ў стылі класіцызму — Дом штата (Капітолій; 1795—98, перабудовы да 1914), Масачусецкі гал. шпіталь (1818—20) і інш.; гандл. будынак Куінсі-маркет (1825—26, А.​Парыс); Публічная б-ка (1888—95, неарэнесанс; размалёўкі П.​Пюві дэ Шавана, Дж.​С.​Сарджэнта і інш.); пабудовы Г.​Х.​Рычардсана ў духу раманскага дойлідства — царква Трыніты-чэрч (1873—77) і інш. Сучасны адм. цэнтр уключае Новую ратушу (1969), будынкі «Дж.​Ф.​Кенэдзі», адм. службаў аховы здароўя, прафілактыкі і асветы (1971, П.​Рудалф). Пабудаваны новы корпус гар. б-кі (1972, Ф.​Джонсан), будынак Блакітнага Крыжа (1960, Рудалф), аэрапорт (1971), сфарміравана Рыначная пл. (1976, Б.​Томпсан). Помнік-абеліск у гонар бітвы пры Банкер-Хіле (вып. 67 м, 1843) і інш. Бостанскі музей прыгожых мастацтваў.

т. 3, с. 221

ВЫЛІЧА́ЛЬНАЯ ТЭ́ХНІКА,

галіна тэхнікі, якая распрацоўвае і вырабляе сродкі аўтаматызацыі матэм. вылічэнняў, апрацоўкі інфармацыі і кіравання (напр., электронныя вылічальныя машыны, вылічальныя сістэмы, комплексы, іх перыферыйнае абсталяванне) у розных галінах дзейнасці чалавека; навука аб прынцыпах пабудовы, дзеяння і праектавання гэтых сродкаў. Вылічальная тэхніка пашырана ў вылічальных цэнтрах, сістэмах сувязі, сістэмах навігацыі плавальных і лятальных апаратаў, касм. аб’ектаў і інш., сістэмах аўтам. кіравання для збору, апрацоўкі і выкарыстання інфармацыі, інфарм. пошукавых сістэмах і інш. Сістэмы кіравання з выкарыстаннем вылічальнай тэхнікі бываюць вялікімі сістэмамі, што ахопліваюць усю краіну, раён, галіну прам-сці цалкам або групу прадпрыемстваў, і лакальнымі, якія дзейнічаюць у межах аднаго з-да або цэха. Кірункі сучаснай вылічальнай тэхнікі: фіз.-тэхн. асновы элементнай базы вылічальнай тэхнікі; архітэктура ЭВМ; матэматычнае забеспячэнне выліч. сістэм і комплексаў; выкарыстанне сродкаў вылічальнай тэхнікі (гл. Аўтаматызацыя вытворчасці, Аўтаматызаваная сістэма кіравання).

Першыя прыстасаванні для механізацыі вылічэнняў (абак, кітайскі суанпан, лічыльнікі і інш.) вядомыя з глыбокай старажытнасці, вылічальныя прыстасаванні (шкала Непера, лагарыфмічная лінейка, арыфм. машына франц. вучонага Б.​Паскаля і інш.) — з 17 ст. У 19 ст. англ. вучоны Ч.​Бэбідж прапанаваў праект «аналітычнай машыны» (гл. Вылічальная машына). У канцы 19 — пач. 20 ст. развіццё вылічальнай тэхнікі звязана з пабудовай аналагавых вылічальных машын. У 1944 у ЗША пабудавана першая лічбавая электронная вылічальная машына «МАРК-1» на эл.-магн. рэле, а першая хуткадзейная ЭВМ «ЭНІАК» — у 1946 (першая ў кантынентальнай Еўропе малая ЭВМ «МЭСМ» распрацавана ў 1950 у АН Украіны).

На Беларусі вылічальная тэхніка ў сваім развіцці прайшла шлях ад першай лямпавай ЭВМ да стварэння выліч. сістэм і аўтаматызаваных сістэм рознага прызначэння. Навук. даследаванні вядуцца ў БДУ, НДІ ЭВМ, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, ін-тах матэматыкі, тэхн. кібернетыкі АН, Ваеннай акадэміі і інш. Першая ЭВМ «Прамень» распрацавана ў Ін-це фізікі і матэматыкі АН у канцы 1950-х г. Выліч. машыны М-3М асвоены Мінскім з-дам ЭВМ імя Арджанікідзе ў 1959; з 1960 пачаўся выпуск вылічальных машын «Мінск» 1-га і 2-га пакаленняў; з 1973 — машын 3-га пакалення адзінай сістэмы электронных вылічальных машын — ЕС ЭВМ; у 1980-я г. распрацаваны высокапрадукцыйныя выліч. сістэмы ЕС ЭВМ, а таксама комплексы на трансп. сродках; у 1990-я г. — новае пакаленне ЭВМ — сям’я «Мінск-9000» (ЕС-1230). За распрацоўку і асваенне сродкаў вылічальнай тэхнікі спец. прызначэння спецыялістам Мінскага з-да ЭВМ прысуджана Дзярж. прэмія СССР 1985. За ўкараненне вылічальнай тэхнікі ў вытв. тэхналогію работнікам Брэсцкага эл.-мех. з-да прысуджана Дзярж. прэмія СССР 1981. Стваральнікі ЕС ЭВМ адзначаны Ленінскай прэміяй 1983, Дзярж. прэміямі СССР 1978, 1983.

Літ.:

Заморин А.П. Мячев А.А., Селиванов Ю.П. Вычислительные машины, системы, комплексы: Справ. М., 1985.

М.​П.​Савік.

т. 4, с. 312

ПАЛІГРАФІ́ЧНАЯ ПРАМЫСЛО́ВАСЦЬ,

галіна прамысловасці, якая спецыялізуецца на выпуску друкарскай прадукцыі: кніг, часопісаў, газет, тапаграфічных карт, каштоўных папер, бланкаў дакументаў, календароў, плакатаў, сшыткаў, альбомаў, білетаў і інш. У залежнасці ад асн. відаў прадукцыі, якія выпускаюцца паліграф. прадпрыемствам, адрозніваюць спецыялізаваныя кніжныя, газетныя, часопісныя, а таксама кніжна-часопісныя, газетна-часопісныя і этыкетка-ўпаковачныя прадпрыемствы, картаграфічныя ф-кі, прадпрыемствы спец. прызначэння, прадпрыемствы малой (аператыўнай) паліграфіі, а таксама тыя, што выпускаюць друкарскую прадукцыю культ.-быт. прызначэння. У залежнасці ад перавагі на паліграф. прадпрыемстве аднаго з асн. відаў прадукцыі адрозніваюць друкарні — прадпрыемствы, якія ў асноўным выкарыстоўваюць спосаб высокага друку, прадпрыемствы плоскага афсетнага, глыбокага, трафарэтнага і інш. відаў друку; паліграф. камбінаты выпускаюць друкарскую прадукцыю некалькімі спосабамі друку.

П.п. прайшла доўгі і складаны шлях развіцця. Тэхн. асновай паліграфіі з’яўляецца вынайдзенае каля 1440 І.​Гутэнбергам кнігадрукаванне. У 16 ст. паліграфія набыла характар развітой мануфактуры. Вынаходніцтва ў 19 ст. друкарскай машыны азначала прамысл. рэвалюцыю ў паліграфіі, стварэнне паліграф. машынабудавання. 3 сярэдзіны 20 ст. ў ходзе навук.-тэхн. рэвалюцыі паліграфія развіваецца па наступных кірунках: пераход да электронных спосабаў вырабу друкарскіх форм для ўсіх спосабаў друку (выкарыстанне ЭВМ для фотанабору і электроннага колерадзялення для каляровага друку), выкарыстанне ролевага афсетнага друку на высокахуткасных машынах, стварэнне аўтам. паточных ліній у апрацоўчых цэхах, комплексная механізацыя і аўтаматызацыя вытв-сці, выкарыстанне фотатэлеграфнай тэхнікі для перадачы газетных палос.

На Беларусі развіццё П.п. пачалося з дзейнасці Ф.Скарыны, які ў 1522 заснаваў друкарню ў Вільні, выкарыстаўшы выразаныя ўручную шрыфты і застаўкі. Друкарскае майстэрства ўдасканальвалі С.Будны, В.Цяпінскі, П.Мсціславец і інш. Першая друкарня на тэр. сучаснай Беларусі — Брэсцкая (1550—70-я г.). Пазней друкарні працавалі ў Нясвіжы, Заблудаве, Слуцку, Любчы, Магілёве, Куцейне (гл. адпаведныя артыкулы). Кнігі выдаваліся на старабел., польскай, стараслав. мовах. Пасля далучэння Беларусі да Рас. імперыі адкрыты друкарні ва ўсіх губ. гарадах. У 1913 выдадзена 232 назвы кніг тыражом 212 тыс. экз. У 1920 у БССР было 76 паліграф. прадпрыемстваў; пабудаваны Дом друку (з 1960 друкарня выдавецтва «Звязда», з 1969 друкарня Выдавецтва ЦК КПБ, з 1992 у сістэме Дзяржкамдруку, потым Савета Міністраў, з 1994 — Кіраўніцтва справамі Прэзідэнта Рэспублікі Беларусь; гл. Беларускі дом друку). У 1940 па Беларусі надрукавана 76 млн. аркушаў-адбіткаў. Пасля Вял. Айч. вайны адноўлены разбураныя паліграф. прадпрыемствы, пабудаваны Мінскі паліграфічны камбінат. З сучасных паліграф. прадпрыемстваў найб. буйныя Мінскі паліграфічны камбінат, Мінская фабрыка каляровага друку, Беларускі дом друку, Мінская шпалерная фабрыка, Гомельская фабрыка «Палесдрук», друкарня «Перамога» ў Маладзечне.

Сярод краін свету найб. развітую П.п. маюць Германія, ЗША, Італія, Канада, Францыя, Швецыя, Швейцарыя, Японія і інш. Гл. таксама Друк, Выдавецкая справа, Нотадрукаванне, Картадрукаванне.

т. 11, с. 556