Verbum

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ ПРЫЛА́ДЫ,

прылады, дзеянне якіх заснавана на электронных працэсах у паўправадніках. Адрозніваюць прылады на аснове аднародных паўправаднікоў (фотарэзістар, Гана дыёд і інш.) і паўправадніковых пераходаў (электронна-дзірачны пераход, гетэрапераход, Шоткі дыёд і інш.).

У П.п. выкарыстоўваюцца працэсы, абумоўленыя адчувальнасцю паўправаднікоў да знешніх уздзеянняў (змены т-ры, апрамянення, святла, эл. і магн. палёў і інш.), іх паверхневыя ўласцівасці (кантакты паўправаднік—метал, паўправаднік—дыэлектрык і іх спалучэнні), а таксама залежнасць уласцівасцей паўправадніковых узораў ад іх памераў. Адрозніваюць П.п. дыскрэтныя (асобныя вырабы) і інтэгральныя (актыўныя элементы маналітных інтэгральных схем). П.п. выкарыстоўваюцца для апрацоўкі эл. сігналаў (паўправадніковы дыёд, транзістар, тырыстар), пераўтварэння сігналаў аднаго віду ў другі (паўправадніковы лазер, фотатранзістар і інш.), атрымання адных відаў энергіі з іншых (тэрмаэлемент, сонечная батарэя і інш.), успрымання відарысаў (прылада з зарадавай сувяззю), пераўтварэння мех. і магн. велічынь у электрычныя (тэнзарэзістар, Хола пераўтваральнік), рэгістрацыі часціц (паўправадніковы дэтэктар), эмісіі электронаў у вакуум (халодны катод) і інш.

На Беларусі распрацоўкай і вытв-сцю П.п. займаюцца ў навук.-вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і Маладзечанскім вытворчым аб’яднанні «Электрамодуль».

Літ.:

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. Кн. 1—2. 2 изд. М., 1984;

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. 4 изд. М., 1987;

Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Мн., 1988;

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М., 1989;

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2 изд. М., 1990.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

ПАХО́ДЫ ВІ́ТАЎТА НА СМАЛЕ́НСК 1395—1404,

ваенныя паходы супраць Смаленскага княства з мэтай далучэння яго да ВКЛ. Спробы падпарадкаваць смаленскія землі рабіў Альгерд (1356, 1375). У 1386 пасля разгрому смалян войскамі ВКЛ каля Мсціслава (гл. Мсціслаўская бітва 1386) Ягайла пасадзіў у Смаленску сына загінуўшага ў бітве кн. Святаслава — Юрыя і прымусіў яго ў 1387 прынесці васальную прысягу. Пасля прыходу да ўлады ў ВКЛ Вітаўта Юрый, абапіраючыся на падтрымку Разанскага княства, вырашыў кіраваць самастойна. У 1395 Вітаўт заняў Смаленск і пасадзіў там сваіх намеснікаў — Якава Ямантавіча і Васіля Барэйкавіча. Пасля паражэння Вітаўта ў бітве на Ворскле 1399, Юрый з дапамогай разанскага кн. Алега і паўстаўшых гараджан вярнуў Смаленск. У 1401, 1402, 1403 Вітаўт рабіў няўдалыя спробы вярнуць горад. Пасля смерці разанскага кн. Алега (1402) прыхільнікі Вітаўта спрабавалі ўзняць у княстве мяцеж, але поспеху не мелі. У 1404 пры падтрымцы Ягайлы і нейтралітэце Маск. дзяржавы Вітаўт уключыў Смаленскае княства ў склад ВКЛ. Паводле сведчання «Хронікі літоўскай і жамойцкай», «Вітаўт... вінных усіх... пазабіваў да трох тысяч, і, абы ў Смаленску не было больш ужо бунтаў, з княства абярнуў ужо ў ваяводства». Уваходжанне смаленскіх зямель у склад ВКЛ не прынесла значных змен у іх грамадскае і эканам. жыццё, яны захавалі сваю аўтаномію, прывілеі і культ. традыцыі.

Літ.:

Ластовский Г. Смоленск и Великое княжество Литовское в XIII—XVI вв. // Край Смоленский. 1993. № 7/8.

т. 12, с. 239

ПАЦЕ́ХІН (Васіль Васілевіч) (5.5.1906, Масква — 3.10.1963),

бел. рэжысёр. Засл. арт. Беларусі (1949). Скончыў эксперым. майстэрні пры Дзярж. т-ры імя У.​Меерхольда (1935). 1936 рэжысёр у БДТ-3, з 1937 маст. кіраўнік Мазырскага калг.-саўг., у 1938—41 і 1946 Палескага з 1946 гал. рэжысёр Пінскага абл. драм. т-раў, з 1952 рэжысёр Белдзяржэстрады, з 1955 Бел. т-ра юнага гледача. Творчасці ўласцівы ўменне ствараць спектаклі з нац. каларытам, выкарыстоўваць сродкі муз. выразнасці. Сярод работ у БДТ-3 — «Пушкінскі спектакль», «Мяцеж» Дз.​Фурманава і С.​Паліванава (абедзве 1937); у Мазырскім т-ры — «Партызаны» К.​Крапівы, «Не было ні гроша, ды раптам шастак» і «Ваўкі і авечкі» А.​Астроўскага, «Каварства і каханне» Ф.​Шылера (усе 1938); у Палескім т-ры — «Хто смяецца апошнім» Крапівы, «Пагібель воўка» Э.​Самуйлёнка (абедзве 1939), «Любоў Яравая» К.​Транёва (1946); у Пінскім т-ры «Канстанцін Заслонаў» А.​Маўзона, «Несцерка» В.​Вольскага (абедзве 1947), «Гэта было ў Мінску» А.​Кучара (1948), «З народам» К.​Крапівы (1949), «Паўлінка» Я.​Купалы, «Пінская шляхта» В.​Дуніна-Марцінкевіча (абедзве 1952); у т-ры юнага гледача — «Як гартавалася сталь» паводле М.​Астроўскага (1956), «Прыгоды Чыпаліна» Дж.​Радары (1957), «Не верце цішыні» І.​Шамякіна (1958, з. Л.​Мазалеўскай), «Авадзень» паводле Э.​Войніч (1961), «Пара любві» В.​Катаева (1963).

Літ.:

Стэльмах У. Васіль Пацехін // Слова пра майстроў сцэны. Мн., 1967;

Няфёд У. Гісторыя беларускага тэатра. Мн., 1982.

У.​І.​Няфёд.

т. 12, с. 242

ПЕ́ЦЁФІ ((Petöfi) Шандар) (1.1.1823, г. Кішкёрэш, Венгрыя — 31.7.1849),

венгерскі паэт; прадстаўнік рэв. рамантызму. Быў статыстам у т-ры, салдатам, вандроўным акцёрам. Друкаваўся з 1842. У ранняй паэзіі (зб. «Вершы», 1844; паэма-казка «Віцязь Янаш», 1845), прасякнутай фалькл. матывамі, гал. тэмы — прыгажосць роднага краю, багаты духоўны свет людзей. Песімістычна-рамант. настроі ў лірычным цыкле «Хмары» (1845—46), драме «Тыгрыца і гіена» (1845), паэмах «Пішта Сілай», «Шалга», рамане «Катава вяроўка» (усе 1846). Пад уплывам паўстання 1846 у Галіцыі і рэв. падзей у Пешце 1848—49 яго паэзія набыла яскрава рэв.-дэмакр. характар (вершы «Мае песні», «Венгерац я...», «Нацыянальная песня», «На шыбеніцу каралёў!» і інш.). У вершах «Еўропа змоўкла», «Эрдэйская армія», «Мадзьяр пераможа» выказваў упэўненасць у перамозе рэв. ідэалаў. Паэма «Апостал» (1848, поўнасцю апубл. 1874) пра трагічны лёс рэвалюцыянера. На бел. мову яго вершы пераклалі А.​Зарыцкі, Я.​Семяжон, М.​Хведаровіч, апавяданні — Г.​Сапрыка, М.​Татур.

Тв.:

Бел. пер. — Ліра і меч: Выбр. Мн., 1971;

У кн.: Венгерскія апавяданні. Мн., 1957;

У кн.: Семяжон Я. Сем цудаў свету: Выбр. пераклады паэзіі. Мн., 1977;

У кн.: Зарыцкі А. У свет па песні: Выбр. пераклады паэзіі. Мн., 1978;

Рус. пер. — Собр. соч. Т. 1—3. Будапешт, 1973.

Літ.:

Петефи в мировой культуре. М., 1975;

Парнов Е.И. Витязь чести: Повесть о Шандоре Петефи. М., 1982;

Ийеш Д. Шандор Петефи: Пер. с венг. М., 1984.

Л.​П.​Баршчэўскі.

т. 12, с. 340

ПІ́НСКАЕ КНЯ́СТВА,

удзельнае княства ў вярхоўях р. Прыпяць і нізоўях яе прытокаў Ясельда, Піна, Стыр, Гарынь. Цэнтр — г. Пінск. Вылучылася з Тураўскага княства паміж 1167 і 1174. 1-ы пінскі князь — Яраслаў Юр’евіч, сын тураўскага кн. Юрыя Яраславіча. У 12—13 ст. знаходзілася пад уплывам Уладзіміра-Валынскага княства і Кіеўскага княства. У 13 ст. праз землі П.к. адбываліся напады літоўцаў на Валынь. Пасля ўтварэння ВКЛ Міндоўгам і яго забойства ў 1263 у Пінск уцёк яго сын Войшалк. У пач. 14 ст. П.к. ўвайшло ў ВКЛ. Паводле завяшчання вял. кн. Гедзіміна княства атрымаў яго сын Нарымонт. П.к. заставалася за яго нашчадкамі да 1-й пал. 15 ст. Пасля смерці кн. Юрыя Сямёнавіча з роду Нарымонтавічаў П.к. ўвайшло ў склад велікакняжацкіх уладанняў Жыгімонта Кейстутавіча. У 1471 П.к. аддадзена Марыі Гаштольд, удаве кіеўскага кн. Сямёна Алелькавіча, потым мужу яе дачкі кн. Ф.​І.​Яраславічу, які ў пач. 16 ст. завяшчаў П.к. вял. кн. ВКЛ Жыгімонту I Старому, той у 1519 перадаў яго сваёй жонцы Боне. Як дзярж. ўладанне П.к. пачало называцца Пінскім староствам, паводле адм.-тэр. рэформы 1565—66 увайшло ў склад Пінскага павета.

Літ.:

Довнар-Запольский М. Очерк истории Кривичской и Дреговичской земель до конца XII столетия. Киев, 1891;

Грушевский А.С. Пинское Полесье: Ист. очерки. Ч. 1—2. Киев, 1901—03;

Лысенко П.Ф. Древний Пинск, XI—XIII вв. Мн., 1997.

П.​Ф.​Лысенка.

т. 12, с. 365

ПІ́НСКАЯ ПРАВАСЛА́ЎНАЯ ЕПА́РХІЯ,

адм.-тэр. адзінка праваслаўнай царквы на Беларусі. З канца 10 — пач. 11 ст. тэр. епархіі ўваходзіла ў склад Тураўскай праваслаўнай епархіі ў падпарадкаванні Кіеўскай мітраполіі. У 1241 кафедра перанесена ў Пінск, што лічыцца пачаткам дзейнасці П.п.е. У 14 ст. епархія тройчы знаходзілася ў юрысдыкцыі Галіцкай мітраполіі, пасля яе скасавання — зноў у Кіеўскай. У 1595—1795 пінскай кафедрай валодалі уніяты, аднак у 1620—32 П.п.е. адраджалася і існавала адначасова з уніяцкай. У 1795—1839 уніяцкія прыходы епархіі аб’ядналіся з правасл. царквой і іх тэр. была ўключана ў склад Мінскай праваслаўнай епархіі. У 1920 епархія адноўлена, у 1922—39 знаходзілася ў складзе Польскай аўтакефальнай правасл. царквы. У 1941 на пінскую кафедру быў прызначаны епіскап Маскоўскага патрыярхату, аднак з-за ваен. дзеянняў ён не змог кіраваць епархіяй. У 1942—44 епархія знаходзілася ў падпарадкаванні Украінскай аўтакефальнай праваслаўнай царквы; у 1944 вернута ў юрысдыкцыю Маскоўскага патрыярхату. У 1839—40 і 1980—90 тытул «епіскап пінскі» насілі вікарыі Мінскай епархіі. У 1990 дзейнасць П.п.е. адноўлена ў складзе Беларускай праваслаўнай царквы, яе тэр. ахоплівае 8 адм. раёнаў Брэсцкай вобл.: Пінскі, Баранавіцкі, Ганцавіцкі, Іванаўскі, Івацэвіцкі, Лунінецкі, Ляхавіцкі, Столінскі. На канец 1999 у епархіі 147 прыходаў, 34 капліцы, 128 святароў, 5 дыяканаў, Пінскі Варварынскі манастыр (адноўлены з 1993).

Літ.:

Пінская епархія // Беларускі праваслаўны каляндар, 2000. Мн., 1999.

В.​К.​Касцюк.

т. 12, с. 368

ПІРАМЕ́ТРЫЯ (ад піра... + метрыя),

сукупнасць аптычных (бескантактных) метадаў вымярэння тэмпературы. Метады П. заснаваны на законах цеплавога выпрамянення або законах тэрмічнай раўнавагі; яны не патрабуюць непасрэднага кантакту з даследуемым целам (дазваляе вымяраць т-ры аддаленых цел) і не маюць абмежавання вымярэння.

Вымярэнне т-р па інтэнсіўнасці суцэльнага спектра выпрамянення праводзіцца на падставе Кірхгофа закону выпрамянення і Планка закону выпрамянення. У залежнасці ад спектральнага складу выпрамянення існуюць метады П.: радыяцыйныя або сумарнага выпрамянення, яркасныя і па спектральным размеркаванні выпрамянення, у т. л. т.зв. каляровы метад. Гэтыя метады выкарыстоўваюць для вызначэння т-ры цвёрдых цел і вадкасцей. Метады П. газаў і плазмы заснаваны на вымярэнні інтэнсіўнасці спектральных ліній. Яны забяспечваюць макс. дакладнасць, калі вядомы абс. імавернасць адпаведнага энергет. пераходу і канцэнтрацыя атамаў. Калі канцэнтрацыя атамаў невядомая, выкарыстоўваюць метад адносных інтэнсіўнасцей, у якім т-ру вызначаюць па адносінах інтэнсіўнасцей 2 спектральных ліній або па спектральным размеркаванні інтэнсіўнасцей шэрагу ліній Т-ра плазмы вызначаецца па форме ці шырыні спектральных ліній, якія залежаць ад т-ры непасрэдна (Доплера эфект) або ўскосна (Штарка з’ява).

На Беларусі даследаванні ў галіне П. вядуцца з 1961 у Ін-це фізікі, Ін-це цепла- і масаабмену, Фізіка-тэхн. ін-це Нац. АН Беларусі.

Літ.:

Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур М., 1982;

Гордов АН., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М., 1992;

Снопко В.Н. Основы методов пирометрии по спектру теплового излучения. Мн., 1999.

В.​М.​Снапко.

т. 12, с. 379

ПЛАЗМАХІ́МІЯ,

раздзел фізічнай хіміі, які вывучае хім. рэакцыі ў эл. разрадах і нізкатэмпературнай плазме. З’яўляецца навук. асновай плазмахім. тэхналогіі, апаратурную базу якой ствараюць плазматрон, камера змешвання рэагентаў, рэакцыйны аб’ём (часта сумешчаныя), сістэма выдзялення мэтавага прадукту і інш.

Асн. асаблівасць плазмахім. працэсаў — магчымасць хім. рэакцый, якія не адбываюцца ў звычайных умовах. Гэта тлумачыцца тым, што ў плазме ўтвараецца значна большая колькасць рэакцыйназдольных часціц (узбуджаных малекул, атамных і малекулярных іонаў, свабодных радыкалаў), чым пры звычайных умовах правядзення хім. рэакцый, прычым утварэнне некаторых з іх магчыма толькі ў плазме. Істотную ролю адыгрываюць свабодныя электроны, рэакцыі з удзелам якіх у большасці выпадкаў з’яўляюцца вызначальнымі. Плазмахім. тэхналогія дае магчымасць сінтэзаваць прадукты з асаблівымі ўласцівасцямі (напр., ультрадысперсныя парашкі, неарган. і арган. плёнкі), скарачае колькасць тэхнал. стадый, пашырае сыравінную базу і змяншае шкодныя выкіды ў навакольнае асяроддзе, спрашчае кіраванне працэсамі і інш. Метадамі П. можна атрымліваць вокіслы азоту з паветра, ацэтылен з вуглевадародаў, сінтэз-газ для вытв-сці вінілхларыду, каталізатары для азотнай і нафтаперапрацоўчай прам-сці, ферытавыя парашкі, вокіслы тытану і цырконію, фосфарныя злучэнні, а таксама паляпшаць і змяняць паверхневыя ўласцівасці матэрыялаў і інш.

На Беларусі тэарэт. і эксперым. даследаванні ў галіне П. вядуцца з 1967 у Ін-тах цепла- і масаабмену, фізікі Нац. АН, БДУ. Гл. таксама Плазменная тэхналогія, Фізіка плазмы.

Літ.:

Низкотемпературная плазма. Т. 3. Химия плазмы. Новосибирск, 1991;

Низкотемпературная плазма. Т. 4. Плазмохимическая технология. Новосибирск, 1991.

А.​Ф.​Бубліеўскі.

т. 12, с. 401

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405

ПЛАСТЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч., plastikos прыдатны для лепкі, падатлівы) матэрыялаў, уласцівасць цвёрдых цел (матэрыялаў) пад уздзеяннем мех. нагрузак зменьваць без разбурэння сваю форму і захоўваць частку атрыманай дэфармацыі пасля спынення ўздзеяння. Залежыць ад структуры цела і ўмоў яго дэфармавання (скорасці нагружэння, т-ры, ціску і інш.). Малое значэнне або адсутнасць П. азначае процілеглую ўласцівасць — крохкасць матэрыялаў. Улік П. дазваляе вызначаць запасы трываласці, дэфармавальнасці і ўстойлівасці канструкцый, магчымасці апрацоўкі матэрыялаў ціскам (валачэння, коўкі, пракаткі, штампоўкі). Вывучаюць П. пластычнасці тэорыя, супраціўленне матэрыялаў і інш.

Пластычная дэфармацыя звязана з разрывам некат. міжатамных сувязей і ўтварэннем новых. П. аморфных цел вызначаецца імавернасцю рэлаксацыйных перагруповак атамаў і малекул (гл. Рэлаксацыя), а цел з крышт. будовай — утварэннем, перамяшчэннем і ўзаемадзеяннем дэфектаў у крышталях. У залежнасці ад колькасці атамаў, што ўдзельнічаюць у элементарным акце пластычнай дэфармацыі, адрозніваюць П.: самадыфузійную і дыфузійную (перамяшчэнне атамных слаёў крышталя, на якія ўздзейнічаюць знешнія сілы, на ўчасткі, дзе дзейнічаюць расцягвальныя сілы), краўдыённую (спараджэнне і перамяшчэнне краўдыёнаў — згушчэнняў атамаў уздоўж шчыльна ўпакаваных шэрагаў атамаў), дыслакацыйную (слізганне па крышталеграфічных плоскасцях, гл. Дыслакацыі ў крышталях), звязаную з дэфармацыяй элементарнай ячэйкі крышталя (гл. Двайнікаванне), з працяканнем фазавага пераўтварэння (гл. Фазавыя пераходы).

Літ.:

Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ. М., 1972;

Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. Физические основы пластической деформации. М. 1982;

Кайбышев О.А. Сверхпластичность промышленных сплавов. М., 1984;

Работнов Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. 2 изд. М., 1988.

т. 12, с. 411