Verbum

ПРАТЭ́ЗЫ (ад грэч. prothesis далучэнне, дадатак),

прыстасаванні і апараты, якія замяшчаюць форму і функцыю страчаных або функцыян. непаўнацэнных органаў чалавека. Канструкцыі П. заснаваны на дасягненнях фізіялогіі, біямеханікі, электронікі, тэхналогіі матэрыялаў і інш. Пашыраны П. з палімераў, аблегчаных сплаваў (напр., дзюралюміній), камбінаваныя. Раней П. былі пераважна з дрэва, скуры, металаў. Робяць П. рук, ног, зубоў (гл. Пратэзаванне зубоў), вока. Створаны біякіравальныя П. (кіруюцца біяэл. сігналамі з мышцаў куксы) і інш. Адрозніваюць П. часовыя (напр., для фарміравання куксы і абучэння хворага хадзьбе пасля ампутацыі), пастаянныя (верхніх і ніжніх канечнасцей пасля фарміравання куксы), рабочыя (актыўныя), касметычныя (без аднаўлення функцый); гл. таксама Штучныя органы і апараты. На Беларусі П. распрацоўваюць у НДІ траўматалогіі і артапедыі.

т. 13, с. 26

КАНТА́КТНАЯ РО́ЗНАСЦЬ ПАТЭНЦЫЯ́ЛАЎ,

рознасць патэнцыялаў паміж праваднікамі з рознай работай выхаду, якія знаходзяцца ў электрычным кантакце, ва ўмовах раўнавагі тэрмадынамічнай.

Пры кантакце двух праваднікоў паміж імі адбываецца абмен электронамі праводнасці. У выніку праваднік з меншай работай выхаду зараджаецца дадатна, з большай — адмоўна. У вобласці кантакту ўзнікае эл. поле, накіраванае так, што патокі электронаў у абодвух напрамках ураўнаважваюцца, і ўстанаўліваецца пастаянная К.р.п. Яна роўная рознасці работ выхаду праваднікоў. аднесенай да зараду электрона. К.р.п. залежыць ад прыроды правадніка, стану яго паверхні і можа дасягаць некалькіх вольт. На існаванні К.р.п. грунтуецца работа важнейшых элементаў паўправадніковай электронікі: p—n пераходаў і кантактаў метал—паўправаднік; яна выкарыстоўваецца для прамога пераўтварэння цеплавой энергіі ў электрычную; яе трэба ўлічваць пры канструяванні электравакуумных прылад.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 7, с. 603

КВА́НТАВЫ ГІРАСКО́П,

прылада квантавай электронікі для выяўлення і вызначэння велічыні і знака вуглавой скорасці вярчэння або вугла павароту адносна інерцыяльнай сістэмы адліку. Дзеянне заснавана на гіраскапічных уласцівасцях часціц або хваль (атамных ядраў, электронаў, фатонаў і інш.).

Гэтыя ўласцівасці абумоўлены спінавымі (гл. Спін) і арбітальнымі момантамі мікрачасціц і інш. Карысны сігнал (ён прапарцыянальны скорасці вярчэння) узнікае за кошт прэцэсіі мех. і магн. момантаў мікрачасціц або за кошт узнікнення рознасці фаз ці частот паміж сустрэчнымі хвалямі ў вярчальным контуры. У навігацыі выкарыстоўваюць К.г. лазерныя (адчувальным элементам у іх з’яўляецца кальцавы лазер, які генерыруе 2 сустрэчныя хвалі), валаконна-аптычныя (заснаваны на выкарыстанні эфекту Саньяка — зрушэння інтэрферэнцыйных палос у вярчальным кальцавым інтэрферометры); распрацоўваюцца гіраскопы ядзерныя, электронныя, іонныя, радыеізатопныя, джозефсанаўскія і інш.

Г.​С.​Круглік.

т. 8, с. 210

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.​І.​Гурскі.

т. 11, с. 441

ЛУКІ́РСКІ (Пётр Іванавіч) (13.12.1894, г. Арэнбург, Расія — 16.11.1954),

расійскі фізік-эксперыментатар, адзін з стваральнікаў эмісійнай электронікі. Акад. АН СССР (1946, чл.-кар. 1933). Скончыў Петраградскі ун-т (1916). З 1918 у Ленінградскім фіз.-тэхн. ін-це і адначасова з 1943 у Радыевым ін-це АН СССР, праф. Ленінградскага ун-та (з 1928) і політэхн. ін-та (з 1945). Навук. працы па фіз. электроніцы, фізіцы рэнтгенаўскіх прамянёў, ядз. фізіцы. Аўтар шэрагу эксперым. метадаў даследавання (метад сферычнага кандэнсатара, іанізацыйны метад вызначэння кантактавых патэнцыялаў і інш.). Эксперыментальна пацвердзіў ураўненне Эйнштэйна для фотаэфекту і ўдакладніў значэнне пастаяннай Планка (1926). Выканаў грунтоўныя даследаванні электроннай эмісіі з паверхні тонкіх метал. плёнак, што прывяло да стварэння спец. фотакатодаў (1937).

Літ.:

П.​И.​Лукирский. М., 1959;

Физики о себе. Л., 1990. С. 192—199.

т. 9, с. 364

РАДЫЁФІ́ЗІКА,

галіна фізікі, што вывучае працэсы, звязаныя з узбуджэннем, узмацненнем і пераўтварэннем эл.-магн. ваганняў радыёдыяпазону (радыёхваль), а таксама працэсы іх выпрамянення, распаўсюджання і прыёму. Цесна звязана з матэм. фізікай, радыётэхнікай, электронікай і інш. З Р. вылучыліся радыёастраномія, радыёметэаралогія, радыёспектраскапія.

Радыёфіз. метады даюць магчымасць рашаць задачы аптымізацыі прыёмных, перадавальных і пераўтваральных радыёсістэм, шырока выкарыстоўваюцца ў медыцыне, эксперым. фізіцы, радыё- і гідралакацыі. Асн. кірункі даследаванняў: дыфракцыя і распаўсюджванне радыёхваль, узаемадзеянне радыёхваль з электроннымі патокамі, радыёгалаграфія, радыёінтраскапія, тэорыя і тэхніка антэн і інш. Значны ўклад у развіццё Р. зрабілі рас. вучоныя Л.Л.Мандэльштам, М.​Дз.Папалексі і інш.

На Беларусі даследаванні па Р. праводзяцца з 1950-х г. у Ін-це фізікі і Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

М.​А.​Вількоцкі, П.​Дз.​Кухарчык.

т. 13, с. 238

ГАНЧАРЭ́НКА (Андрэй Маркавіч) (н. 2.1.1933, в. Версанка Крупскага р-на Мінскай вобл.),

бел. фізік. Акад. АН Беларусі (1984, чл.-кар. 1972), д-р фізіка-матэм. н. (1972), праф. (1974). Засл. дз. нав. Беларусі (1978). Скончыў БДУ (1956). З 1959 у Ін-це фізікі, з 1970 нам. дырэктара ін-та і кіраўнік Магілёўскага аддз. Ін-та фізікі, у 1987—97 гал. вучоны сакратар Прэзідыума, адначасова з 1991 дырэктар Аддзела антычных аптычных праблем інфарматыкі АН Беларусі. Навук. працы ў галіне фіз. і інтэгральнай оптыкі, квантавай і аптычнай электронікі. Распрацаваў тэорыю дыэлектрычных хваляводаў і святлаводаў, тэорыю анізатропных рэзанатараў аптычных квантавых генератараў. Дзярж. прэмія Беларусі 1984.

Тв.:

Гауссовы пучки света. Мн., 1977;

Основы теории оптических волноводов. Мн., 1983 (разам з В.​А.​Карпенкам).

Літ.:

А.М. Ганчарэнка // Весці АН Беларусі. Сер. фіз.-матэм. навук 1993. № 1.

М.​У.​Токараў.

т. 5, с. 35

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363

ІО́ФЕ (Абрам Фёдаравіч) (29.10.1880, г. Ромны Сумскай вобл., Украіна — 14.10.1960),

расійскі фізік, адзін з заснавальнікаў сав. фіз. школы. Акад. АН СССР (1920, чл.-кар. 1918). Герой Сац Працы (1955). Скончыў Пецярбургскі тэхнал. ін-т (1902). Арганізатар і першы дырэктар Фіз.-тэхн. ін-та (1921—51; цяпер імя І.), Ін-та паўправаднікоў (1955—60) АН СССР і Фіз.-агранамічнага ін-та (1932—60). Навук. працы па трываласці, пластычнасці, электраправоднасці цвёрдага цела. Зрабіў значны ўклад у фізіку і тэхніку паўправаднікоў: паклаў пачатак даследаванням паўправаднікоў як новых матэрыялаў для электронікі, прапанаваў тлумачэнне механізму выпрамлення эл. току ў паўправадніках, распрацаваў асн. аспекты вы карыстання тэрма- і фотаэл. уласцівасцей паўправаднікоў для пераўтварэння цеплавой і светлавой энергіі ў электрычную і інш. Дзярж. прэмія СССР 1942. Ленінская прэмія 1961.

Тв.:

Избр. труды. Т. 1—2. Л., 1974—75.

Літ.:

А.​Ф.​Иоффе (1880—1960). 2 изд. М., 1981;

Физики о себе. Л., 1990.

т. 7, с. 299

КАВАЛЁЎ (Анатоль Анатолевіч) (н. 13.1.1939, г. Гомель),

бел. фізік. Чл.-кар. Нац. АН Беларусі (1989). Д-р фіз.-матэм. н. (1988), праф. (1991). Скончыў Гомельскі пед. ін-т (1961). З 1964 у Ін-це фізікі, з 1971 у Ін-це электронікі Нац. АН Беларусі (з 1982 нам. дырэктара). Навук. працы па лазернай фізіцы, нелінейнай оптыцы вадкіх крышталёў, апрацоўцы аптычнай інфармацыі. Развіў метады кіравання параметрамі выпрамянення цвердацелых лазераў для задач атрымання і апрацоўкі інфармацыі; устанавіў асн. заканамернасці палярызацыі выпрамянення лазераў на фарбавальніках і нелінейна-аптычных з’яў, што ўзнікаюць у вадкакрышт. анізатропных асяроддзях пад уздзеяннем выпрамянення цвердацелых лазераў. Дзярж. прэмія СССР 1985. Дзярж. прэмія Беларусі 1996.

Тв.:

Оптические квантовые генераторы с просветляющимися фильтрами. Мн., 1975 (разам з У.​А.​Піліповічам);

Поляризация излучения, генерируемого растворами сложных молекул (з ім жа) // Проблемы современной оптики и спектроскопии. Мн., 1980;

ОВФ в нематиках, активированных красителями, в поле импульсного излучения рубинового лазера (у сааўт.) // Квантовая электроника. 1995. Т. 22, № 8.

т. 7, с. 394