Verbum

І́НДЫЙ (лац. indium),

In, хімічны элемент III групы перыяд. сістэмы, ат. н. 49. ат. м. 114,82. У прыродзе 2 ізатопы: ​¹¹³In(4,3%) і слаба радыеактыўны (b-выпрамяняльнік, перыяд паўраспаду 5∙10​¹⁴ гадоў) ​¹¹⁵In (95,7%). Рассеяны элемент, у зямной кары 10​⁻⁵% па масе. Адкрыты ў 1863 ням. вучонымі Ф.​Райхам і Т.​Рыхтэрам пры спектраскапічным даследаванні цынкавай падманкі, названы па сіняй (колеру індыга) лініі спектра.

Серабрыста-белы мяккі метал t_пл 156,78 °C, t_кіп 2024 °C, шчыльн. 7310 кг/м³ Устойлівы ў паветры, не ўзаемадзейнічае з азотам, вадародам, вугляродам. Пры т-ры вышэй за 800 °C гарыць з утварэннем сэсквіаксіду In₂O₃ (светла-жоўтае крышт. рэчыва, t_пл 1910 °C). Узаемадзейнічае з мінер. і арган. к-тамі, пры награванні — з хлорам, бромам, ёдам. Пры сплаўленні з халькагенамі (сера, селен, тэлур) утварае халькагеніды (паўправадніковыя матэрыялы). Атрымліваюць з адходаў і паўпрадуктаў свінцова-цынкавай і алавянай вытв-сці. Выкарыстоўваюць у вытв-сці легкаплаўкіх сплаваў, паўправадніковых матэрыялаў, як матэрыял для герметызацыі ў вакуумных прыладах і касм. апаратах. Таксічны, пыл І. і яго злучэнняў выклікае пашкоджанне лёгкіх, шкодна ўплывае на печань і селязёнку.

Літ.:

Яценко С.П. Индий: свойства и применение. М., 1987.

І.​В.​Боднар.

т. 7, с. 240

ЛЕГКАПЛА́ЎКІЯ СПЛА́ВЫ,

металічныя сплавы з т-рай плаўлення, ніжэйшай за т-ру плаўлення волава (231,9 °C). У састаў Л.с. уваходзяць у розных спалучэннях і суадносінах волава, вісмут, індый, свінец, кадмій, цынк, галій, ртуць (гл. Амальгамы) і інш. металы. Найб. пашыраныя эўтэктычныя сплавы гэтых кампанентаў (гл. Эўтэктыка), напр., сплаў Вуда (50% Bi, 25% Pb, 12,5% Sn, 12,5% Cd) плавіцца пры 68 °C. Самы легкаплаўкі з вядомых — сплаў ртуці (91,5%) і талію (8,5%) мае t_пл -59 °C. Выкарыстоўваюць у якасці прыпояў, плаўкіх засцерагальнікаў, метал. замазак, матэрыялаў для ліцейных мадэляў.

Г.​Г.​Паніч.

т. 9, с. 184

ЗМА́ЗАЧНЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ,

рэчывы з сукупнасцю ўласцівасцей, якімі абумоўлена іх змазачнае дзеянне. Выкарыстоўваюць для змазкі. Адрозніваюць вадкія (змазачнае масла, змазачна-ахаладжальныя вадкасці), пластычныя (пластычныя змазкі), цвёрдыя і газападобныя.

Цвёрдыя З.м. — парашкападобныя рэчывы (напр., графіт, дысульфіды малібдэну, вальфраму), мяккія металы (напр., індый, свінец), палімеры (найб. пашыраны політэтрафторэтылен), цвёрдыя арган. рэчывы (напр., мыла, воскі); газападобныя З.м. — індывід. газы, іх сумесі і пара некат. злучэнняў (напр., вуглевадародаў), выкарыстоўваюць для змазкі механізмаў, якія эксплуатуюцца ў асабліва цяжкіх умовах: высокіх (больш за 300 °C) і крыягенных т-рах, пры вял. нагрузках, высокім узроўні радыяцыі (напр., у ядз. рэактарах).

т. 7, с. 94

ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,

кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл. Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.

Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу A​^IIIB​^V, дзе A​^III — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), B​^V — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.

Літ.:

Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М., 1975;

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. М., 1979.

Л.​М.​Шахлевіч.

т. 5, с. 209