Verbum

праводнасць

т. 12, с. 529

іонная праводнасць

т. 7, с. 297

праводнасць электрычная

т. 12, с. 529

электронная праводнасць

т. 18, кн. 1, с. 98

ДЗІ́РАЧНАЯ ЭЛЕКТРАПРАВО́ДНАСЦЬ,

праводнасць паўправадніка, у якім асн. носьбітамі зараду з’яўляюцца дзіркі. Існуе, калі канцэнтрацыя акцэптараў перавышае канцэнтрацыю донараў. Наз. таксама праводнасцю р-тыпу. Гл. таксама Паўправаднікі.

т. 6, с. 117

БАБУ́ХІН Аляксандр Іванавіч

(28.3.1827 або 17.8.1835, с. Семяндзяева Арлоўскай вобл., Расія — 4.6.1891),

рускі гістолаг і фізіёлаг, адзін з заснавальнікаў рус. школы гістолагаў і бактэрыёлагаў. Праф. (1865). Скончыў Маскоўскі ун-т (1859). З 1865 працаваў там жа, у 1888 арганізаваў першую ў Маскве бактэрыял. лабараторыю. Навук. працы па нармальнай анатоміі і гісталогіі нерв. сістэмы. Даказаў клетачную будову сятчаткі вока і вызначыў паходжанне палачак і колбачак; апісаў нейрафібрылы ў перыферычных нерв. валокнах, паказаў прыналежнасць восевых цыліндраў нерв. валокнаў да адросткаў нерв. клетак, развіццё органаў рыб з эмбрыянальных папярочна-паласатых мышачных валокнаў, двухбаковую праводнасць узбуджэння ў нерв. валокнах.

Тв.:

Об отношении блуждающих нервов к сердцу. М., 1862.

т. 2, с. 194

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463

ВО́СКІ,

рэчывы, пераважна прыроднага паходжання, па ўласцівасцях блізкія да пчалінага воску. Аморфныя, тэрмапластычныя, воданепранікальныя, маюць нізкую эл. праводнасць, t_пл 40—90 °C, гаручыя. Хім. ўласцівасцямі блізкія да тлушчаў.

Прыродныя воскі падзяляюць на жывёльныя (пчаліны воск, ланалін, спермацэт), раслінныя (карнаўбскі, пальмавы, японскі і інш.) і выкапнёвыя (тарфяны, буравугальны, азакерыт, цэразін). Жывёльныя і раслінныя складаюцца пераважна са складаных эфіраў, утвораных вышэйшымі тлустымі к-тамі і аднаатамнымі спіртамі з 12—46 атамамі вугляроду ў малекуле. Выкапнёвы воск (азакерыт, цэразін) — сумесь насычаных вуглевадародаў. Атрымліваюць сінт. воскі (напр., з нафтавых парафінаў, полімерызацыяй этылену).

Выкарыстоўваюць для прыгатавання палітур, ахоўных кампазіцый для металаў, тканін, паперы, скуры, як ізаляцыйны матэрыял, кампанент мазяў у касметыцы і медыцыне.

т. 4, с. 276