Verbum

ВАГА́ННІ КРЫШТАЛІ́ЧНАЙ РАШО́ТКІ,

узгодненыя зрушэнні атамаў крышталя каля становішчаў раўнавагі (вузлоў рашоткі). Характар ваганняў залежыць ад сіметрыі крышталёў, ліку атамаў у элементарнай ячэйцы, тыпу хім. сувязі, віду і канцэнтрацыі дэфектаў у крышталях. Амплітуда ваганняў павялічваецца з павышэннем тэмпературы крышталя. На цеплавыя ваганні могуць накладвацца ваганні, выкліканыя распаўсюджваннем у крышталі пругкіх хваляў, абумоўленых знешнім уздзеяннем.

У крышталі з N элементарных ячэек па υ атамаў у кожнай існуе 3υN-6 незалежных найпрасцейшых нармальных ваганняў, кожнае з якіх можна ўявіць у выглядзе дзвюх плоскіх пругкіх хваляў, што распаўсюджваюцца ў процілеглых напрамках. Гэтыя ваганні складаюцца з трох акустычных галін (ім адпавядаюць зрушэнні элементарнай ячэйкі як цэлага) і 3 (υ—1) аптычных (адпавядаюць зрушэнням атамаў унутры элементарнай ячэйкі). Пры пругкім характары міжатамнага ўзаемадзеяння вагальная энергія крышталя складаецца з энергій нармальных ваганняў, кожнае з якіх уцягвае ў рух усе атамы. Вагальную энергію крышталя можна разглядаць і як суму энергій фанонаў — квантаў энергіі пругкіх ваганняў. Квантавая прырода ваганняў крышталічнай рашоткі праяўляецца ў наяўнасці нулявых ваганняў атамаў пры Т = 0К. Ваганні крышталічнай рашоткі ўплываюць на электраправоднасць металаў і паўправаднікоў, на аптычныя ўласцівасці дыэлектрыкаў.

Літ.:

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981;

Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М., 1975;

Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965.

М.А.Паклонскі.

т. 3, с. 428

донар,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка.

т. 6, с. 183

АКЦЭ́ПТАР,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка, здольны «захапіць» электроны і тым забяспечыць дзірачную электраправоднасць. Тыповыя акцэптары для германію (Ge) і крэмнію (Si) — атамы-дамешкі хім. элементаў III групы (B, Al, Ga, In). Гл. таксама Донары.

т. 1, с. 223

АДПАЧЫ́Н МЕТА́ЛАЎ,

працэс частковага аднаўлення структуры і фіз.-хім. уласцівасцяў дэфармаваных ці радыяцыйна апрамененых металаў і сплаваў. Адбываецца пры награванні да т-ры рэкрышталізацыі без змены мікраструктуры. Жалезныя вырабы награваюць да t 250—300 °C, легкаплаўкія металы і сплавы (напр., свінец) вытрымліваюць пры пакаёвай т-ры. Адпачын металаў ліквідуе скажэнні крышталічнай рашоткі, суправаджаецца зніжэннем эл. супраціўлення, скорасці растварэння ў кіслотах і межаў цякучасці металаў і сплаваў. Выкарыстоўваецца для павышэння пластычнасці канструкцыйных матэрыялаў без паніжэння іх трываласці.

т. 1, с. 127

ГЁПЕРТ-МА́ЕР (Goeppert-Mayer) Марыя

(28.6.1906, г. Катавіцы, Польшча — 20.2.1972),

амерыканскі фізік-тэарэтык. Чл. Амер. АН і мастацтваў (1956). Скончыла Гётынгенскі ун-т (1930). З 1931 у розных ун-тах ЗША, з 1946 у Ін-це ядз. даследаванняў імя Э.Фермі, з 1960 праф. Каліфарнійскага ун-та. Навук. працы па ядз. фізіцы, квантавай і статыстычнай механіцы, тэорыі крышталічнай рашоткі і фіз. хіміі. Прадказала двухфатоннае паглынанне святла (1931) і падвойны бэта-распад (1935). Незалежна ад Г.Енсена прапанавала абалонкавую мадэль атамнага ядра. Нобелеўская прэмія 1963.

т. 5, с. 211

БА́ЗІС,

база (ад грэч. basis аснова), 1) у матэматыцы — найменшае падмноства некаторага мноства, з якога пэўнымі аперацыямі можна атрымаць любы элемент гэтага мноства. Напрыклад, 1 аперацыямі складання і множання можна атрымаць любы натуральны лік. У вектарнай прасторы такі набор вектараў, што адвольны вектар адназначна выяўляецца ў выглядзе лінейнай камбінацыі вектараў гэтага набору. Колькасць элементаў базісу наз. размернасцю прасторы. Гл. таксама Артаганальная сістэма, Артаганальнае пераўтварэнне.

2) У фізіцы базіс крышталічнай структуры — поўная сукупнасць каардынатаў цэнтраў атамаў у сіметрычна незалежнай вобласці крышт. структуры. Эксперыментальнае вызначэнне праводзіцца метадамі рэнтгенаўскага структурнага аналізу, электронаграфіі, нейтронаграфіі.

т. 2, с. 220

ГІ́ТГАРЦ Міхаіл Ільіч

(н. 14.12.1927, г. Таржок Цвярской вобл., Расія),

бел. фізік. Д-р фізіка-матэм. н. (1980), праф. (1989). Чл. Нью-Йоркскай АН (1995). Сын І.А.Гітгарца. Скончыў Куйбышаўскі авіяц. ін-т (1951). З 1961 у Ін-це надзейнасці машын АН Беларусі. Навук. працы па рэнтгенаструктурным аналізе, па вывучэнні тонкай крышталічнай будовы, механізмаў і кінетыкі фазавых ператварэнняў, умацаванні і разумацаванні дысперсійна-цвярдзеючых сплаваў і сталей.

Тв.:

Тонкая структура дифракционных линий рентгенограмм стареющих сплавов с упругим выделением дисперсной фазы // Металлофизика. 1974. Вып. 51;

К теории рассеяния рентгеновских лучей на выделениях в кристаллах с упругими межфазовыми деформациями // Физика металлов и металловедение. 1991. № 6.

А.Л.Балсун.

т. 5, с. 278

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463

ГІПЕРГУ́К,

пругкія хвалі з частатой 10​⁹—10​¹³ Гц. Па фізічнай прыродзе не адрозніваецца ад ультрагуку (2·10​⁴—10​⁹ Гц). Існуе гіпергук прыродны (цеплавыя ваганні крышталічнай рашоткі) і штучны (генерыруецца пры дапамозе спец. выпрамяняльнікаў; гл. П’езаэлектрычнасць, Магнітастрыкцыя).

Пругкія хвалі распаўсюджваюцца ў асяроддзі, калі іх даўжыні большыя за даўжыню свабоднага прабегу малекул у газах ці міжатамных адлегласцей у вадкіх і цвёрдых целах. Таму ў газах, у т. л. ў паветры, пры нармальных умовах гіпергук не распаўсюджваецца, у вадкасцях хутка затухае; параўнальна добрыя праваднікі гіпергуку — монакрышталі пры нізкіх т-рах. Гіпергук выкарыстоўваюць для даследавання стану рэчыва, асабліва ў фізіцы цвёрдага цела, для стварэння акустычных ліній затрымкі ў ЗВЧ дыяпазоне і інш. прылад акустаэлектронікі і акустаоптыкі.

т. 5, с. 256

ДАМЕ́НЫ,

вобласці хімічна аднароднага асяроддзя, якія адрозніваюцца эл., магн., пругкімі ўласцівасцямі або ўпарадкаванасцю размеркавання часціц. Утварэнне Д. звязана з фазавым пераходам крышталёў у стан з больш нізкай сіметрыяй; аналіз з дапамогай тэорыі груп дазваляе выявіць усе магчымыя віды Д. пры любым фазавым пераходзе. Д. бываюць: ферамагн., сегнетаэл., пругкія, Гана, у вадкіх крышталях і інш.

Вобласць, у якой адбываецца паступовы пераход ад аднаго Д. да другога, наз. мяжой Д. (даменнай сценкай); яе характэрная таўшчыня залежыць ад тыпу фазавага пераходу — ад некалькіх міжатамных адлегласцей для Д., якія адрозніваюцца атамна-крышталічнай структурай, да соцень і тысяч міжатамных адлегласцей у ферамагн. Д. Ферамагнітныя Д. — вобласці самаадвольнай (спантаннай) намагнічанасці; намагнічаныя да насычэння часткі аб’ёму ферамагнетыка, на якія ён распадаецца пры т-рах, меншых за кюры пункт; звычайна маюць памеры да 0,1 мм. Сегнетаэлектрычныя Д. — вобласці аднароднай спантаннай палярызацыі ў сегнетаэлектрыках; маюць памеры да 0,01 мм. Пругкія Д. — вобласці з рознай спантаннай дэфармацыяй, што ўзнікаюць у цвёрдай фазе пры яе ўтварэнні ўнутры або на паверхні інш. цвёрдай фазы; выяўляюцца пры ўпарадкаванні цвёрдых раствораў, мех. двайнікаванні і інш. Д. Гана — вобласці паўправаднікоў з розным удзельным эл. супраціўленнем і рознай напружанасцю эл. поля; утвараюцца ў паўправадніках з N-падобнай вольтампернай характарыстыкай (гл. Гана эфект).

П.С.Габец, П.А.Пупкевіч.

т. 6, с. 31