Verbum

Шоткі дыёд

т. 17, с. 453

Шоткі эфект

т. 17, с. 453

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ПЕРАХО́Д,

вобласць прасторавага зараду, якая прымыкае да мяжы падзелу металу і паўправадніка (Шоткі дыёд), двух розных паўправаднікоў (гетэрапераход) ці дзвюх розных абласцей аднаго паўправадніка (электронна-дзірачны пераход), якія знаходзяцца ў эл. кантакце.

т. 12, с. 231

ДЫЁД,

прылада з аднабаковай праводнасцю эл. току. Бываюць электравакуумныя, іонныя і паўправадніковыя. Выкарыстоўваецца ў радыёэлектроніцы, энергетыцы для пераўтварэння (выпрамлення) пераменнага току ў пастаянны, для пераўтварэння ваганняў або частот, пераключэння эл. ланцугоў і інш.

Электравакуумныя і іонныя Д. маюць катод (крыніцу электронаў) і анод (прыёмнік электронаў). Пры дадатным напружанні на анодзе паміж электродамі праходзіць эл. ток, пры адмоўным — току няма. Асн. разнавіднасці сілавых Д.: кенатрон і газатрон. Работа паўправадніковых дыёдаў засн. на нелінейных уласцівасцях электронна-дзірачнага пераходу або кантакту метал—паўправаднік. Гл. таксама Гана дыёд, Шоткі дыёд.

т. 6, с. 276

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЫЁД,

двухэлектродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях p-n-пераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл. Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфектаў у аднародным паўправадніку (гл. Гана дыёд).

Вырабляюцца на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарытнымі памерамі, масай і спажывальнай магутнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавінна-пралётны, тунэльны і параметрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧ-дыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш.

В.​К.​Кананенка.

т. 12, с. 231

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ ПРЫЛА́ДЫ,

прылады, дзеянне якіх заснавана на электронных працэсах у паўправадніках. Адрозніваюць прылады на аснове аднародных паўправаднікоў (фотарэзістар, Гана дыёд і інш.) і паўправадніковых пераходаў (электронна-дзірачны пераход, гетэрапераход, Шоткі дыёд і інш.).

У П.п. выкарыстоўваюцца працэсы, абумоўленыя адчувальнасцю паўправаднікоў да знешніх уздзеянняў (змены т-ры, апрамянення, святла, эл. і магн. палёў і інш.), іх паверхневыя ўласцівасці (кантакты паўправаднік—метал, паўправаднік—дыэлектрык і іх спалучэнні), а таксама залежнасць уласцівасцей паўправадніковых узораў ад іх памераў. Адрозніваюць П.п. дыскрэтныя (асобныя вырабы) і інтэгральныя (актыўныя элементы маналітных інтэгральных схем). П.п. выкарыстоўваюцца для апрацоўкі эл. сігналаў (паўправадніковы дыёд, транзістар, тырыстар), пераўтварэння сігналаў аднаго віду ў другі (паўправадніковы лазер, фотатранзістар і інш.), атрымання адных відаў энергіі з іншых (тэрмаэлемент, сонечная батарэя і інш.), успрымання відарысаў (прылада з зарадавай сувяззю), пераўтварэння мех. і магн. велічынь у электрычныя (тэнзарэзістар, Хола пераўтваральнік), рэгістрацыі часціц (паўправадніковы дэтэктар), эмісіі электронаў у вакуум (халодны катод) і інш.

На Беларусі распрацоўкай і вытв-сцю П.п. займаюцца ў навук.-вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і Маладзечанскім вытворчым аб’яднанні «Электрамодуль».

Літ.:

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. Кн. 1—2. 2 изд. М., 1984;

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. 4 изд. М., 1987;

Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Мн., 1988;

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М., 1989;

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2 изд. М., 1990.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231