Verbum

АДСАРБЕ́НТЫ,

штучныя і прыродныя матэрыялы з развітой паверхняй, на якой адбываецца адсорбцыя рэчываў. Уласцівасці адсарбентаў залежаць ад хім. саставу, фіз. стану паверхні, характару сітавін і ўдз. паверхні. Адсарбенты бываюць несітаватыя і сітаватыя.

Несітаватыя адсарбенты (молатыя крышталі, часцінкі дыму, сажа, аэрасіл) з удз. паверхняй ад 1 да 500 м²/г атрымліваюць тэрмічным раскладаннем ці няпоўным згараннем вуглевадародаў, пры спальванні элементаарган. ці галагенных злучэнняў. Сітаватыя адсарбенты (сілікагель, алюмагель, актыўны вугаль), удз. паверхня якіх дасягае 1000 м²/г, атрымліваюць хім. спосабамі апрацоўкі зыходных матэрыялаў, высушваннем геляў, сінтэзам сітаватых крышталёў тыпу цэалітаў ці тэрмічным раскладаннем карбанатаў, аксалатаў, гідраксідаў металаў, некаторых палімераў. Гл. таксама Адсорбер, Храматаграфія.

т. 1, с. 138

АНО́ШКА (Валерый Станіслававіч) (н. 9.8.1938, в. Гайдукова Слабада Чэрвеньскага р-на Мінскай вобл.),

бел. вучоны ў галіне фіз. геаграфіі. Д-р геагр. н. (1990), праф. (1991). Скончыў БДУ (1963). З 1964 выкладае ў БДУ. Навук. працы па геагр. прагназаванні, меліярацыйна-геагр. раянаванні тэр. Беларусі, маніторынгавых геагр. даследаваннях. Адзін з заснавальнікаў меліярац.-інжынернай геаграфіі. Распрацаваў канцэпцыю і склаў карту тэхнагеннай парушанасці прыродных комплексаў Беларусі. Аўтар падручніка па меліярац. геаграфіі. Прэзідэнт Бел. геагр. т-ва (з 1983).

Тв.:

Географические основы мелиорации. Мн., 1974;

Мелиоративная география Белоруссии. Мн., 1978;

Основы географического прогнозирования. Мн., 1985 (разам з В.М.Шырокавым, А.М.Трафімавым);

Рациональное природопользование Белорусского Поозерья. Мн., 1993 (у сааўт.).

Г.П.Анціпаў.

т. 1, с. 375

БАДЗЯ́КА (Міхаіл Мікалаевіч) (н. 17.8.1914, в. Пячары Касцюковіцкага р-на Магілёўскай вобл.),

бел. вучоны ў галіне металазнаўства. Чл.-кар. АН Беларусі (1974), д-р тэхн. н., праф. (1968). Скончыў Маскоўскі ін-т сталі (1941). З 1950 у БПІ, з 1953 у Фіз.-тэхн. ін-це АН Беларусі. Навук. працы па тэрмадынаміцы структурных і фазавых ператварэнняў у металах і сплавах ва ўмовах звышвысокіх скарасцей награвання. Распрацаваў тэарэт. асновы тэрмадынамікі рэкрышталізацыі. Дзярж. прэмія Беларусі 1988.

Тв.:

Термокинетика рекристаллизации. Мн., 1968 (разам з С.А.Астапчыкам, Г.Б.Ярашэвічам);

Мартенситностареющие стали. Мн., 1976 (з імі ж);

Электротермообработка сплавов с особыми свойствами. Мн., 1977 (разам з С.А.Астапчыкам).

т. 2, с. 213

БАР’Е́РЫ БІЯГЕАГРАФІ́ЧНЫЯ, бар’еры пашырэння,

любыя перашкоды (геагр., фіз., хім і біял. характару) на шляху пашырэння віду або згуртавання папуляцый жывёл і раслін. Напрыклад, моры, акіяны, горы з’яўляюцца геагр. перашкодамі на шляху пашырэння наземных (мацерыковых, астраўных) жывёл або раслін; лясы перашкаджаюць пашырэнню стэпаў; адсутнасць насякомых (апыляльнікаў) пашырэнню энтамафільных раслін і інш.

Бар’еры біягеаграфічныя — адна з гал. прычын узнікнення і існавання эндэмікаў (гл., напрыклад, Аўстралійская біягеаграфічная вобласць). Высокая ступень эндэмізму фауны воз. Байкал (80—100%) тлумачыцца працяглай адарванасцю (з трацічнага перыяду) гэтага возера ад інш. цэнтраў відаўтварэння. Гасп. дзейнасць чалавека садзейнічае ўтварэнню новых, відазмяняе або ўстараняе існуючыя бар’еры біягеаграфічныя і садзейнічае пашырэнню карысных і шкодных відаў жывых арганізмаў.

т. 2, с. 307

БЕ́ЛЫ (Аляксей Уладзіміравіч) (н. 15.5.1950, г. Растоў-на-Доне, Расія),

бел. вучоны ў галіне матэрыялазнаўства. Д-р тэхн. н. (1990), праф. (1995). Сын У.А.Белага. Скончыў Маскоўскі ун-т імя М.В.Ламаносава (1973). З 1973 у Фізіка-тэхн. ін-це, з 1992 у Прэзідыуме АН Беларусі. Навук. працы па фізіцы ўзаемадзеяння канцэнтраваных патокаў зараджаных часціц з кандэнсаванымі асяроддзямі, трыбатэхніцы. Развіў фіз. асновы іонна-прамянёвай апрацоўкі матэрыялаў і пакрыццяў, метады мадыфікавання паверхневых слаёў зносаўстойлівых матэрыялаў. Дзярж. прэмія Беларусі 1988.

Тв.:

Поверхностная упрочняющая обработка с применением концентрированных потоков энергии. Мн., 1990 (разам з Я.М.Макушком, І.Л.Побалем);

Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев. М., 1991 (разам з Г.Дз.Карпенкам, М.К.Мышкіным).

т. 3, с. 82

БО́КУЦЬ (Барыс Васілевіч) (27.10.1926, в. Сакольшчына Уздзенскага р-на Мінскай вобл. — 15.3.1993),

бел. фізік. Акад. АН Беларусі (1980, чл.-кар. 1974), д-р фіз.-матэм. н. (1973), праф. (1975). Засл. дз. нав. Беларусі (1978). Скончыў БДУ (1952). З 1955 у Ін-це фізікі АН Беларусі, У 1973—89 рэктар Гомельскага ун-та. Навук. працы па нелінейнай оптыцы і электрадынаміцы аптычнаактыўных крышталёў. Высветліў асн. аспекты нелінейнага пераўтварэння частаты ў крышталях і стварыў (разам з супрацоўнікамі) перастройвальныя крыніцы кагерэнтнага аптычнага выпрамянення. Дзярж. прэмія СССР 1984.

Тв.:

Достижения физической оптики в Белоруссии. Мн., 1979 (разам з В.В.Філіпавым);

Эффект Садовского в поглощающих гиротропных средах. Мн., 1980 (разам з Г.С.Міцюрычам, В.В.Шапялевічам).

т. 3, с. 208

БРО́ЎНАЎСКІ РУХ,

браўнаўскі рух, хаатычны рух дробных часцінак, завіслых у вадкасці ці газе. Адкрыты Р.Броўнам у 1827, тэарэтычна абгрунтаваны А.Эйнштэйнам і М.Смалухоўскім (1905—06) на падставе малекулярна-кінетычнай тэорыі. Броўнаўскі рух абумоўлены цеплавым рухам малекул і адсутнасцю кампенсацыі ўдараў, якія адчувае часцінка з боку малекул. Інтэнсіўнасць броўнаўскага руху не залежыць ад часу і хім. уласцівасцей асяроддзя, але павялічваецца з ростам т-ры асяроддзя, памяншэннем яго вязкасці і памераў часцінак (незалежна ад іх хім. прыроды). Броўнаўскі рух адыгрывае важную ролю ў некаторых фіз.-хім. працэсах (напр. каагуляцыя), абмяжоўвае дакладнасць высокаадчувальных прылад. Тэорыя броўнаўскага руху займае значнае месца пры абгрунтаванні прынцыпаў статыстычнай фізікі.

т. 3, с. 263

БЫТАВЫ́Я АДХО́ДЫ,

разнастайныя паводле складу і фіз.-хім. уласцівасцяў рэшткі, якія ўтвараюцца ў працэсе бытавой дзейнасці чалавека. Падлягаюць выдаленню або ліквідацыі для папярэджання забруджвання навакольнага асяроддзя. У сувязі з павелічэннем аб’ёмаў бытавых адходаў з’яўляюцца крыніцай біятычнага, механічнага, хім. і інш. відаў забруджвання навакольнага асяроддзя, пагаршаюць яго сан.-эпідэміялагічныя, аздараўленчыя і эстэт. вартасці. Нейтралізацыя адмоўнага ўплыву бытавых адходаў звязана з распрацоўкай спосабаў іх выкарыстання як сыравіны і крыніцы энергіі для розных галін нар. гаспадаркі (напр., харч. адходы як другасныя кармы для жывёлы, рэшткі металу і паперы — сыравіна для другаснай іх вытворчасці і інш.). Ствараюцца цэнтралізаваныя сістэмы выдалення і апрацоўкі вадкіх і цвёрдых бытавых адходаў (гл. Утылізацыя забруджвальнікаў).

Я.В.Малашэвіч.

т. 3, с. 377

БЯССО́ННІЦА інсамія, агрыпнія, парушэнне начнога сну. Выяўляецца цяжкім засынаннем, частым на працягу ночы або раннім абуджэннем ці поўным знікненнем глыбокага сну. Прычыны бяссоніцы: няўстойлівасць сну з дзяцінства (спадчынная, ад некаторых перанесеных у дзяцінстве хвароб), парушэнні ўмоў і дынамічнага стэрэатыпу сну (начная работа, дзённае фіз. і псіхічнае ператамленне, познія заняткі, нязвыклае месца для сну і інш.), хваробы нерв. сістэмы, траўмы галаўнога мозга, змены біялагічных рытмаў і фізіял. працэсаў у арганізме пры пераходзе ў сталы і старэчы ўзрост. Бяссонніца — абавязковы сімптом некаторых хвароб, напр. алкагалізму, цяжкіх неўрозаў і псіхозаў. Лячэнне: правільны рэжым працы і адпачынку, заняткі фізкультурай, водныя працэдуры, заспакаяльныя і снатворныя сродкі.

т. 3, с. 419

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463