Verbum

ЛЕГІ́РАВАННЕ (ням. legieren сплаўляць ад лац. ligare звязваць, злучаць),

увядзенне ў метал. сплавы спец. элементаў-дамешкаў для надання ім патрэбных фіз., хім., мех. і тэхнал. уласцівасцей.

Легіруюць звычайна расплаўленыя сплавы, часам — цвёрдыя (т.зв. паверхневае Л. — дыфузійная металізацыя, напр., алітаванне, азатаванне, берылізацыя, цэментацыя). У якасці легіруючых элементаў пры Л. жалезавугляродзістых сплаваў (сталей, чыгуну) выкарыстоўваюць хром, нікель, малібдэн, марганец, крэмній, вальфрам, ванадый, тытан і інш.; пры Л. каляровых металаў і сплаваў — цынк, алюміній, крэмній, медзь, марганец, магній і інш. Легіруючыя элементы могуць утвараць з асн. металам (сплавам) эўтэктыкі, цвёрдыя растворы, хім. злучэнні (карбіды, аксіды, нітрыды), якія надаюць сплаву новыя ўласцівасці. На аснове Л. створаны легіраваная сталь, легіраваны чыгун, бронза, дуралюмін, сілумін і інш. Л. наз. таксама дазіраванае ўвядзенне пабочных атамаў, дамешак, структурных дэфектаў унутр цвёрдага цела (пераважна паўправаднікоў) бамбардзіроўкай іх паверхні іонамі (іоннае Л.) для змены эл. уласцівасцей. Л. вядома са старажытнасці (пра гэта сведчаць знойдзеныя ўзоры халоднай зброі). У Расіі з 1830-х г. прамысл. доследы Л. праводзіў П.П.Аносаў. Ён распрацаваў тэорыю і тэхналогію выплаўкі легіраванай сталі.

т. 9, с. 183

ЛЕГІ́РАВАНЫ ЧЫГУ́Н,

чыгун, у які ўводзяць т. зв. легіруючыя элементы для надання пэўных уласцівасцей (гл. Легіраванне).

Бывае нізкалегіраваны (легіруючых элементаў да 3%), сярэдне- (ад 3 да 10%) і высокалегіраваны (больш за 10%); гарачатрывалы і гарачаўстойлівы (гл. Гарачатрывалыя матэрыялы, Гарачаўстойлівыя матэрыялы), анты фрыкцыйны, зносаўстойлівы, немагнітны і інш. Чыгун, у які легіруючыя элементы пераходзяць з руды, наз. прыродналегіраваным. Л.ч. ідзе на блокі цыліндраў, поршні, каленчатыя валы, падшыпнікі, дэталі вузлоў трэння і інш.

т. 9, с. 183

ЛЕГІ́РАВАНАЯ СТАЛЬ,

сталь, у якой акрамя звычайных дамешкаў ёсць т. зв. легіруючыя элементы, што ўводзяцца для надання сталі лепшых тэхнал. і эксплуатацыйных уласцівасцей. Увядзенне ў расплаўленую сталь легіруючых элементаў (легіраванне) робіцца з выкарыстаннем ферасплаваў і лігатур.

Л.с. бывае: нізкалегіраваная (сумарная доза ўведзеных легіруючых элементаў да 2,5%), сярэднелегіраваная (ад 2,5 да 10%) і высокалегіраваная (больш за 10%); канструкцыйная, інструментальная сталь і сталь з асаблівымі ўласцівасцямі — гарачатрывалая і гарачаўстойлівая (гл. Гарачатрывалыя матэрыялы, Гарачаўстойлівыя матэрыялы), нержавеючая сталь, электратэхнічная сталь і інш. З Л.с. робяць дэталі машын і канструкцый, інструменты, эл.-тэхн. апараты і г.д.

т. 9, с. 183

ЛІГАТУ́РА ў тэхніцы,

1) дапаможныя сплавы, якія выкарыстоўваюцца для ўвядзення легіруючых элементаў у вадкі метал (гл. Легіраванне).

Засваенне легіруючага элемента з Л. больш высокае і ўстойлівае, чым пры ўвядзенні яго ў чыстым выглядзе. Л. атрымліваюць сплаўленнем кампанентаў, што ўваходзяць у яе састаў, або ўзнаўленнем іх з руд, канцэнтратаў ці аксідаў. У якасці Л. выкарыстоўваюць медзь, ртуць (гл. Амальгама) і інш. Л. наз. таксама металы, якія ўводзяцца ў высакародныя металы для надання цвёрдасці, зніжэння іх кошту і інш. Колькасць Л. ў сплаве вызначаецца пробай. Для манет рэкамендуецца Л., найб. устойлівая да зношвальнасці. Напр., да золата і серабра дабаўляюць медзь; аптымальныя суадносіны для золата 9:1 (900-я проба), для серабра 5:1 (833-я проба).

2) У паліграфіі 2 злучаныя паміж сабой (злітыя) літары на адной ножцы.

т. 9, с. 247

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405