Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БРУ́СТЭРА ЗАКО́Н,
суадносіны паміж паказчыкам пераламлення n дыэлектрыка і такім вуглом падзення (φ светлавога праменя, пры якім адбітае ад паверхні дыэлектрыка натуральнае (непалярызаванае) святло поўнасцю палярызуецца. Адкрыты ў 1815 Д.Брустэрам. Паводле Брустэра закона tg φ = n, дзе φ — вугал Брустэра. Пры выкананні Брустэра закона вугал паміж адбітым і пераломленым прамянямі складае 90°. Брустэра закон пакладзены ў аснову работы прылад аптычнай апрацоўкі інфармацыі, інтэгральнай оптыкі. Гл. таксама Палярызацыя святла.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЖО́ЗЕФСАН (Josephson) Браян Дэйвід
(н. 4.1.1940, г. Кардыф, Вялікабрытанія),
англійскі фізік. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1970). Скончыў Кембрыджскі ун-т (1960), дзе і працуе (з 1974 праф.). Навук. працы па фізіцы цвёрдага цела і звышправаднікоў. Прадказаў (1960) праходжанне звышправоднага току праз тонкі слой дыэлектрыка, які раздзяляе 2 звышправаднікі (гл.Джозефсана эфект). Нобелеўская прэмія 1973 (разам з А.Джаеверам і Л.Эсакі).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЖО́ЗЕФСАНА ЭФЕ́КТ,
працяканне звышправоднага току праз тонкі слой дыэлектрыка, які раздзяляе 2 звышправаднікі (кантакт Джозефсана). Прадказаны Б.Джозефсанам (1962); эксперыментальна выяўлены амер. фізікамі П.Андэрсанам і Дж.Роўэлам у 1963 пры вывучэнні вольт-ампернай характарыстыкі джозефсанаўскіх кантактаў.
Уласцівасці Дж.э.: электроны праводнасці праходзяць праз дыэлектрык з-за тунэльнага эфекту і, калі ток праз кантакт меншы за пэўнае значэнне, падзення напружання на кантакце няма (стацыянарны Дж.э.), а калі перавышае — узнікае падзенне напружання і кантакт выпрамяняе эл.-магн. хвалі (нестацыянарны Дж.э.). На аснове Дж.э. распрацаваны звышправодныя інтэрферометры, маламагутныя генератары, хуткадзейныя элементы ЭВМ, параметрычныя пераўтваральнікі, адчувальныя дэтэктары, узмацняльнікі і інш.
Да арт.Джозефсана эфекта — тунэляванне звышправодных пар; б — элемент Джозефсана; 1 — электронная пара; 2 — звышправаднік; 3 — дыэлектрык (слой вокіслу); 4 — падложка.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГІСТЭРЭ́ЗІС
(ад грэч. hystēresis адставанне),
неадназначная залежнасць фіз. велічыні, якая апісвае стан або ўласцівасці цела, ад велічыні, што характарызуе знешнія ўздзеянні. Абумоўлены неабарачальнымі зменамі ў целе, якія выяўляюцца пад уплывам знешніх фактараў, у выніку чаго цела пасля спынення ўплыву на яго характарызуецца астаткавымі ўласцівасцямі (астаткавай намагнічанасцю, электрызацыяй, дэфармацыяй і інш.) і адпаведна гэтаму гістэрэзіс наз. магнітным, дыэлектрычным, пругкім і інш.
Магнітны гістэрэзіс — адставанне змен намагнічанасці J ферамагнетыка ад змен напружанасці Н знешняга магн. поля. Звычайна ферамагнетык намагнічаны неаднародна, ён разбіты на вобласці спантаннай намагнічанасці (дамены), дзе велічыня намагнічанасці аднолькавая, а напрамкі яе розныя. Пад уздзеяннем знешняга магн. поля колькасць і памеры даменаў, намагнічаных ўздоўж поля, павялічваюцца за кошт іншых даменаў. Пры некаторым значэнні Н-Hm намагнічанасць узору дасягае свайго найб. значэння і больш не змяняецца пры павелічэнні Н. Калі Н змяншаць, залежнасць J (Н) апішацца крывой, якая ідзе вышэй за папярэднюю. Плошча пятлі гістэрэзісу, утворанай гэтымі крывымі, прапарцыянальная энергіі, страчанай знешнім магн. полем за 1 цыкл перамагнічвання. Велічыня J=Jr пры Н = 0 наз. астаткавай намагнічанасцю, а велічыня Hc, пры якой J=0, — каэрцытыўнай сілай. Дыэлектрычны гістэрэзіс — адставанне змен палярызацыі сегнетаэлектрыка (ці антысегнетаэлектрыка) ад змен напружанасці знешняга эл. поля. Таксама тлумачыцца даменнай структурай дыэлектрыка. Па форме пятля дыэл. гістэрэзісу падобная на пятлю магн. Гістэрэзіс (гл.Сегнетаэлектрычны гістэрэзіс). Пругкі гістэрэзіс — адставанне змен дэфармацый цела ад змен мех. напружанняў. Узнікае пры наяўнасці пластычных дэфармацый (гл.Пластычнасць). Мех. апрацоўка і ўвядзенне дамешкаў прыводзяць да ўмацавання матэрыялу і пругкі гістэрэзіс назіраецца пры большых напружаннях.
