Verbum

ПАРАЎНА́ННЕ ў філасофіі,

акт мыслення, пры дапамозе якога класіфікуецца, упарадкоўваецца і ацэньваецца змест быцця і пазнання. Заключаецца ў папарным супастаўленні аб’ектаў з мэтай выяўлення іх адносін; пры гэтым істотным з’яўляюцца ўмовы, або асновы П., — адзнакі, якія дэтэрмінуюць магчымыя адносіны паміж прадметамі. Найб. важны і просты тып адносін, якія выяўляюцца праз П. — адносіны тоеснасці і адрознення. Паводле адносін парадку П. звычайна звязвацца з іерархічнымі класіфікацыямі прадметаў, а П. па ўласцівасцях — з т.зв. разбіваннямі на класы абстракцый.

П. ў літаратуры — мастацкі прыём, пабудаваны на супастаўленні прадметаў ці з’яў, у выніку якога сутнасць аднаго з іх вытлумачваецца праз сутнасць другога; найб. пашыраны від тропа. Граматычна афармляецца з дапамогай злучнікаў і злучальных слоў («як», «нібы», «быццам», «няйначай» і інш.), творным склонам назоўніка, апісальным зваротам, інтанацыйнай (бяззлучнікавай) сувяззю. Бываюць разгорнутыя П., дзякуючы якім падрабязна характарызуецца пэўная з’ява. Асобны від П. — адмоўнае П., у якім пры знешнім проціпастаўленні двух паняццяў ці з’яў наглядаецца іх глыбокае ўнутр. супастаўленне: «Не каліна над вадою // Пахіліла голле — // Плача маці сярод поля, // Праклінае долю» (П.​Трус). Ад П. паходзяць паралелізм, метанімія, метафара, сінекдаха, гіпербала, літота і інш. Гутарковай мове ўласцівы ўстойлівыя, або нар. П.: «чысты як сляза», «чорны як сажа» і інш. У л-ры часам увесь твор — адно разгорнутае П., напр., верш М.​Багдановіча «Зразаюць галіны таполі адну за адной...». П. робіць тэкст твора па-мастацку дакладным, наглядным, жывапісным, выяўляе мастакоўскую своеасаблівасць паэта, яго стаўленне да таго, што адлюстроўваецца ў творы.

В.​П.​Рагойша (літаратура).

т. 12, с. 93

ЛА́ЗЕР (англ. laser, скарачэнне ад Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation узмацненне святла вымушаным выпрамяненнем),

аптычны квантавы генератар эл.-магн. выпрамянення ў бачным, інфрачырвоным ці ультрафіялетавым дыяпазонах даўжынь хваль. Прынцып работы Л. заснаваны на ўзмацненні святла пры наяўнасці адваротнай сувязі. Выкарыстоўваецца ў навук. фіз., хім., біял. даследаваннях, прам-сці, медыцыне, экалогіі, лініях валаконна-аптычнай сувязі, для запісу, апрацоўкі, перадачы і захоўвання інфармацыі і інш., а таксама ў ваен. справе (прамянёвая зброя).

Л. мае актыўнае асяроддзе, прылады напампоўкі для ўзбуджэння рэчыва ва ўзмацняльны стан і адваротнай сувязі, якая забяспечвае шматразовае праходжанне выпрамянення праз актыўнае рэчыва. Адваротная сувязь ствараецца люстэркамі (гл. Аптычны рэзанатар) або перыядычнымі неаднастайнасцямі актыўнага рэчыва (Л. з размеркаванай адваротнай сувяззю). Паводле актыўнага рэчыва адрозніваюць газавы лазер, паўправадніковы лазер, цвердацелы лазер, вадкасны на арган. фарбавальніках, эксімерны Л. (на малекулах галагенаў з высакароднымі газамі), Л. на свабодных электронах і інш.; паводле рэжыму работы — неперарыўны і імпульсны (выпрамяняюцца адзінкавыя імпульсы ці перыядычная паслядоўнасць імпульсаў з частатой паўтарэння да 10​⁷ с​⁻¹.

На Беларусі даследаванні і распрацоўкі Л. праводзяцца ў ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі Нац. АН, БДУ, БПА і інш. Бел. вучонымі і інжынерамі створаны лазеры на арган. фарбавальніках, рэалізаваны розныя метады кіравання параметрамі лазернага выпрамянення і выкарыстання Л. ў навук. даследаваннях, медыцыне, апрацоўцы інфармацыі.

Літ.:

Степанов Б.И. Лазеры на красителях. М., 1979;

Яго ж. Лазеры сегодня и завтра. Мн., 1987;

Качмарек Ф. Введение в физику лазеров: Пер. с пол. М., 1981;

Тарасов Л.В. Лазеры действительности и надежды. М., 1985;

Войтович А.П., Севериков В.Н. Лазеры с анизотропными резонаторами. Мн., 1988.

П.​А.​Апанасевіч.

т. 9, с. 100

МО́ЛАТ,

1) машына ўдарнага дзеяння для апрацоўкі метал. загатовак ціскам. Мае ўдарную ч. (поршань, шток, бабу), масіўную аснову — шабат, што ўспрымае ўдар, станіну, прывод і механізм кіравання. Бываюць парапаветраныя, пнеўматычныя, гідраўлічныя, мех. і інш. Выкарыстоўваюцца для коўкі (ковачныя М.) і аб’ёмнай ці ліставой штампоўкі (штамповачныя М.).

Рычажныя М. з ручным прыводам вядомыя з 13—14 ст. У пач. 16 ст. з’явіліся М. з прыводам ад вадзянога кола — т.зв. сярэднебойныя (Германія) і хваставыя (Францыя, Італія, Вялікабрытанія). Пазней узніклі т.зв. лабавыя і таўкачовыя, а таксама М. інш. канструкцый. У сярэдзіне 18 ст. сталі ўжываць М. з паравым прыводам. Першы паравы М., у якім пара непасрэдна прыводзіла ў рух рухомыя часткі, сканструяваў англ. машынабудаўнік Дж.​Несміт (патэнт 1842). У пач. 20 ст. пачалі выкарыстоўваць М. з электрапрыводам, у 1940-я г. — выбуховыя, у 1950-я г. — высокахуткасныя газавыя.

2) Буд. машына для забівання ў грунт паляў, шпунтоў і інш., разнавіднасць палябойнага абсталявання. Бываюць ударнага і вібрацыйнага (гл. Вібрамолат) дзеяння; парапаветраныя, дызельныя (гл. Дызель-молат) і мех. (з прыводам ад лябёдкі). Выкарыстоўваюцца ў мостабудаванні, гідратэхн., дарожным, прамысл. і інш. буд-ве.

3) Ручны інструмент для коўкі металаў. Малыя М. наз. ручнікамі, вял. цяжкія — кувалдамі (гл. ў арт. Кавальскі інструмент).

У.​М.​Сацута.

т. 10, с. 514

ПАЛАДЫЯ́НСТВА,

кірунак у еўрап. архітэктуры 17—18 ст., які развіў (у рамках класіцызму) прынцыпы, закладзеныя ў творчасці італьян. архітэктара і тэарэтыка архітэктуры Позняга Адраджэння А.Паладыо. Першы прадстаўнік П. — арх. В.​Скамоцы, які закончыў некат. пабудовы Паладыо (віла Капра ці «Ратонда» каля Вічэнцы і інш.). У 17 ст. найб. паслядоўна адбілася ў архітэктуры Вялікабрытаніі (І.Джонс) і Галандыі (Я. ван Кампен). Росквіт П. прыпадае на 18 ст., калі англ. (У.​Кент, К.​Кэмпбел і інш.) і ням. (Г.В.Кнобельсдорф, Ф.​В.​Эрдмансдорф) архітэктары ўзводзілі будынкі, адметныя строгай прастатой, вытанчанасцю форм і дэкору, мэтазгоднасцю планіроўкі, арган. сувяззю з наваколлем (пейзажныя паркі). У Расіі пабудовы гэтага кірунку з’явіліся ў 1780—90-х г. і вылучаліся інтымнасцю і прастатой (Ч.Камерон, Дж.Кварэнгі, А.М.Львоў). На Беларусі ўплыў П. меў месца ў палацавай, сядзібнай, культавай архітэктуры 2-й пал. 18—1-й пал. 19 ст. Для збудаванняў характэрны прастата і рацыянальнасць планавай будовы, выкарыстанне ў арх.-маст. кампазіцыі перапрацаваных форм ант. ордэраў; палацы сім. кампазіцыі з анфіладнымі параднымі пакоямі ў цэнтры. Тыповымі для палацаў былі працяглыя, плоскасна вырашаныя фасады і пластычна багатыя порцікі (палацы ў Гомелі, в. Жылічы Кіраўскага р-на Магілёўскай вобл.). Некат. паркавыя і службовыя пабудовы сядзіб мелі цэнтрычную кампазіцыю і былі аналагічныя збудаванням тыпу вілы «Ратонда» Паладыо («павільён руж» у сядзібе ў в. Старыя Пескі Мастоўскага р-на Гродзенскай вобл., драўляны свіран у сядзібе на хутары Крыкалы, Пастаўскі р-н Віцебскай вобл.). Асобныя культавыя пабудовы мелі цэнтрычную кампазіцыю, адсутнічалі традыц. апсіды, аднолькава вырашаліся ўсе фасады (Слаўгарадская царква Раства Багародзіцы, Стрэшынская царква), пашырыліся храмы-ратонды (Чачэрская Спаса-Праабражэнская царква).

Г.​С.​Ларкін.

т. 11, с. 534

ВАЛЕ́НТНАСЦЬ (ад лац. valentia сіла),

здольнасць атама хім. элемента ўтвараць пэўную колькасць хімічных сувязяў з інш. атамамі. Паняцце «валентнасць» увёў англ. хімік Э.Франкленд (1853). Велічыня валентнасці атама хім. элемента вызначаецца колькасцю атамаў вадароду (прынята лічыць аднавалентным), якія ён далучае пры ўтварэнні гідрыдаў (злучэнні з вадародам). Напр., атам хлору далучае 1 атам вадароду (хлорысты вадарод HCl), атам кіслароду — 2 атамы (вада H₂O), таму валентнасць хлору і кіслароду ў гэтых злучэннях адпаведна 1 і 2. Паняцце «валентнасць» атрымала развіццё ў квантава-хім. тэорыі хім. сувязі. Паводле гэтай тэорыі велічыня валентнеасці атама (спін-валентнасць) вызначаецца колькасцю электронных пар, якія фарміруюцца пры ўтварэнні хім. сувязяў паміж дадзеным і інш. атамамі за кошт абагульнення іх электронаў з няспаранымі спінамі. Электроны атама, якія могуць удзельнічаць у фарміраванні агульных электронных пар, наз. валентнымі (электроны вонкавых электронных слаёў). У атамах элементаў з недабудаваным перадапошнім слоем (напр., у атамаў жалеза Fe, марганцу Mn, вальфраму W) валентнымі могуць быць і некаторыя электроны гэтага слоя. Многія элементы маюць пераменную валентнасць (напр., у серавадародзе H₂S, аксідах SO₂ і SO₃ валентнасць серы адпаведна 2, 4, 6).

Валентнасць вызначаецца толькі колькасцю кавалентных сувязяў. Для злучэнняў з іоннай сувяззю выкарыстоўваецца паняцце акіслення ступень, якая колькасна роўная валентнасці, але дадаткова характарызуецца дадатным ці адмоўным знакам. У комплексных злучэннях і іонных крышталях каардынацыйны лік атамаў (іонаў) перавышае велічыню спін-валентнасці, таму карыстаюцца паняццем каардынацыйнай валентнасці, якая колькасна роўная суме спін-валентнасці і колькасці атамаў (іонаў), дадаткова звязаных з валентнанасычаным атамам. Напр., у комплексным злучэнні гексафтораалюмінат (III) натрыю Na₃[AlF₆] спін-валентнасць атама алюмінію 3, ступень акіслення +3, але пры ўтварэнні злучэння з AlF₃ і NaF атам валентнанасычанага Al дадаткова хімічна звязваецца з 3 іонамі F​⁻, таму каардынацыйная валентнасць алюмінію ў гэтым злучэнні 6. Гл. таксама Комплексныя злучэнні, Малекула, Крышталі.

Літ.:

Чаркин О.П. Проблемы теории валентности, химической связи, молекулярной структуры. М., 1987.

В.​В.​Свірыдаў.

т. 3, с. 479

КРА́ТНАЯ СУ́ВЯЗЬ,

хімічная сувязь, якая, у адрозненне ад простай хім. сувязі, утворана больш чым адной парай электронаў. Паводле ліку электронных пар, што ўдзельнічаюць ва ўтварэнні К.с., адрозніваюць падвойную, патройную і чацвярную сувязі.

Паводле ўласцівасцей сіметрыі малекулярных арбіталей К.с. падзяляюць на σ-, π- і δ-сувязі. Арбіталі σ-сувязей маюць цыліндрычную сіметрыю адносна лініі сувязі, арбіталі π-сувязей антысіметрычныя адносна плоскасці, якая праходзіць праз сувязь. Простая хімічная сувязь утвараецца толькі σ-малекулярнымі арбіталямі, а π-сувязь — паміж атамамі ўжо злучанымі σ-сувяззю. Падвойная сувязь складаецца з адной σ- і адной π-сувязей (напр., у малекуле этылену H₂C=CH₂). Патройная сувязь паміж 2 атамамі з’яўляецца камбінацыяй адной σ- і дзвюх π-сувязей (напр., у малекуле ацэтылену HC=CH). Чацвярная сувязь, характэрная толькі для пераходных металаў, уключае арбіталі патройнай сувязі і арбіталі δ-сувязі. Найб. трываласцю вызначаюцца σ-сувязі. Энергія π-сувязі складае прыкладна 80% энергіі σ-сувязі, а ўклад δ-сувязі, напр., у комплексным октахлорадырэнат-аніёне [Re₂CL₈]​^2-, ацэньваецца прыблізна ў 14% ад поўнай энергіі сувязі. Пры наяўнасці ў малекуле 2 і большага ліку К.с. яны ўтвараюць сістэмы з кумуляванымі (2 падвойныя сувязі мяжуюць з адным атамам, напр., у алене H₂C=C=CH₂), спалучанымі [падвойныя ці (і) патройныя сувязі падзелены адной простай, напр., у акрыланігрыле H₂C=CH—C≡N] і ізаляванымі сувязямі (К.с. падзелены 2 і больш простымі сувязямі, гл. Дыенавыя вуглевадароды). У спалучаных сістэмах парадак К.с. (мера кратнасці, заселенасці сувязі электронамі) — велічыня дробная.

Літ.:

Гиллеспи Р. Геометрия молекул: Пер. с англ. М., 1975;

Коттон Ф.А., Уолтон Р.У. Кратные связи металл—металл: Пер. с англ. М., 1985.

Я.​Г.​Міляшкевіч.

т. 8, с. 465

МЕТА́ЛЫ (лац. metallum ад грэч. metallon шахта, руднік),

простыя рэчывы, якія ў звычайных умовах маюць характэрныя, метал., уласцівасці — высокую эл. праводнасць і цеплаправоднасць, адмоўны тэмпературны каэф. эл. праводнасці, здольнасць добра адбіваць эл.-магн. хвалі (бляск, непразрыстасць), пластычнасць. У цвёрдым стане М. — крышт. рэчывы з металічнай сувяззю. У тэхніцы да М. адносяць таксама сплавы на іх аснове (гл. Металазнаўства).

Да М. адносяць 86 са 109 элементаў перыяд. сістэмы. Паводле становішча ў перыяд. сістэме адрозніваюць М. галоўных (a) і пабочных (b) падгруп, ці непераходныя і пераходныя. У непераходных М. адбываецца запаўненне знешніх s- і p-электронных абалонак (напр., шчолачныя металы), у пераходных — запаўненне размешчаных бліжэй да ядра d- і f-абалонак (гл. Пераходныя элементы). Паводле тэхн. класіфікацыі адрозніваюць чорныя (жалеза і яго сплавы) і каляровыя М., якія ўмоўна падзяляюць на некалькі груп: лёгкія металы, цяжкія (свінец, цынк і інш.), тугаплаўкія металы, высакародныя металы, рэдказямельныя М. (гл. Рэдказямельныя элементы), радыеактыўныя М. (гл. Радыеактыўныя элементы) і інш. Хім. ўласцівасці М. абумоўлены электроннай будовай атамаў, якія лёгка аддаюць знешнія (валентныя) электроны, таму ў хім. рэакцыях яны звычайна з’яўляюцца аднаўляльнікамі. М. ўтвараюць асн. аксіды і гідраксіды, многія замяшчаюць вадарод у к-тах. У прыродзе ў свабодным стане трапляюцца рэдка, звычайна ў выглядзе злучэнняў (аксідаў, сульфідаў і інш.). Здабычай М. з руд займаецца металургія. Ступень выкарыстання М. абумоўлена практычнай каштоўнасцю яго ўласцівасцей, а таксама прыроднымі запасамі (распаўсюджанасцю ў зямной кары) і цяжкасцямі атрымання. Здольнасць М. да ўзаемнага растварэння з утварэннем пры крышталізацыі цвёрдых раствораў і інтэрметалідаў (гл. Металіды) дазваляе атрымліваць мноства сплаваў з разнастайным спалучэннем уласцівасцей. У тэхніцы М. выкарыстоўваюць выключна ў выглядзе сплаваў як найважнейшыя канстр. матэрыялы.

Літ.:

Венецкий С.И. Рассказы о металлах. 4 изд. М., 1985;

Гелин Ф.Д., Чаус А.С. Металлические материалы. Мн., 1999.

Г.​Г.​Паніч.

т. 10, с. 307

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363