Мікрасхема плёначная 7/196; 10/280; 11/441

Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)

ПЛЁНАЧНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

1) танкаплёначная тэхналогія — сукупнасць спосабаў атрымання тонкіх плёнак металаў, дыэлектрыкаў і паўправаднікоў пры вырабе элементаў інтэгральных схем, паўправадніковых прылад і інш.

Тонкія плёнкі атрымліваюць фіз. (напр., выпарэннем у вакууме), хім. (эл.-хім. асаджэнне, тэрмічнае вырошчванне, анадзіраванне) і камбінаванымі (тэрмаіоннае і плазмахім. асаджэнне, газавае анадзіраванне) метадамі. Канфігурацыя элементаў мікрасхем ствараецца асаджэннем праз маскі, фоталітаграфіяй, электроналітаграфіяй і інш. спосабамі.

2) Таўстаплёначная тэхналогія — сукупнасць метадаў стварэння праводных, рэзістыўных, дыэл. і ізаляцыйных слаёў (тоўстых плёнак) пры вырабе інтэгральных схем, мантажных плат, токаправодных плёнак на керамічных карпусах інтэгральных схем і інш. Найб. пашыраны трафарэтны спосаб, пры якім плёначныя элементы ствараюцца нанясеннем праз трафарэт слоя спец. пасты з наступнай яе тэрмічнай апрацоўкай.

т. 12, с. 426

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЯЧА́ТНАЯ СХЕ́МА,

вузел электра- ці радыёапаратуры, выраблены метадам пячатнага мантажу; схема (рысунак) размяшчэння праваднікоў току з кантактнымі пляцоўкамі на пячатнай плаце. Па таўстаплёначнай тэхналогіі (гл. Плёначная тэхналогія) наносяцца токаправодныя дарожкі (плёначныя аналагі правадоў), рэзістары, кандэнсатары, шпулі індуктыўнасці, трансфарматары і інш. элементы.

Пячатная плата: 1 — кантактныя пляцоўкі; 2 — пячатныя дарожкі; 3 — электраізаляцыйныя прамежкі.

т. 13, с. 178

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

КАНДЭНСА́ЦЫЯ (ад позналац. condensatio ушчыльненне, згушчэнне),

пераход рэчыва з газападобнага стану ў вадкі або крышталічны. Адбываецца пры т-рах, меншых за крытычную тэмпературу, і адносіцца да фазавых пераходаў першага роду.

Пры К. ў інтэрвале т-р ад крытычнай да т-ры трайнога пункта рэчыва пераходзіць у вадкі стан (адваротны працэс — выпарэнне або кіпенне), пры больш нізкіх т-рах — у крышталічны (адваротны працэс — сублімацыя). Суправаджаецца вылучэннем цеплаты параўтварэння або сублімацыі (узгонкі). Для раўнаважнай К. неабходна прысутнасць кандэнсаванай фазы (вадкасць, крышталі) або т.зв. цэнтраў К. (напр., пылінкі). На нязмочвальных паверхнях вадкая фаза выпадае ў выглядзе кропель (кропельная К.), на поўнасцю змочвальных — у выглядзе плёнак (плёначная К.). Выкарыстоўваецца ў энергетыцы (цеплаабменныя апараты), у хім. тэхналогіі для раздзялення шматкампанентных газавых сумесей на фракцыі (фракцыйная К.), у апрасняльных устаноўках, халадзільнай і крыягеннай тэхніцы.

К. вадзяной пары ў атмасферы, працэс пераходу вадзяной пары, якая знаходзіцца ў паветры, у вадкі або цвёрды стан з утварэннем кропель і крышталёў воблакаў і туманаў, а таксама з вылучэннем вады і лёду на наземных прадметах. Адбываецца на ядрах кандэнсацыі пры ахаладжэнні паветра да пункта расы, у выніку яго цеплаабмену з зямной паверхняй.

т. 7, с. 583

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)