Verbum

МЕ́ЧАНЫЯ А́ТАМЫ,

тое, што ізатопныя індыкатары.

т. 10, с. 326

ВАДАРОДАПАДО́БНЫЯ А́ТАМЫ,

1) іоны лёгкіх элементаў, якія, як вадарод, маюць ядро і адзін электрон. Напр., аднаразова іанізаваны атам гелію He​⁺, двойчы іанізаваны атам літыю Li​²⁺ і да т.п.

2) Нестабільныя часціцы, т.зв. новыя атамы. Напр., мезаатамы, якія маюць ядро атама вадароду (пратон) і адмоўна зараджаную элементарную часціцу (μ​⁻-мезон, π​⁻-мезон і інш.).

т. 3, с. 434

КРАЎН-ЭФІ́РЫ,

цыклічныя поліэфіры, у якіх атамы кіслароду злучаны этыленавымі масткамі. Найпрасцейшы К.-э. — 12-краўн-4 ці 1,4,7,10-тэтраоксацыклададэкан, мае 4 атамы кіслароду.

Вязкія вадкасці ці крышт. рэчывы. Добра раствараюцца ў арган. растваральніках, мала — у вадзе. Утвараюць устойлівыя комплексы з катыёнамі металаў, пераважна шчолачных і шчолачназямельных. Біялагічна актыўныя рэчывы, якія ўплываюць на іонную і субстратную пранікальнасць біял. мембран, а таксама на ферментныя сістэмы. Выкарыстоўваюць для канцэнтравання і раздзялення металаў, стварэння іон-селектыўных датчыкаў і мембран, як лек. прэпараты, пестыцыды, антыдоты.

т. 8, с. 466

ЛАКТА́МЫ,

арганічныя рэчывы; унутраныя цыклічныя аміды амінакіслот. Маюць у цыкле групоўку —C(O)—NR— (R — атам вадароду H ці арган. радыкал). Паводле колькасці атамаў у цыкле адрозніваюць α-Л. (3 атамы), β-Л. (4 атамы), γ-Л. (5 атамаў) і г.д. Л. — крышт. рэчывы. Добра раствараюцца ў вадзе і арган. растваральніках (гл. Капралактам). Паводле хім. уласцівасцей падобныя да амідаў карбонавых кіслот. Многія Л. — біялагічна актыўныя рэчывы (напр., β-Л. ўваходзяць у састаў лактамных антыбіётыкаў, у прыватнасці пеніцылінаў). У прам-сці выкарыстоўваюць пераважна для вытв-сці поліамідных валокнаў.

т. 9, с. 109

АКЦЭ́ПТАР,

дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка, здольны «захапіць» электроны і тым забяспечыць дзірачную электраправоднасць. Тыповыя акцэптары для германію (Ge) і крэмнію (Si) — атамы-дамешкі хім. элементаў III групы (B, Al, Ga, In). Гл. таксама Донары.

т. 1, с. 223

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230