Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).
Літ.:
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.