ПЕНДАРЭ́ЦКІ ((Penderecki) Кшыштаф) (н. 25.11.1933, г. Дэмбіца, Польшча),

польскі кампазітар, дырыжор, педагог. Чл. Польскай АН у Кракаве (1994). Скончыў Акадэмію музыкі ў Кракаве (1957), з 1959 выкладае ў ёй кампазіцыю, у 1972—87 рэктар. У 1973—78 выкладаў у Іельскім ун-це (ЗША). Дырыжыруе вядучымі сімф. аркестрамі (з 1973), вядзе майстар-класы ў буйнейшых муз. цэнтрах Еўропы і ЗША і інш. Арыгінальная экспрэсіўнасць музыкі П. грунтуецца на глыбокім адчуванні магчымасцей сучасных гукавых сістэм і выкарыстанні іх ва ўсіх сферах кампазітарскай тэхнікі ад артыкуляцыі да формаўтварэння. Зрабіў адкрыцці ў гукавой каларыстыцы. Творам уласцівы глыбокі маст. змест, шырокі спектр сродкаў выразнасці, выкарыстанне традыцый каталіцкай музыкі. У творчасці звяртаецца да агульначалавечай тэматыкі («Строфы» для сапрана, дэкламатара і 10 інструментаў, 1959; «Плач па ахвярах Хірасімы», 1960; араторыя «Dies irae», 1967, памяці ахвяр Асвенціма; «Касмагонія», 1970), рэліг. музыкі («Страсці паводле Лукі», 1965; «Ютрань», 1972; «Магніфікат», 1974; «Te Deum», 1980; «Польскі рэквіем», 1984) і інш. Аўтар опер («Д’яблы з Лудэна», 1969; «Страчаны рай», 1978; «Чорная маска», 1986; «Убу кароль», 1991), арк. твораў (3 сімфоніі, у т. л. «II Christmas Symphony», 1980; «De natura sonoris I—II», 1966—70; «Пасакалія», 1988; «Адажыо», 1989), інстр. канцэртаў (2 віяланчэльных, скрыпічны, альтовы), камерна-інстр. музыкі. Дзярж. прэмія Польшчы 1968, 1984.

Літ.:

Lisicki K. Szkice o K. Pendereckim. Warszawa, 1973;

Erhardt L. Spotkania z Krzysztofem Pendereckim. Krakow, 1975;

Tomaszewski M. Krzysztof Penderecki i jego muzyka. Krakow, 1994;

Ивашкин А.В. Кшиштоф Пендерецкий. М., 1983.

Т.​А.​Дубкова.

т. 12, с. 265

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

Напа́сць ’несправядлівае абвінавачванне, паклёп’ (Нас., Яруш.), ’нагавор, паклёп’, ’гора, бяда’ (Гарэц.), ’дарэмшчына’ (робіць як за напасць), ’нагавор, паклёп’, ’бяда, гора’ (ТС), напась ’выдумка, памылковае непраўдзівае абвінавачванне, нападкі’ (бялын., Янк. Мат.), напа́сць (napáść) ’бяда, гора’ (рагач., будакаш., Мат. Гом., Пятк.); сюды ж напа́слівы ’які ўзводзіць на іншых паклёп, ставіць іх пад падазрэнне’, напа́сны ’небяспечны’, напа́ставаць ’несправядліва узводзіць на каго-небудзь віну, паклёп; паклёпнічаць’ (Нас.), напаснык (< напастник) ’чалавек, які прыносіць бяду, няшчасце’ (Булг.); рус. напасть ’няшчасце, бяда’, ’нагавор’, ’прынясенне’, ’нечаканае шчасце, удача’, укр. ’прычэпка’, ’бяда, няшчасце’, ’штраф’, ’паклёп’, польск. napaść ’напад, прычэпка’, ’прымус’, ’бяда, няшчасце’, ’хвароба коней і інш.’, чэш. nápast ’няшчасце’, ’прынада; западня’, ст.-чэш. ’цяжкасць’, ’жах’, славен. napâst ’нападзенне’, серб.-харв. на́паст ’няшчасце, бяда, напасць’, балг. напа́ст ’напасць, бяда, няшчасце’, макед. напаст ’тс’, ст.-слав. напасть ’спакуса’, ’нападкі’, ’няшчасце’. Шырокая семантыка сведчыць, што гэта хутчэй за ўсё самастойнае для кожнай славянскай мовы, аднак дастаткова старажытнае ўтварэнне ад дзеясловаў тыпу напа́сць, напада́ць, што маюць вялікі спектр значэнняў: ’напасці, наляцець’, ’наваліцца’, ’апанаваць’, ’раптоўна з’явіцца’, ’прыгнятаць’ і інш. (Махэк₂, 389; Фасмер, 3, 43).

Этымалагічны слоўнік беларускай мовы (1978-2017)

ПЛАСТЫ́ЧНЫЯ МА́СЫ, пластмасы, пластыкі,

матэрыялы на аснове палімераў, якія пры фармаванні іх у вырабы знаходзяцца ў вязкацякучым ці высокаэластычным стане, а пры эксплуатацыі — у шклопадобным або аморфна-крышталічным. У састаў П.м. акрамя палімераў уваходзяць напаўняльнікі: цвёрдыя (паводле іх прыроды адрозніваюць арганапласты, азбапластыкі, борапластыкі, вугляродапласты, графітапласты, металапалімеры, шклапластыкі) ці газападобныя (гл. Газанапоўненыя пластыкі), стабілізатары (антыаксіданты, антыпірэны і інш.), пластыфікатары, фарбавальнікі і пігменты. Паводле фіз. і хім. ператварэнняў, што адбываюцца з палімерам пры фармаванні вырабаў падзяляюць на тэрмапласты (найважн. на аснове поліэтылену, полівінілхларыду, полістыролу) і рэактапласты (найб. пашыраны від — фенапласты).

Перапрацоўка рэактапластаў у вырабы адбываецца адначасова з ацвярдзеннем палімераў, пры гэтым пластык страчвае здольнасць пераходзіць у вязкацякучы стан. Пры фармаванні вырабаў з тэрмапластаў матэрыял цвярдзее пры ахаладжэнні расплаву без хім. сшывання макрамалекул і захоўвае здольнасць да шматразовых пераходаў у вязкацякучы стан. П.м. бываюць аднафазнымі (гамагеннымі) і мнагафазнымі (гетэрагеннымі кампазіцыйнымі) матэрыяламі; у гамагенных палімер з’яўляецца асн. кампанентам, які вызначае ўласцівасці матэрыялу, у кампазіцыйных выконвае функцыю дысперсійнага асяроддзя (сувязнага) у адносінах да інш. кампанентаў. Найважн. добрыя якасці П.м.: малая шчыльнасць, нізкі каэф. трэння і малы знос пры эксплуатацыі, высокая хім. ўстойлівасць, выдатныя дыэлектрычныя і аптычныя ўласцівасці, шырокі спектр дэфармацыйна-трываласных уласцівасцей, прывабны знешні выгляд вырабаў. Асн. прамысл. метады перапрацоўкі тэрмапластаў — ліццё пад ціскам, экструзія, вакуум-фармаванне, пнеўмафармаванне; рэактапластаў — прасаванне і ліццё пад ціскам.

Выкарыстоўваюць ва ўсіх галінах прам-сці і сельскай гаспадаркі ў якасці матэрыялаў рознага прызначэння (канстр., ахоўнага, электратэхн., дэкаратыўнага, фрыкцыйнага і інш.). На Беларусі пластмасавыя вырабы выпускае Барысаўскі завод пластмасавых вырабаў, мінскі завод «Тэрмапласт». Гл. таксама Высокамалекулярныя злучэнні.

Літ.:

Кацнельсон М.Ю., Балаев Г.А. Полимерные материалы: Свойства и применение: Справ. Л., 1982.

М.​Р.​Пракапчук.

т. 12, с. 411

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГЕЛІЯЎСТАНО́ЎКА,

прыстасаванне для пераўтварэння энергіі сонечнай радыяцыі ў іншыя віды энергіі з мэтай іх практычнага выкарыстання. Бываюць з геліяканцэнтратарамі і без іх.

Геліяўстаноўкі з канцэнтратарамі забяспечваюць значнае павышэнне шчыльнасці сонечнай радыяцыі, выкарыстоўваюцца для ажыццяўлення высокатэмпературных (да 3000—3500 °C пры ккдз 0,4—0,6) тэхнал. працэсаў (сонечныя печы для плаўкі металаў і тэрмаапрацоўкі вогнетрывалых матэрыялаў, сонечныя энергетычныя ўстаноўкі). Геліяўстаноўкі без канцэнтратараў непасрэдна ўлоўліваюць сонечныя прамяні — працуюць па прынцыпе «гарачай скрыні», маюць больш шырокі спектр выкарыстання (сонечныя батарэі, сонечныя воданагравальнікі, апрасняльнікі вады, сушылкі, кандыцыянеры, халадзільнікі і інш.). У геліяэнергетыцы для атрымання пары прамысл. параметраў выкарыстоўваюцца прыблізна парабалічныя геліяўстаноўкі (гл. Сонечная электрастанцыя). Перспектыўныя геліяўстаноўкі з сонечнымі цеплаакумулятарамі (ЦА). У ЦА лішак цеплавой энергіі, створаны за кошт прытоку сонечнага цяпла ў дзённы час, забіраецца цеплаакумулюючым матэрыялам, захоўваецца (да 10 сут) і паступова выкарыстоўваецца для тэхнал. або быт. патрэб.

На Беларусі даследаванні і распрацоўкі геліяўстановак і іх элементнай базы вядуцца ў Акад. навук. комплексе «Ін-т цепла- і масаабмену імя А.​В.​Лыкава» (АНК ІЦМА), Ін-це фізікі цвёрдага цела паўправаднікоў Нац. АН Беларусі, Бел. політэхн. акадэміі, Цэнтр. НДІ механізацыі і электрыфікацыі сельскай гаспадаркі і інш. У АНК ІЦМА распрацаваны 2 тыпы ЦА, якія назапашваюць сонечную цеплавую энергію, што паступае праз сцены, вокны і ад геліякалектараў (тэмпературны дыяпазон ЦА 10—150 °C).

Літ.:

Гл. пры арт. Геліятэхніка.

У.​Л.​Драгун, С.​У.​Конеў.

Геліяўстаноўка з парабалоідным канцэнтратарам дыяметрам 10 м: 1 — нясучая канструкцыя з процівагай; 2 — канцэнтратар; 3 — геліяпераўтваральнік.
Да арт. Геліяўстаноўка. Цеплавы акумулятар для жылых памяшканняў: 1 — увод і вывад паветра, што награецца; 2 — аднафазнае акумулюючае рэчыва; 3 — фазапераменнае акумулюючае рэчыва; 4 — вадкасны цеплаабменнік.
Да арт. Геліяўстаноўка. Сценавая геліяцеплаакумулюючая сістэма для ацяплення памяшканняў: 1 — цеплаўспрымальны элемент (геліяабсорбер); 2 — цеплавы акумулятар; 3 — падлога/столь памяшкання; 4 — радыятар; 5 — прамежкавы цеплаабменнік: 6 — сцяна будынка.

т. 5, с. 142

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІНФРАЧЫРВО́НАЕ ВЫПРАМЯНЕ́ННЕ, інфрачырвоныя прамяні,

нябачнае электрамагнітнае выпрамяненне аптычнага дыяпазону з даўжынёй хваль ад 0,74 мкм да 1—2 мм (ад чырв. канца бачнага спектра да найб. кароткіх радыёхваль). Выпрамяняецца ўсякім целам, асабліва нагрэтым. Складае значную ч. выпрамянення Сонца, большую ч. выпрамянення лямпаў напальвання, розных газаразрадных крыніц святла. Шырока выкарыстоўваюцца спец. крыніцы І.в. — стрыжні на аснове вокіслаў рэдказямельных элементаў і карбіду крэмнію, перспектыўныя лазерныя крыніцы І.в. Адкрыта ў 1800 У.Гершэлем.

І.в. вылучаюць таксама касм. целы: халодныя чырв. карлікі (зоркі з т-рай паверхні 1000—1500 К), шэраг планетарных туманнасцей, пылавыя воблакі, ядры галактык (у т. л. нашай), квазары. Спектр І.в. (як і бачнага, ультрафіялетавага) можа складацца з асобных ліній, палос або быць неперарыўным у залежнасці ад прыроды крыніцы. Аптычныя ўласцівасці рэчываў (празрыстасць, каэф. адбіцця і пераламлення) у інфрачырв. вобласці спектра звычайна адрозніваюцца ад уласцівасцей у бачнай і ультрафіялетавай абласцях. Многія рэчывы, празрыстыя ў бачнай вобласці, непразрыстыя ў некаторых абласцях І.в. і наадварот У большасці металаў адбівальная здольнасць для І.в. значна большая, чым для бачнага. Вылучыць І.в. з агульнага патоку выпрамянення можна з дапамогай прызмаў, дыфракцыйных рашотак, дысперсійных фільтраў і інш. Для выяўлення і вымярэння І.в. выкарыстоўваюцца цеплавыя і фотаэлектрычныя прыёмнікі (балометры, тэрмаэлементы), оптыка-акустычныя і піраэлектрычныя прыёмнікі, фотаэлементы і фотапамнажальнікі, электронна-аптычныя пераўтваральнікі і фотарэзістары, спец. фотаматэрыялы. І.в. выкарыстоўваецца ў навук даследаваннях, прам-сці, сельскай гаспадарцы, медыцыне, ваен. справе — для ідэнтыфікацыі і вывучэння будовы хім злучэнняў, якаснага і колькаснага спектральнага аналізу (гл. Інфрачырвоная спектраскапія), сушкі і нагрэву, дэфектаскапіі вырабаў (гл. Інфрачырвоная дэфектаскапія), фатаграфавання ў цемнаце, у начнога бачання прыладах і цеплапеленгацыі, саманавядзення снарадаў і ракет, наземнай і касм. сувязі, у лакатарах, дальнамерах і інш. (гл. таксама Інфрачырвоная тэхніка).

Літ.:

Леконт Ж. Инфракрасное излучение: Пер. с фр. М., 1958;

Марков М.Н. Приемники инфракрасного излучения. М., 1968;

Хадсон Р.Д. Инфракрасные системы: Пер. с англ. М., 1972;

Левитин И.Б. Применение инфракрасной техники в народном хозяйстве. Л., 1981.

Р.​Г.​Жбанкоў.

т. 7, с. 294

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

МА́СА ў фізіцы,

фізічная велічыня, якая вызначае інертныя і гравітацыйныя ўласцівасці цела; адна з асн. характарыстык матэрыяльных аб’ектаў.

У класічнай механіцы, дзе скорасці цел (v) значна меншыя за скорасць святла (c) у вакууме (vc), М., якая ўваходзіць у другі закон Ньютана (гл. Ньютана законы механікі) наз. інертнай, a М., вызначаная з Сусветнага прыцягнення законагравітацыйнай. Эксперыментальна ўстаноўлена, што інертная і гравітацыйная М. з вял. дакладнасцю супадаюць і іх можна лічыць адной і той жа фіз. велічынёй. У гэтым набліжэнні М. з’яўляецца таксама мерай колькасці рэчыва і адытыўнай велічынёй, таму выконваецца масы захавання закон. У рэлятывісцкай механіцы (v~c) поўная энергія цела вызначаецца формулай E = mc2 / 1 v2 / c2 , а яго імпульс p = mv / 1 v2 / c2 , адкуль вынікае ўзаемасувязь паміж велічынямі E і p: E2/c2p2 = m2c2. З гэтай формулы можна выразіць велічыню m — інварыянтную М. (ці проста М.), якая вызначае энергію спакою цела E0 = mc2 і ўваходзіць у законы класічнай механікі. У рэлятывісцкім выпадку М. ізаляванай сістэмы цел з цягам часу не мяняецца, аднак яна не роўная суме М. цел гэтай сістэмы (гл. Дэфект мас). Прынята лічыць, што М. элементарнай часціцы вызначаецца звязанымі з ёй эл.магн., ядз. і інш. палямі, аднак колькаснай тэорыі, якая тлумачыла і давала б магчымасць вызначыць дыскрэтны спектр М. элементарных часціц, не існуе. Адзінка М. ў СІкілаграм, М. атамаў і малекул вымяраецца ў атамных адзінках масы, М. элементарных часціц — у М. электрона або ў атамных адзінках энергіі.

Літ.:

Джеммер М. Понятие массы в классической и современной физике: Пер. с англ. М., 1967;

Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. 2. Теория поля. 7 изд. М., 1988.

А.​І.​Болсун, В.​К.​Гронскі.

т. 10, с. 162

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ЗО́ННАЯ ТЭО́РЫЯ крышталічных цвёрдых цел,

квантавая тэорыя спектра энергій электронаў крышталя. Паводле З.т. гэты спектр складаецца з зон дазволеных і забароненых энергій. З.т. тлумачыць шэраг уласцівасцей і з’яў у крышталях, у прыватнасці, розны характар іх электраправоднасці.

Аснова З.т. — аднаэлектроннае прыбліжэнне: скорасць руху атамных ядраў каля становішчаў раўнавагі многа меншая за скорасць электронаў; кожны электрон рухаецца ў трохмерна-перыядычным полі, якое ствараецца ядрамі і астатнімі электронамі. Зона праводнасці (с) і валентная зона (v) утвораны сукупнасцю атамных энергет. узроўняў, «расшчэпленых» у выніку аб’яднання свабодных атамаў у крышт. рашотку. Узроўні энергіі валентных электронаў (е) атама расшчапляюцца і зрушваюцца значна больш, чым узроўні ўнутраных электронаў (і). Шырыня забароненай зоны Eg (энергет. шчыліна паміж v- і с-зонамі) вызначаецца раўнаважнай адлегласцю паміж ядрамі (пастаяннай крышт. рашоткі d) У крышталі з N ідэнтычных атамаў кожны атамны ўзровень расшчапляецца на N узроўняў, якія ўтвараюць квазінеперарыўную дазволеную зону або яе частку. Электроны запаўняюць дазволеныя зоны энергій у адпаведнасці з Паўлі прынцыпам: на N узроўнях зоны можа знаходзіцца не больш за 2N электронаў. Уласцівасці крышталя залежаць ад колькасці электронаў у зоне праводнасці і/ці ад колькасці незапоўненых узроўняў (вакансій для электронаў) у валентнай зоне. Калі энергет. зона запоўнена электронамі часткова, то пад уздзеяннем знешняга эл. поля яны пераразмяркоўваюцца па ўзроўнях у зоне. Пры гэтым парушаецца сіметрыя размеркавання электронаў па скорасцях — узнікае эл. ток. Таму крышталь з часткова запоўненай c-зонай з’яўляецца правадніком электрычнасці — металам. Электроны ў поўнасцю запоўненай v-зоне з-за прынцыпу Паўлі не могуць пераразмяркоўвацца па ўзроўнях энергіі; крышталь з пустой с-зонай і поўнасцю запоўненай электронамі v-зонай — дыэлектрык. Калі цеплавая энергія дастатковая для пераводу часткі электронаў з v-зоны ў c-зону, то электраправоднасць крышталя расце пры награванні; такі крышталь — паўправаднік. Пры слаба перакрытых с- і v-зонах крышталь з’яўляецца паўметалам (напр., вісмут), а пры змыканні гэтых зон (Eg=0) — бясшчылінным паўправадніком (напр., шэрае волава). З.т. — набліжэнне да рашэння фундаментальнай задачы: вывесці ўласцівасці крышталя з уласцівасцей атамаў, з якіх ён складаецца.

Літ.:

Харрисон У.А. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: Пер. с англ. Т. 1—2. М., 1983;

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981.

М.​А.​Паклонскі.

Да арт. Зонная тэорыя.

т. 7, с. 107

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІНФРАЧЫРВО́НАЯ СПЕКТРАСКАПІ́Я,

раздзел спектраскапіі, які займаецца атрыманнем, даследаваннем і выкарыстаннем спектраў вылучэння, паглынання і адбіцця ў інфрачырвонай вобласці спектра (гл. Інфрачырвонае выпрамяненне). Паводле сістэм, што вывучаюцца, І.с. адносіцца да малекулярнай спектраскапіі; паводле станаў, пераходы паміж якімі выклікаюць лініі і палосы інфрачырвонага спектра, — да вагальнай і вярчальнай спектраскапіі. Вывучае ў асн. малекулярныя спектры, бо ў інфрачырв. вобласці размешчана большасць вагальных і вярчальных спектраў малекул.

Найб пашыраны даследаванні інфрачырв спектраў паглынання, якія ўзнікаюць з прычыны паглынання інфрачырв. выпрамянення пры праходжанні яго праз рэчыва. Колькасную сувязь паміж інтэнсіўнасцю выпрамянення, якое падае на рэчыва, прайшло праз яго, і велічынямі, што характарызуюць паглынальнае рэчыва, дае Бугера—Ламберта—Бэра закон. На практыцы звычайна інфрачырв. спектр паглынання паказваюць графічна ў выглядзе залежнасці ад частаты (або даўжыні хвалі) шэрагу велічынь, якія характарызуюць паглынальнае рэчыва (каэф. прапускання, паглынання, аптычная шчыльнасць і інш.). Асн. характарыстыкі спектраў інфрачырв. паглынання: колькасць палос паглынання ў спектры, іх становішча (размяшчэнне), шырыня і форма, велічыня паглынання Яны вызначаюцца структурай і хім. саставам паглынальнага рэчыва, залежаць ад яго агрэгатнага стану, т-ры, ціску і інш. Характарызуюцца высокай выбіральнасцю і адчувальнасцю да розных хім. і структурных пераўтварэнняў рэчываў, саставу іх сумесей. Метады І.с. выкарыстоўваюцца для вызначэння структуры малекул, іх хім. саставу, для якаснага і колькаснага аналізу хім. груп і сувязей, сумесей розных рэчываў і матэрыялаў, біял. аб’ектаў і інш. (гл. Спектры аптычныя).

У Беларусі даследаванні па І.с. вядуцца з 1954—55 у БДУ і Нац. АН (Б.​І.​Сцяпанаў, М.​А.​Барысевіч, Р.​Г.​Жбанкоў, К.​М.​Салаўёў, Дз.​С.​Умрэйка, В.​Р.​Верашчагін і інш.). Асн. кірункі: вывучэнне вугляводаў (у т. л. цэлюлозы), іх фіз. і хім. мадыфікацый, іонных і іонарадыкальных злучэнняў, парфірынаў, каардынацыйных злучэнняў цяжкіх металаў, пары арган. малекул, рассеяння інфрачырв. выпрамянення дысперснымі сістэмамі.

Літ.:

Кросс А Введение в практическую инфракрасную спектроскопию: Пер. с англ. М., 1961;

Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М., 1979;

Жбанков Р.Г. Инфракрасные спектры и структура углеводов. Мн., 1972;

Колебания молекул. 2 изд. М., 1972.

Р.​Г.​Жбанкоў.

Да арт. Інфрачырвоная спектраскапія. Схема аднапрамянёвага ІЧ-спектрометра: К — крыніца неперарыўнага ІЧ-выпрамянення; Л1 і Л2 — люстэркі асвятляльніка і кандэнсатара; С — кювета з рэчывам, якое даследуецца; М — монахраматар; П — прыёмнік выпрамянення; У — узмацняльнік; В — вымяральная або рэгістравальная прылада.

т. 7, с. 295

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГАЛАГРА́ФІЯ (ад грэч. holos увесь, поўны + ...графія),

метад атрымання поўнага аб’ёмнага відарыса аб’екта, заснаваны на інтэрферэнцыі і дыфракцыі кагерэнтных хваль; галіна фізікі, што вывучае заканамернасці запісу, узнаўлення і пераўтварэння хвалевых палёў рознай прыроды (аптычных, акустычных і інш.). Галаграфію вынайшаў (1948) і атрымаў першыя галаграмы (ГЛ) найпрасцейшых аб’ектаў Д.Габар. У 1962—63 амер. фізікі Э.​Лэйтс і Ю.​Упатніекс выкарысталі для атрымання ГЛ лазер, а сав. фізік Ю.​М.​Дзенісюк (1962) прапанаваў метад запісу аб’ёмных ГЛ. У 1960-я г. створаны тэарэт. і эксперым. асновы галаграфіі.

Аб’ёмны відарыс аб’екта фіксуецца на ГЛ у выглядзе інтэрферэнцыйнай карціны, створанай прадметнай хваляй (ПХ), адбітай ад аб’екта, і кагерэнтнай з ёй апорнай хваляй (АХ). У адрозненне ад фатаграфіі, дзе зафіксаваны відарыс аптычны, ГЛ дае прасторавае размеркаванне амплітуды і фазы ПХ. Паколькі ПХ не плоская, ГЛ мае структуру нерэгулярнай дыфракцыйнай рашоткі. Інфармацыя аб размеркаванні амплітуды ПХ запісваецца ў выглядзе кантрасту інтэрферэнцыйнай карціны, а фазы — у выглядзе формы і перыяду інтэрферэнцыйных палос (гл. Інтэрферэнцыя святла). Пры асвятленні галаграмы АХ у выніку дыфракцыі святла ўзнаўляецца амплітудна-фазавае размеркаванне поля ПХ. ГЛ пераўтварае частку АХ у копію ПХ, пры ўспрыманні якой вокам ствараецца ўражанне непасрэднага назірання аб’екта. Галаграфія мае шэраг спецыфічных уласцівасцей, адрозных ад фатаграфіі: ГЛ узнаўляе аб’ёмны (монахраматычны або каляровы) відарыс аб’екта, кожны ўчастак ГЛ дазваляе ўзнавіць увесь відарыс аб’екта, аб’ёмныя ГЛ Дзенісюка ўзнаўляюцца пры дапамозе звычайных крыніц святла (сонечнае асвятленне, лямпа напальвання), галаграфічны запіс мае вял. надзейнасць і інфарм. ёмістасць, што вызначае шырокі спектр практычнага выкарыстання галаграфіі: для атрымання аб’ёмных відарысаў твораў мастацтва, стварэння галаграфічнага кіно, для неразбуральнага кантролю формы складаных аб’ектаў, вывучэння неаднароднасцей матэрыялаў, захоўвання і апрацоўкі інфармацыі, для візуалізацыі акустычных і эл.-магн. палёў і інш.

На Беларусі даследаванні па галаграфіі пачаліся ў 1968 у Ін-це фізікі АН і праводзяцца ў ін-тах фіз. і фіз.-тэхн. профілю АН, БДУ і інш. Распрацаваны фіз. прынцыпы дынамічнай галаграфіі, развіты метады апрацоўкі інфармацыі і пераўтварэння прасторавай структуры лазерных пучкоў (П.​А.​Апанасевіч, А.​А.​Афанасьеў, Я.​В.​Івакін, А.​С.​Рубанаў, Б.​І.​Сцяпанаў і інш.). Створаны галаграфічныя метады для даследавання дэфармацый і вібрацый аб’ектаў, рэльефу паверхні, уласцівасцей плазмы, сістэмы аптычнай памяці (У.​А.​Піліповіч, А.​А.​Кавалёў, Л.​В.​Танін і інш.), развіты метады радыё- і акустычнай галаграфіі (П.​Дз.​Кухарчык, А.​С.​Ключнікаў, М.​А.​Вількоцкі).

Літ.:

Кольер Р., Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография: Пер. с англ. М., 1973;

Островский Ю.И. Голография и ее применение. Л., 1973;

Денисюк Ю.Н. Изобразительная голография // Наука и человечество, 1982. М., 1982;

Рубанов А.С. Некоторые вопросы динамической голографии // Проблемы современной оптики и спектроскопии. Мн., 1980.

А.​С.​Рубанаў.

Да арт. Галаграфія. Схемы атрымання галаграм (а) і ўзнаўлення відарысаў (б): 1 — схема Габара; 2 — схема Лэйтса—Упатніекса; 3 — схема Дзенісюка; АХ — апорная хваля; ПА — паўпразрысты аб’ект; ПХ — прадметная хваля; ФП — фотапласцінка; Г — галаграма; СВ — сапраўдны відарыс; А — адбівальны аб’ект; ПЛ — паўпразрыстае люстэрка; УВ — уяўны відарыс.

т. 4, с. 446

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГЕЛІЯТЭ́ХНІКА (ад гелія... + тэхніка),

галіна тэхнікі, якая займаецца распрацоўкай тэарэт. асноў, практычных метадаў і тэхн. сродкаў пераўтварэння энергіі сонечнай радыяцыі ў інш. віды энергіі. Выкарыстоўвае розныя спосабы пераўтварэння сонечнай энергіі: цеплавы (ажыццяўляецца ў сонечных печах, сонечных воданагравальніках, апрасняльніках, сушылках, цяпліцах і інш.), фотаэлектрычны (у сонечных батарэях), тэрмаэлектрычны (у сонечных тэрмаэлектрычных генератарах), тэрмаэмісійны (у тэрмаэмісійных пераўтваральніках энергіі). Паводле рабочых т-р геліятэхніка падзяляецца на высока- (да 3000—3500 °C) і нізкатэмпературную (100—200 °C).

Паток сонечнай радыяцыі «дармавы» і невычэрпны, яго шчыльнасць на ўзроўні мора прыкладна 1 кВт/м² (у геліятэхн. разліках 0,815 кВт/м²). Спробы выкарыстання гэтага выпрамянення рабіліся яшчэ ў старажытнасці, аднак практычнага значэння не мелі. У 1770 Х.Б. дэ Сасюр (Швейцарыя) пабудаваў геліяўстаноўку тыпу «гарачая скрыня». Як асобная галіна тэхнікі геліятэхніка развіваецца з 2-й пал. 19 ст., калі былі створаны доследныя ўзоры паветраных і паравых сонечных рухавікоў (Францыя, Швецыя, ЗША). У Расіі ў 1890 В.​К.​Цэраскі правёў эксперыменты па плаўцы розных металаў у фокусе парабалічнага люстэрка. У 1912 каля Каіра (Егіпет) пабудавана сонечная энергетычная ўстаноўка магутнасцю каля 45 кВт. У 1930-я г. распрацаваны метады разліку геліяўстановак для атрымання эл. энергіі, апраснення вады, сушкі і інш. Даследаванні па прамым пераўтварэнні прамянёвай энергіі ў электрычную пашырыліся ў сувязі з асваеннем касм. прасторы. Значнае развіццё геліятэхніка атрымала ў Францыі, ЗША, Японіі, ПАР, Аўстраліі, Германіі, з краін СНД — у Расіі, Арменіі, Туркменіі, Узбекістане. Выкарыстанне сродкаў геліятэхнікі найб. эфектыўнае ў шыротах са значнай сонечнай радыяцыяй для энергазабеспячэння малаэнергаёмістых разгрупаваных спажыўцоў. У сувязі са збядненнем традыц. крыніц энергіі яны перспектыўныя і ў рэгіёнах з умераным кліматам, напр., геліятэхніка развіваецца ў Канадзе, Даніі, Швецыі. Павышэнне эфектыўнасці геліясістэм і пераадоленне прынцыповых недахопаў (невысокая шчыльнасць і няўстойлівасць сонечнай энергіі) забяспечваюцца значнымі памерамі паверхні, якая ўлоўлівае сонечную радыяцыю, яе канцэнтрацыяй на паверхні геліяпераўтваральніка, акумуляваннем цеплавымі, эл., хім. і інш. акумулятарамі. У адпаведнасці з гэтымі патрабаваннямі ствараецца шырокі спектр геліяўстановак рознага прызначэння.

На Беларусі даследаванні і распрацоўкі сродкаў і элементнай базы геліятэхнікі вядуцца з 1980-х г. у Акад. навук. комплексе «Ін-т цепла- і масаабмену імя А.​В.​Лыкава» (АНК ІЦМА), Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац. АН Беларусі, Цэнтр. НДІ механізацыі і электрыфікацыі сельскай гаспадаркі і інш. У АНК ІЦМА створаны доследныя ўзоры калектараў сонечнай энергіі на цеплавых трубах (разам з Армянскім аддз. Усесаюзнага НДІ крыніц току), распрацаваны праект «Сядзіба 21 стагоддзя», у энергабалансе якога значная роля сонечнай энергіі, розныя тыпы геліяцеплапераўтваральных сістэм — геліяводападагравальнікі магутнасцю 0,4—100 кВт, сонечныя радыятары (абагравальнік, сонечныя кухня, цяпліца, сушылка і інш.). Асвоены выпуск геліямодуляў, аснашчаных бакам-акумулятарам (захоўвае цяпло на працягу тыдня).

Літ.:

Драгун В.Л., Конев С.В. В мире тепла. Мн., 1991;

Мак-Вейг Д. Применение солнечной энергии: Пер. с. англ. М., 1981.

У.​Л.​Драгун, С.​У.​Конеў.

Да арт. Геліятэхніка. Геліяпераўтваральныя сістэмы: а — геліяводападагравальнік (1 — цеплаўспрымальны элемент, 2 — бак-акумулятар); б — геліярадыятар (1 — сцяна будынка, 2 — радыятар-ацяпляльнік, 3 — цеплаўспрымальная панэль).

т. 5, с. 141

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)