Verbum

ПАСТАЯ́ННАЕ ПРАДСТАЎНІ́ЦТВА РЭСПУ́БЛІКІ БЕЛАРУ́СЬ ПРЫ ААН,

замежны дыпламат. орган знешніх зносін бел. дзяржавы, які прадстаўляе інтарэсы Рэспублікі Беларусь у Арг-цыі Аб’яднаных Нацый, падтрымлівае з ёй пастаянныя сувязі ад імя ўрада Беларусі. Знаходзіцца ў г. Нью-Йорк (ЗША). Узначальваецца пастаянным прадстаўніком. Утворана паводле пастановы СМ БССР ад 28.3.1958. Мае задачы: сачыць за выкананнем палажэнняў Статута ААН, быць у курсе ўсіх міжнар. падзей, асабліва звязаных з парушэннямі міру і міжнар. бяспекі, рыхтаваць адпаведныя прапановы для свайго ўрада, падтрымліваць пастаянныя сувязі з Сакратарыятам ААН, прадстаўніцтвамі інш. краін — членаў ААН, выступаць у органах ААН з прапановамі і акцыямі, прадстаўляць Беларусь у органах ААН. Пасля абвяшчэння незалежнасці Беларусі (27.7.1990) працуе над рэалізацыяй мэт і задач шматбаковай дыпламатыі Рэспублікі Беларусь у ААН. Цесна супрацоўнічае з пастаяннымі прадстаўніцтвамі Рас. Федэрацыі і інш. краін СНД пры ААН. Дзейнічае ў адпаведнасці з Венскай канвенцыяй 1975 аб прадстаўніцтве дзяржаў у іх зносінах з міжнар. арг-цыямі універсальнага характару і інш. міжнар. пагадненнямі. Кіраўнік пастаяннага прадстаўніцтва звычайна ўпаўнаважваецца ўрадам сваёй дзяржавы і да яго прымяняюцца працэдуры запыту агрэману, акрэдытавання ў краіне знаходжання, аб’яўлення персонай нон грата. Кіраўнік і члены дыпламат. персаналу пастаяннага прадстаўніцтва маюць тыя ж прывілеі і імунітэт, што і супрацоўнікі дыпламат. прадстаўніцтваў.

Літ.:

Постоянное представительство Республики Беларусь при Организации Объединенных Наций // Вестн. Мин-ва иностранных дел. 1998. № 2.

У.​Е.​Снапкоўскі.

т. 12, с. 172

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405

ПО́РЦІК (лац. porticus),

галерэя, якая ўтвараецца калонамі ці слупамі і завяршаецца франтонам ці атыкам; звычайна афармляе гал. ўваход у будынак. Вядомы з эпохі антычнасці (у храмах Стараж. Грэцыі, ўзводзіліся і як асобныя збудаванні), пашыраны ў стылях рэнесансу, барока, асабліва характэрныя для класіцызму. На Беларусі П. розных арх. ордэраў адыгрывалі значную ролю ў кампазіцыі палацавых, сядзібных і культавых пабудоў стылю класіцызму. П. дарычнага ордэра ўпрыгожвалі гал. фасад Дзярэчынскага палаца, Магілёўскага Іосіфаўскага сабора, аздабляюць фасады Віцебскага палаца губернатара, Гродзенскага дома віцэ-губернатара, сядзібнага дома ў г.п. Обаль Шумілінскага р-на, Гомельскага Петрапаўлаўскага сабора. П. іанічнага ордэра выкарыстаны ў палацах Сноўскага палацава-паркавага ансамбля і ў в. Хальч Веткаўскага р-на, Магілёўскім касцёле кармелітаў і інш. Своеасаблівае арх. аблічча надаюць П. карынфскага ордэра палацам у Гомелі і в. Жылічы Кіраўскага р-на. Арыгінальна трактаваны класічныя формы ў драўляных П. палаца Радзівілімонтаўскага палацава-паркавага комплексу і інш. У архітэктуры 1930—50-х г. П., у якіх творча перапрацаваны класічныя ўзоры, выкарыстоўваліся як асн. элементы кампазіцыі гал. фасадаў грамадскіх будынкаў (Рэспубліканскі палац культуры прафсаюзаў у Мінску, будынкі абл. драм. т-ра і Палаца культуры і тэхнікі чыгуначнікаў у Гомелі). Буйныя стылізаваныя П. маюць будынкі Белдзяржфілармоніі ў Мінску, чыг. вакзала ў г. Баранавічы і інш.

Г.​С.​Ларкін.

т. 12, с. 515

ПУХЛІ́НЫ, новаўтварэнні,

паталагічныя лакальныя або дыфузныя разрастанні тканак арганізма чалавека і жывёл. Узнікаюць у выніку размнажэння якасна змененых клетак, атыповыя ўласцівасці якіх у адносінах дыферэнцыроўкі, характару росту і інш. працэсаў перадаюцца пры іх дзяленні. Самая вял. частата развіцця і разнастайнасць форм П. назіраецца ў чалавека. Вывучэннем прычын і механізмаў узнікнення П., іх біял. уласцівасцей, распрацоўкай дыягностыкі, лячэння і прафілактыкі займаецца анкалогія. Анкалагічныя захворванні займаюць 2-е месца сярод прычын смерці дарослых і дзяцей. П. ўзнікаюць пад уздзеяннем шматлікіх унутр. (гарманальныя і імунныя парушэнні, перадпухлінныя захворванні і інш.) і знешніх прычын (іанізавальнае і ультрафіялетавае апрамяненне, анкагенныя рэчывы, курэнне, мех. траўма і інш.). Назвы асобных відаў П. паходзяць ад назвы тканак, з якіх яны развіваюцца, з дадаткам канчатка-ома. Адрозніваюць дабра- і злаякасныя П. (вылучаюць таксама прамежкавыя паміж імі). Дабраякасныя маюць выразныя межы, растуць павольна, у выніку навакольныя тканкі адсоўваюцца і сціскаюцца; небяспекі для арганізма звычайна не выклікаюць. Злаякасныя П. праяўляюцца ў форме рака ці саркомы. Асобна вылучаюць злаякасныя П. сістэмы крыві — лейкозы і лімфомы. Яны не маюць выразных межаў, хутка растуць, разбураюць навакольныя тканкі, выклікаюць метастазы з утварэннем пухлінных вузлоў. Пасля выдалення злаякасных П. часта ўзнікаюць рэцыдывы. Большасць П. развіваецца доўгі час без сімптомаў (да 10—20 г. і больш), часта на фоне перадпухлінных хвароб (напр., эрозія шыйкі маткі). Лячэнне: хірург., прамянёвае і хіміятэрапія. П. раслін выклікаюцца грыбамі, бактэрыямі, вірусамі, насякомымі, уздзеяннем нізкіх т-р.

І.​М.​Семяненя.

т. 13, с. 133

РАБАТЫЗАВА́НЫ ТЭХНАЛАГІ́ЧНЫ КО́МПЛЕКС (РТК),

сукупнасць тэхнал. абсталявання, прамысловых робатаў і сродкаў іх аснашчэння, якая функцыянуе аўтаномна. Структура РТК залежыць ад прызначэння, выбару абсталявання і робатаў, характару вытв-сці. Паводле віду тэхнал. працэсу адрозніваюць РТК для мех. апрацоўкі вырабаў, халоднай штампоўкі, коўкі, ліцця, прасавання пластмас, тэрмічнай апрацоўкі, зваркі, зборкі, кантролю і г.д. РТК для работы ў складзе гібкіх вытв. сістэм (напр., гібкі вытворчы модуль, дапоўнены прамысл. робатам) павінны аўтаматызавана пераналаджвацца.

Асн. крытэрый адбору тэхнал. абсталявання пры арганізацыі РТК — ступень яго аўтаматызацыі: яна павінна быць дастатковай, каб без значных канструкцыйных пераробак забяспечыць работу ў аўтам. рэжыме, а прамысл. робат — у макс. ступені змяншаць удзел чалавека ў выкананні аперацый. У сістэмах кіравання звычайна выкарыстоўваюць многапрацэсарныя прыстасаванні лічбавага праграмнага кіравання, якія даюць магчымасць лёгка і хутка прыстасоўваць РТК да змены ўмоў работы. Работа РТК характарызуецца аб’ёмам партый прадукцыі, якія могуць выпускацца без пераналадкі комплексу, і наменклатурай (пералікам) выпускаемых відаў прадукцыі.

Літ.:

Роботизированные производственные комплексы. М., 1987;

Белянин П.Н., Идзон М.Ф., Жогин А.С. Гибкие производственные системы. М., 1988;

Черпаков Б.И., Великович В.Б. Робототехнические комплексы. М., 1989;

Робототехника и гибкие автоматизированные производства. Кн. 1—9. М., 1986.

А.​В.​Самойленка.

т. 13, с. 182

РАЗМНАЖЭ́ННЕ,

характэрная для ўсіх жывых арганізмаў уласцівасць узнаўлення сабе падобных, якая забяспечвае бесперапыннасць і пераемнасць жыцця. Адрозніваюць 3 асн. формы: бясполае размнажэнне (у прасцейшых — дзяленне папалам, шызаганія, у вышэйшых раслін — з дапамогай спор), вегетатыўнае размнажэнне (у шматклетачных арганізмаў шляхам адасаблення ч. цела і аднаўлення іх ад цэлага індывідуума, пачкаванне) і палавое размнажэнне (двухполае, г.зн. у выніку апладнення, і аднаполае нявіннае — партэнагенез). З-за адсутнасці палавога працэсу бясполае і вегетатыўнае Р. часта мае агульную назву — бясполае Р., хаця прырода і паходжанне іх неаднолькавыя: пры бясполым Р. асобіна развіваецца з адной клеткі, не дыферэнцыраванай паводле полу, а пры вегетатыўным — новай асобіне даюць пачатак шматклетачныя зачаткі рознага паходжання. Палавому Р. шматклетачных папярэднічае ўтварэнне гамет (шляхам меёзу), якія зліваюцца пры апладненні ў зіготу, і спадчынная інфармацыя, што знаходзіцца ў ДНК храмасом, аб’ядноўваецца. На працягу жыцця Р. бывае аднаразовае (такія арганізмы наз. монацыклічнымі і звычайна прыносяць шматлікае патомства) і шматразовае (поліцыклічныя арганізмы менш пладавітыя). Для жыццёвага цыкла многіх відаў жывёл характэрна чаргаванне розных форм Р., якое спалучаецца з чаргаваннем марфалагічна розных пакаленняў: палавое і бясполае, двухполае і партэнагенез, двухполае і вегетатыўнае. Чаргаванне палавога (гаметафіт) і бясполага (спарафіт) пакаленняў бывае і ў раслін. На інтэнсіўнасць Р. ўплываюць умовы навакольнага асяроддзя — т-ра, даўж. светлавога дня, ежа і інш. У вышэйшых жывёл дзейнасць органаў Р. знаходзіцца пад кантролем нерв. сістэмы і эндакрынных залоз.

Р.​Г.​Заяц.

т. 13, с. 262

РАССЯЛЕ́ННЕ РАСЛІ́Н І ЖЫВЁЛ,

распаўсюджванне арганізмаў за межы відавога арэала і натуралізацыя на новых месцах; сродак захопу новых тэрыторый або тых, што вызваліліся ад інш. арганізмаў, і ўстанаўлення збалансаванай разнастайнасці пэўнага біягеацэнозу, адзін з фактараў, які садзейнічае патоку генаў і відаўтварэнню. Існуе таксама штучнае рассяленне віду, якое ўключае акліматызацыю і рэакліматызацыю; з’яўляецца эфектыўным прыёмам барацьбы з непажаданай інтрадукцыяй раслін або жывёл; карыснае мерапрыемства для дзічынаразвядзення.

Адрозніваюць рассяленне актыўнае (аўтахарыя) і пасіўнае (алахарыя). Вылучаюць 3 яго тыпы: эміграцыя (высяленне з займаемай займанай тэр.), іміграцыя (усяленне на ўжо занятую папуляцыяй тэр. новых асобін) і міграцыя (перыядычнае пакіданне і вяртанне на пэўную тэр.). Спалучэнне дзеяння сродкаў рассялення і перашкод вызначае тэмп рассялення арганізмаў. У раслін рассяленне залежыць ад колькасці жыццяздольных зачаткаў, сродкаў рассялення, магчымасцей натуралізацыі. Бывае паступовым (у прыродных умовах пераважае) і скачкападобным (адразу на вял. адлегласць). Асн. фактары рассялення: паветраныя плыні — ветры, узыходныя токі паветра (анемахарыя), воды сушы (гідрахарыя), марскія цячэнні; жывёлы (зоахарыя); дзейнасць чалавека (антрапахарыя). Абмяжоўваецца геагр. (моры, пралівы, горы і інш.), экалагічнымі (неадпаведнасць кліматычных і інш. абіятычных і біятычных умоў прыродзе віду) і біял. (канкурэнцыя інш. відаў) фактарамі. У. жывёл рассяленне звычайна звязана са змяненнем абіятычных і біятычных умоў навакольнага асяроддзя і колькасці жывёл. Залежыць ад стану папуляцыі пэўнага віду, павелічэння яго колькасці (павелічэнне шчыльнасці папуляцыі).

Літ.:

Лопатин И.К. Основы зоогеографии. Мн., 1980;

Воронов АГ, Дроздов Н.Н., Мяло Е.Г. Биогеография мира. М., 1985.

А.​М.​Петрыкаў.

т. 13, с. 362

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.​В.​Валяўка, В.​К.​Паўленка.

т. 9, с. 101

ВАСЬМЯРЫ́К у архітэктуры,

васьмівугольны ў плане будынак або яго частка. Форма васьмерыка характэрная для архітэктуры Візантыі, паўд. славян (Балгарыя), Арменіі, Грузіі і інш. У Зах. Еўропе вядомы ў раманскай архітэктуры, готыцы, найб. пашыраны ў стылях рэнесансу, барока і класіцызму. Васьмерыкі ў завяршэнні культавых пабудоў вядомы ў стараж.-рус. дойлідстве і звязаны з уплывам візант. архітэктуры.

На Беларусі ў 16—18 ст. у форме васьмерыка будавалі некаторыя вежы гарадскіх умацаванняў (у Віцебску вядомыя пад назвай «круглікаў»), замкаў, палацаў, ратушаў, а таксама культавыя будынкі (Смаргонскі кальвінскі збор), вежы манастыроў і кляштараў. У 16—19 ст. пашырыліся камбінаваныя формы васьмерыка і чацверыка (васьмярык узвышаецца над чацверыком — вежа Заслаўскай Спаса-Праабражэнскай царквы, вежа-званіца касцёла ў г. Барысаў). У культавым дойлідстве форму васьмерыка звычайна мелі барабаны, якія ўзвышаліся над гал. аб’ёмамі (Магілёўская Мікалаеўская царква). У драўляным, пераважна культавым, дойлідстве 17—19 ст. форма васьмерыка ўзнікла пад уплывам стылю барока. Была найб. пашырана ў вырашэнні цэнтр. аб’ёмаў цэркваў (Слуцкая Міхайлаўская царква) або цэнтр. аб’ёму і званіцы (царква ў в. Астрашыцкі Гарадок Мінскага р-на). Для Палескай школы дойлідства 2-й пал. 18—19 ст. характэрна чаргаванне васьмерыкоў і чацверыкоў у вырашэнні аб’ёмаў храмаў і званіц (Рубельская Міхайлаўская царква). У 1950-я г. форма васьмерыка выкарыстоўвалася ў жылых і грамадскіх будынках пры вылучэнні зальных памяшканняў, а таксама ў завяршэннях асн. частак бельведэрамі і інш. элементамі.

Ю.​А.​Якімовіч.

т. 4, с. 34

АПАВЯДА́ННЕ,

невялікі празаічны (часам вершаваны) твор; жанр эпічнай л-ры (гл. Эпас). Звычайна ў яго аснове адна жыццёвая сітуацыя, падзея, эпізод, творам гэтага жанру характэрны адна сюжэтная лінія, невял. колькасць дзейных асоб. Генетычна апавяданне звязана з жанрамі вуснай паэт. творчасці: казкай, анекдотам, паданнем і інш. Паводле характару адлюстравання рэчаіснасці і выяўлення асобы аўтара вылучаюць апавяданне бытавое, сатыр., псіхал., лірычнае і г.д.

Шырока вядомы апавяданні: Дж.​Бакачыо ў італьянскай л-ры, М.​Сервантэса ў іспанскай, Гі дэ Мапасана, П.​Мерымэ, Стэндаля ў французскай, О.​Генры, У.​Фолкнера, Э.​Хемінгуэя ў амерыканскай, С.​Моэма ў англійскай, Р.​Акутагавы ў японскай, А.​Пушкіна, М.​Гогаля, І.​Тургенева, Л.​Талстога, А.​Чэхава, М.​Горкага, І.​Бабеля, М.​Зошчанкі, М.​Прышвіна, Ю.​Нагібіна, В.​Шукшына ў рускай. Першыя ўзоры бел. апавядання стварылі А.​Плуг («Кручаная баба», нап. 1849), Ф.​Багушэвіч («Тралялёначка», апубл. 1892). Напачатку апавяданне мела рысы жанравай замалёўкі, быт. жарту, анекдота (Ядвігін Ш.). Паступова яно пазбаўлялася бытавізму, набывала моцнае сац. гучанне («Прысяга над крывавымі разорамі» Цёткі). Я.​Колас стварыў першыя ў бел. л-ры алегарычна-філас. апавяданне («Казкі жыцця»). У жанры апавядання паспяхова працавалі Ц.​Гартны, М.​Зарэцкі, К.​Чорны, З.​Бядуля, П.​Галавач, Э.​Самуйлёнак. Сучаснае апавяданне звязана з імёнамі М.​Лынькова, Я.​Брыля, В.​Быкава, І.​Мележа, Я.​Скрыгана, У.​Караткевіча, А.​Кулакоўскага, І.​Шамякіна, А.​Чарнышэвіча, М.​Стральцова, І.​Пташнікава, В.​Адамчыка, Б.​Сачанкі, І.​Чыгрынава і інш.

Літ.:

Беларуская савецкая проза: Апавяданне і нарыс. Мн., 1971.

С.​А.​Андраюк.

т. 1, с. 411