Verbum

ІМУНАЛО́ГІЯ (ад імунітэт + ...логія),

комплекс медыка-біял. навук пра будову, функцыі і развіццё імуннай сістэмы чалавека (мед. І.), жывёл (вет. І.) і вышэйшых раслін. Вывучае: антыгенную структуру клетак і тканак арганізма, імунакампетэнтныя органы, клеткі і малекулы, а таксама з’явы, што імі абумоўлены — імунітэт, алергія, імуналагічныя талерантнасць і памяць (тэарэт. І., імунабіялогія); антыгенную структуру ўзбуджальнікаў, імунадыягностыку, імунатэрапію і імунапрафілактыку інфекц. і паразітарных захворванняў (інфекц. І.); імунны статус і яго дынаміку, карэкцыю і дыягностыку ў хворых на імунапаталагічны стан (клінічная І., імунапаталогія). Уключае таксама алергалогію, імунагенетыку, імунахімію, імунагематалогію, імуналагічную інжынерыю, трансплантацыйную І. і інш. Метады І. (сералагічны, алергалагічны, імунахім., імунамарфал., імунагенет., генна-інж. і інш.) шырока выкарыстоўваюць у біялогіі і медыцыне, у т. л. пры ідэнтыфікацыі вірусаў і бактэрый, вызначэнні прыроды алергенаў, пераліванні крыві, трансплантацыі органаў. Як самаст. навука І. закладзена ў канцы 19 ст. працамі франц. біёлага Л.​Пастэра, ням. вучонага П.​Эрліха, рус. — І.​І.​Мечнікава. На Беларусі працы па І. з’явіліся ў 1-й пал. 20 ст. Значны ўклад у яе развіццё зрабілі Б.​Я.​Эльберт, С.​І.​Гельберг, С.​М.​Фрыд, А.​П.​Красільнікаў, Г.​В.​Краскоўскі, Дз.​К.​Новікаў, Н.​А.​Ізраіцель, М.​М.​Вайцёнак, Л.​П.​Цітоў, А.​С.​Левін і інш. Даследаванні па І. вядуцца ў н.-д. ін-тах гематалогіі і пералівання крыві, эпідэміялогіі і мікрабіялогіі, удасканалення ўрачоў, ін-це радыяцыйнай медыцыны, эксперым. ветэрынарыі, ін-це радыебіялогіі Нац. АН Беларусі, мед. ін-тах. Распрацоўваюцца праблемы імунапрафілактыкі, імунадыягностыкі, імунатэрапіі, імунакарэкцыі, заканамернасці імунітэту пры інфекц. хваробах, асабліва хранічных, праблемы інфекц. і неінфекц. алергіі, камплементу, імунакампетэнтных малекул (інтэрлейкінаў), трансплантацыйнай і радыяцыйнай І. Практычная дзейнасць вядзецца ў цэнтрах гігіены і эпідэміялогіі, лабараторыях па алергалогіі і клінічнай І.

А.​П.​Красільнікаў.

т. 7, с. 216

ІНСТЫТУ́Т ТЭХНІ́ЧНАЙ КІБЕРНЕ́ТЫКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1965 у Мінску на базе Ін-та матэматыкі і выліч. тэхнікі АН Беларусі (існаваў з 1959). У 1995 да ін-та далучаны Выліч. цэнтр АН Беларусі. З 1996 ін-т уваходзіць (як галаўная арг-цыя) у н.-д. аб’яднанне «Кібернетыка» Нац. АН Беларусі. З ін-та вылучаны навук.-інж. прадпрыемствы «Геаінфарм. сістэмы», «Інфарм. тэхналогіі», інж. прадпрыемства «Навук. прыладабудаванне» (1996). У ін-це 2 аддзяленні (19 лабараторый), інж. цэнтр (3 аддзелы), аспірантура, дактарантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: аўтаматызацыя праектавання тэхн. сістэм; мадэляванне інтэлектуальных працэсаў і распрацоўка новых інфарм. тэхналогій; распазнаванне і апрацоўка сігналаў, відарысаў, мовы; матэм. кібернетыка Распрацаваны: тэорыя і сістэмы аўтам. праектавання для машына- і прыладабудавання, мікраэлектронікі; спосабы і сродкі ўводу, вываду, захоўвання і адлюстравання трафічнай інфармацыі; геаінфармацыйныя сістэмы і тэхналогіі; аўтаматызаваныя сістэмы лічбавай картаграфіі, апрацоўкі сігналаў, відарысаў, у т. л. касм. здымкаў і даных дыстанцыйнага зандзіравання Зямлі; новыя інфарм і сеткавыя тэхналогіі, аналізатары і сінтэзатары мовы, паралельныя структуры і нейракамп’ютэры; метады аптымізацыі, дэкампазіцыі экстрэмальных задач, тэорыі раскладаў, аналізу, сінтэзу і дыягностыкі дыскрэтных прылад, кіравання паралельнымі працэсамі, рашэння лагічных ураўненняў, штучнага інтэлекту і распазнавання вобразаў, аналізу і мадэлявання самаарганізавальных сістэм, экасістэм; сродкі аховы інфармацыі. Выдадзены зборнік «Мадэляванне і аўтаматызацыя інфармацыйных працэсаў» (1995); выдаюцца штогод «Лагічнае праектаванне», «Мадэляванне і інфармацыйныя тэхналогіі праектавання», «Комплексная ахова інфармацыі», «Лічбавая апрацоўка відарысаў», «Інтэлектуальныя сістэмы». Ін-т узнаг. ордэнам Прац Чырв. Сцяга (1984). У ін-це працуюць чл.-кар. Нац. АН Беларусі Г.К.Гаранскі, А.​Дз.Закрэўскі, Г.Р.Маньшын, Г.В.Рымскі, В.С.Танаеў (дырэктар з 1987); працаваў чл.-кар. АН Беларусі І.С.Кавалёў.

В.​С.​Танаеў, М.​П.​Савік.

т. 7, с. 272

ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА, інтэгральная мікрасхема, мікрасхема,

мікрамініяцюрнае электроннае ўстройства для пераўтварэння, апрацоўкі ці захавання (назапашвання) інфармацыі, пададзенай у выглядзе эл., аптычных і інш. сігналаў. Складаецца з электрычна звязаных паміж сабой электрарадыёэлементаў (ЭРЭ), сфарміраваных у адзіным тэхнал. цыкле на аснове агульнай нясучай канструкцыі (падложкі). Актыўныя ЭРЭ І.с.: дыёды, транзістары, структуры метал—дыэлектрык—паўправаднік і інш.; пасіўныя: рэзістары, кандэнсатары электрычныя, трансфарматары, індуктыўнасці шпулі і інш. Тэорыю, метады разліку, тэхналогію вырабу І.с. вывучае і распрацоўвае мікраэлектроніка.

І.с. адрозніваюць: па спосабе аб’яднання (інтэгравання) элементаў — паўправадніковыя, ці маналітныя (асн. тып), плёначныя і гібрыдныя (у т. л. шматкрышталёвыя); па выглядзе інфармацыі, што апрацоўваюць, — лічбавыя і аналагавыя; па ступені інтэграцыі (колькасці элементаў на падложцы) — малыя, сярэднія, вялікія, звышвялікія. У маналітных І.с. элементы фарміруюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай, у асн. крэмніевай ці арсенідгаліевай, пласціны) у выніку камбінацыі працэсаў легіравання, траўлення, аксідавання, металізацыі і інш., што праводзяцца метадам фоталітаграфіі. Плёначныя І.с. змяшчаюць толькі пасіўныя элементы. Падложкамі гібрыдных І.с. служаць дыэлектрычныя пласціны, напр з керамікі, або пакрытыя дыэлектрыкам метал. пласціны, напр. на аснове алюмінію і яго аксідаў. На іх паверхні жорстка замацаваны мініяцюрныя ЭРЭ, злучаныя паміж сабой танка- ці таўстаплёначнымі праваднікамі; пасіўныя ЭРЭ могуць быць навяснымі ці плёначнымі. І.с. з’яўляюцца элементнай базай сучасных сродкаў электроннай тэхнікі. Гл. таксама Вялікая інтэгральная схема.

Літ.:

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. М., 1989;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

т. 7, с. 280

МАТЭРЫЯ́ЛЬНА-ТЭХНІ́ЧНАЯ БА́ЗА,

вытворчая і тэхніка-тэхналагічная аснова існавання і развіцця грамадства. У яе структуру ўваходзяць сродкі вытв-сці і прылады працы, тэхніка і тэхналогія яе спалучэння з чалавекам, характар і ўзровень грамадскай арганізацыі працы. Якасны стан М.-т. б. выражае адносіны грамадства да навакольнага прыроднага асяроддзя і адначасова з’яўляецца дэтэрмінантам адносін у вытв-сці. Апошнія выступаюць у якасці формы М.-т. б. і разам з ёю абумоўліваюць змены гіст. тыпаў грамадства. Матэрыялізацыя вопыту і ведаў шматлікіх пакаленняў людзей надае М.-т. б. значэнне аб’ектыўнага падмурка пераемнасці гіст. працэсу і паступовай тэндэнцыі ў развіцці грамадства. У дакапіталіст. грамадствах гал. яе рысай было выкарыстанне ў эканоміцы эмпірычных ведаў, паўсядзённага вопыту, правераных на працягу стагоддзяў спосабаў дзейнасці ў сельскай гаспадарцы, рамёствах, прам-сці. Таму тэмпы грамадскіх змен былі вельмі павольнымі. Узнікненне машыннай вытворчасці, індустрыялізацыя эканомікі на базе капіталіст. адносін, нарастаючае выкарыстанне навукі ў вытв-сці і кіраванні эканомікай і грамадствам сталі якасным пераломам у развіцці М.-т. б. і значна паскорылі тэмпы грамадскіх змен. Аўтаматызацыя прывяла да спалучэння навук. ведаў з прадметнымі элементамі вытв-сці (тэхнікай) і з яе ўдзельнікамі. Праца паступова вызваляецца ад пераважна мех. аперацый на карысць росту інтэлектуальных функцый, што патрабуе ад работніка адпаведнай падрыхтоўкі і адначасова стварае больш спрыяльныя ўмовы яго творчага развіцця. У сучаснай М.-т. б. навука займае месца непасрэднай прадукц. сілы, што характарызуецца выкарыстаннем. значных навук. дасягненняў, высокіх тэхналогій (генетыка і генная інжынерыя, выліч. матэматыка, лазерная фізіка, інфармацыйныя тэхналогіі, метады камп’ютэрнага канструявання, стварэнне новых машын і прыбораў, звышцвёрдых матэрыялаў і інш.). Сучасны стан і гал. кірункі развіцця М.-т. б., а таксама яе магчымасці ствараюць аб’ектыўныя перадумовы для станоўчага вырашэння грамадскіх праблем.

В.​І.​Боўш.

т. 10, с. 215

МНО́СТВАЎ ТЭО́РЫЯ,

раздзел матэматыкі, у якім вывучаюцца агульныя ўласцівасці мностваў; з’яўляецца фундаментам шэрагу матэм. дысцыплін (напр., тэорыі функцый рэчаіснай пераменнай, агульнай тапалогіі, агульнай алгебры, функцыян. аналізу). Метады М.т. знаходзяць дастасаванні ў класічных галінах матэматыкі (напр., якаснай тэорыі дыферэнцыяльных ураўненняў, варыяцыйным злічэнні, тэорыі імавернасцей). Развіццё М.т. глыбока паўплывала на разуменне самога прадмета матэматыкі.

Заснавана Г.Кантарам, які ўвёў паняцці магутнасці мноства, даказаў незлічонасць мноства рэчаісных лікаў, сфармуляваў паняцце актуальна бясконцага (гл. Бесканечнае і канечнае, Бесканечнасць). Паняцце мноства належыць да першапачатковых матэм. паняццяў, яго можна тлумачыць толькі на прыкладах. Адно з асн. паняццяў М.т. — паняцце прыналежнасці элемента дадзенаму мноству. Мноства лічыцца зададзеным, калі зададзена характарыстычная ўласцівасць яго элементаў; а калі дадзенай уласцівасці не мае ні адзін з элементаў, то гавораць, што такая ўласцівасць вызначае пустое мноства. Напр., мноства рэчаісных каранёў ураўнення х​² = -1 з’яўляецца пустым. Магчымасць колькаснай параўнальнай ацэнкі мностваў грунтуецца на паняцці ўзаемна адназначнай адпаведнасці (біекцыі) паміж 2 мноствамі: мноствы X і Y з’яўляюцца роўнамагутнымі (эквівалентнымі), калі паміж іх элементамі вызначана ўзаемна адназначная адпаведнасць. Бясконцыя мноствы, роўнамагутныя мноству ўсіх цэлых лікаў, наз. злічонымі (напр., мноства рацыянальных лікаў). Мноства ўсіх рэчаісных лікаў мае магутнасць (абагульненне паняцця ліку элементаў), большую за магутнасць злічонага мноства, і яго магутнасць наз. магутнасцю кантынуума. Значны ўклад у развіццё М.т. зрабілі рас. матэматыкі Дз.​Ф.​Ягораў, М.​М.​Лузін, П.​С.​Аляксандраў, А.​М.​Калмагораў, П.​С.​Новікаў, амер. матэматык П.​Дж.​Коэн.

Літ.:

Бурбаки Н. Теория множеств: Пер. с фр. М., 1965;

Коэн П.​Дж. Теория множеств и континуум-гипотеза: Пер. с англ. М., 1969;

Александров П.С. Введение в теорию множеств и общую топологию. М., 1977.

А.​А.​Гусак.

т. 10, с. 502

ПЛАСТЫ́ЧНЫЯ МА́СЫ, пластмасы, пластыкі,

матэрыялы на аснове палімераў, якія пры фармаванні іх у вырабы знаходзяцца ў вязкацякучым ці высокаэластычным стане, а пры эксплуатацыі — у шклопадобным або аморфна-крышталічным. У састаў П.м. акрамя палімераў уваходзяць напаўняльнікі: цвёрдыя (паводле іх прыроды адрозніваюць арганапласты, азбапластыкі, борапластыкі, вугляродапласты, графітапласты, металапалімеры, шклапластыкі) ці газападобныя (гл. Газанапоўненыя пластыкі), стабілізатары (антыаксіданты, антыпірэны і інш.), пластыфікатары, фарбавальнікі і пігменты. Паводле фіз. і хім. ператварэнняў, што адбываюцца з палімерам пры фармаванні вырабаў падзяляюць на тэрмапласты (найважн. на аснове поліэтылену, полівінілхларыду, полістыролу) і рэактапласты (найб. пашыраны від — фенапласты).

Перапрацоўка рэактапластаў у вырабы адбываецца адначасова з ацвярдзеннем палімераў, пры гэтым пластык страчвае здольнасць пераходзіць у вязкацякучы стан. Пры фармаванні вырабаў з тэрмапластаў матэрыял цвярдзее пры ахаладжэнні расплаву без хім. сшывання макрамалекул і захоўвае здольнасць да шматразовых пераходаў у вязкацякучы стан. П.м. бываюць аднафазнымі (гамагеннымі) і мнагафазнымі (гетэрагеннымі кампазіцыйнымі) матэрыяламі; у гамагенных палімер з’яўляецца асн. кампанентам, які вызначае ўласцівасці матэрыялу, у кампазіцыйных выконвае функцыю дысперсійнага асяроддзя (сувязнага) у адносінах да інш. кампанентаў. Найважн. добрыя якасці П.м.: малая шчыльнасць, нізкі каэф. трэння і малы знос пры эксплуатацыі, высокая хім. ўстойлівасць, выдатныя дыэлектрычныя і аптычныя ўласцівасці, шырокі спектр дэфармацыйна-трываласных уласцівасцей, прывабны знешні выгляд вырабаў. Асн. прамысл. метады перапрацоўкі тэрмапластаў — ліццё пад ціскам, экструзія, вакуум-фармаванне, пнеўмафармаванне; рэактапластаў — прасаванне і ліццё пад ціскам.

Выкарыстоўваюць ва ўсіх галінах прам-сці і сельскай гаспадаркі ў якасці матэрыялаў рознага прызначэння (канстр., ахоўнага, электратэхн., дэкаратыўнага, фрыкцыйнага і інш.). На Беларусі пластмасавыя вырабы выпускае Барысаўскі завод пластмасавых вырабаў, мінскі завод «Тэрмапласт». Гл. таксама Высокамалекулярныя злучэнні.

Літ.:

Кацнельсон М.Ю., Балаев Г.А. Полимерные материалы: Свойства и применение: Справ. Л., 1982.

М.​Р.​Пракапчук.

т. 12, с. 411

РАДЫЁГАЛАГРА́ФІЯ,

запіс, узнаўленне і пераўтварэнне хвалевага фронту эл.-магн. хваль радыёдыяпазону. Метады Р. маюць шмат агульнага з метадамі аптычнай галаграфіі.

Радыёгалаграфічны працэс складаецца з запісу радыёгалаграмы, што адлюстроўвае параметры хвалевага фронту эл.-магн. поля, і ўзнаўлення відарыса аб’екта, з удзелам якога атрымаўся радыёфронт. Для запісу выкарыстоўваюцца неперарыўныя асяроддзі (аналагічныя фотаматэрыялам у аптычнай галаграфіі) або зонды. Неперарыўнымі асяроддзямі служаць плёнкі рэчываў, аптычныя ўласцівасці якіх (празрыстасць, паказчык пераламлення, паварот плоскасці палярызацыі і інш.) залежаць ад т-ры і лакальна мяняюцца пад уздзеяннем цеплаты, якая вылучаецца пры паглынанні радыёхваль. Зондамі з’яўляюцца антэны або целы, якія рассейваюць эл.-магн. хвалі. Для ўзнаўлення відарыса аб’екта выкарыстоўваюць аптычныя, радыётэхн. або выліч. спосабы. Пры аптычным спосабе радыёгалаграма пераносіцца ў адпаведным маштабе на аптычнае асяроддзе (напр., фотаплёнку), потым асвятляецца апорнай хваляй. Для фарміравання апорнай хвалі ў Р. выкарыстоўваюцца 2 спосабы: звычайны (як і ў аптычнай галаграфіі, калі апорная хваля фізічна існуе ў прасторы адначасова з прадметнай) і спецыфічны для Р., калі ў прасторы ёсць толькі адна (прадметная) хваля, а апорная падаецца ў тракт радыёпрыёмніка ці зонда. Р. выкарыстоўваецца для даследавання аддаленых аб’ектаў, напр., планет і Зямлі з космасу (раздзяленне пры адлюстраванні паверхні на некалькі парадкаў вышэйшае, чым пры звычайных метадах радыёлакацыі), для атрымання відарысаў аб’ектаў, схаваных аптычна непразрыстымі асяроддзямі (напр., ва ўмовах густой воблачнасці), у антэннай тэхніцы (для мадэліравання антэн, вымярэння іх параметраў і інш.), для апрацоўкі радыёсігналаў (сцісканне радыёлакацыйных імпульсаў) і інш.

На Беларусі даследаванні па Р. праводзяцца ў БДУ і Гомельскім ун-це.

Літ.:

Сафронов Г.С., Сафронова А.П. Введение в радиоголографию. М., 1973;

Бахрах Л.Д., Курочкин А.П. Голография в микроволновой технике. М., 1979;

Методы измерений параметров излучающих систем в ближней зоне. Л., 1985.

М.​А.​Вількоцкі, П.​Дз.​Кухарчык.

т. 13, с. 231

РАДЫКА́ЛЫ СВАБО́ДНЫЯ,

хімічныя часціцы, якія маюць няспараныя электроны на знешніх атамных ці малекулярных арбіталях. Наяўнасцю свабоднай валентнасці абумоўлены парамагнетызм і высокая хім. актыўнасць Р.с., якія лёгка ўступаюць у рэакцыі замяшчэння, далучэння, распаду, ізамерызацыі, рэкамбінацыі і дыспрапарцыянавання. Р.с. пашыраны ў прыродзе: утвараюцца ў жывых арганізмах і ўдзельнічаюць у працэсах дыхання і фотасінтэзу; знойдзены ў космасе.

Р.с. бываюць нейтральнымі (атамы, малекулы) ці зараджанымі часціцамі (іон-радыкалы), могуць мець 1, 2 (бірадыкалы) і больш (полірадыкалы) няспараных электронаў. Большасць Р.с. мае малы (долі секунды) час жыцця, іх называюць нестабільнымі. Гэта актыўныя прамежкавыя прадукты ў многіх хім. рэакцыях арган. рэчываў. Існуюць адносна ўстойлівыя, т.зв. стабільныя радыкалы, якія атрымліваюць у выглядзе індывід. рэчываў (напр., нітраксільныя радыкалы — устойлівыя ў паветры інтэнсіўна афарбаваныя крышт. рэчывы ці вадкасці). Першы стабільны Р.с. — трыфенілметыл (С₆Н₅)₃С’ атрымаў (у растворы) амер. хімік М.​Гомберг у 1900. Утвараюцца Р.с. з малекул пры тэрмічнай дысацыяцыі, акісляльна-аднаўляльных працэсах, апрамяненні некаторых рэчываў ультрафіялетавым святлом, пад уздзеяннем патоку часціц высокай энергіі, пранікальнага выпрамянення (радыёліз) і ультрагуку. Даследуюць Р.с. фіз. метадамі: ультрафіялетавая і інфрачырвоная спектраскапія, каларыметрыя, хемілюмінесцэнцыя, мас-спектраметрыя, спектраметрыя электроннага парамагнітнага рэзанансу. Для ідэнтыфікацыі выкарыстоўваюць таксама хім. метады (напр., метад Шварца, заснаваны на ўзаемадзеянні Р.с. з талуолам). Стабільныя Р.с. выкарыстоўваюць як інгібітары полімерызацыі і акіслення розных арган. матэрыялаў (гл. Антыаксіданты); як лічыльнікі для вызначэння скорасці ініцыіравання ланцуговых хім. рэакцый і біяхім. працэсаў, у дэфектаскапіі цвёрдых цел (напр., алмазаў), пры вырабе фотаматэрыялаў.

Літ.:

Бучаченко АЛ., Вассерман А.М. Стабильные радикалы. М., 1973;

Розанцев Э.Г., Шолле В.Д. Органическая химия свободных радикалов. М., 1979;

Нонхибел Д., Теддер Дж., Уолтон Дж. Радикалы: Пер. с англ. М., 1982.

Дз.​І.​Мяцеліца.

т. 13, с. 239

РЭГІЯНА́ЛЬНАЯ ГЕАЛО́ГІЯ,

раздзел геалогіі, што вывучае геал. будову і гісторыю развіцця асобных рэгіёнаў (краін, кантынентаў, акіянаў, складкавых сістэм, платформ або іх частак). Гал. задачы Р.г.: комплекснае геал. даследаванне рэгіёнаў (геал. будова, стратыграфічная паслядоўнасць і ўзрост адкладаў, іх рэчыўны састаў і ўмовы намнажэння, эфузіўныя і інтрузіўныя ўтварэнні, метамарфізм, тэктагенез, фарміраванне і размеркаванне радовішчаў карысных выкапняў і інш.) і параўнальны аналіз геал. будовы і гісторыі развіцця асобных рэгіёнаў для высвятлення будовы і эвалюцыі зямной кары кантынентаў і Зямлі, таксама заканамернасці размяшчэння ў ёй карысных выкапняў. Гал. метады Р.г.: геалагічная здымка, глыбокае і звышглыбокае свідраванне, комплекс геафіз. (электра-, траві-, магніта-, сейсмаметрыя і інш.), геахім., петраграфічных, палеанталагічных даследаванняў, розныя віды дыстанцыйнага зандзіравання (аэрафота і касм.) і інш. Вынікі рэгіянальных геал. даследаванняў выкарыстоўваюцца пры гідрагеал. і інжынерна-геал. дзейнасці, у пошуках карысных выкапняў, прадстаўляюцца ў выглядзе геалагічных карт, карт карысных выкапняў, таксама тэктанічных, геахім., палеагеаграфічных, літолага-фацыяльных і інш. карт, справаздач, тлумачальных запісак.

Першыя рэгіянальныя геал даследаванні адносяцца да 2-й пал. 18 ст., сістэм, характар яны набылі з пач.: 19 ст. пасля распрацоўкі Агульнай стратыграфічнай шкалы фанеразойскіх адкладаў. Найб. вядомыя вучоныя ў галіне Р.г.: англ. Р.​І.​Мурчысан, франц. Ф.​Вернёйль, рус. А.​А.​Кейзерлінг, Р.​П.​Гельмерсен, А.​П.​Карпінскі, А.​Дз.​Архангельскі, У.​А.​Обручаў, М.​С.​Шацкі, М.​М.​Страхаў, В.​Я.​Хаін і інш.

На Беларусі даследаванні па Р.г. праводзяць арг-цыі ВА «Белгеалогія». Значны ўклад у развіццё Р.г. зрабілі П.​А.​Туткоўскі, Г.​Ф.​Мірчынк, А.​М.​Жырмунскі, Г.​І.​Гарэцкі, А.​С.​Махнач, А.​В.​Фурсенка, М.​М.​Цапенка, Л.​М.​Вазнячук, С.​С.​Маныкін і інш.

Літ.:

Милановский Е.Е. Геология России и ближнего зарубежья (Северной Евразии). М., 1996.

Г.​У.​Зінавенка.

т. 13, с. 548

СІКЕ́ЙРАС, Альфара Сікейрас (Alfaro Siqueiros) Хасэ Давід (29.12.1898, г. Чыўаўа, Мексіка — 6.1.1974), мексіканскі жывапісец і графік; адзін з заснавальнікаў мексіканскай школы манум. жывапісу. Ганаровы чл. АМ СССР (1967). Вучыўся ў АМ (1911), школе Санта-Аніта (1913) у Мехіка. Удзельнік мекс. рэвалюцыі 1910—17. З 1919 працаваў у Францыі і Іспаніі; у 1921 выдаў у Барселоне «Маніфест рэвалюцыйнага мастацтва». Заснавальнік (1922) і ген. сакратар (1923—25) «Рэвалюцыйнага сіндыката працаўнікоў тэхнікі і мастацтва». З 1924 адзін з кіраўнікоў Мексіканскай камуніст. партыі, з 1929 ген. сакратар Мексіканскай унітарнай прафсаюзнай канфедэрацыі. Неаднаразова быў арыштаваны. У 1932—34 і 1935—36 працаваў у ЗША. Дзейнасць С. ў Аргенціне (1933), Чылі (1941—42), на Кубе (1943) паўплывала на развіццё манум. мастацтва ў краінах Лац. Амерыкі. Яго работы вылучаюцца смелым стылем, насычанасцю фарбаў, дынамікай форм. Ствараў манум. кампазіцыі, у якіх канкрэтныя персанажы спалучаюцца з сімвалічнымі ўвасабленнямі сац.-гіст. сіл, выкарыстоўваў новыя метады перспектывы, спалучаў жывапіс са скульптурнымі формамі, ужываў новыя маст. матэрыялы (сінтэтычныя фарбы, керамічную мазаіку і інш.): размалёўкі Нац. падрыхтоўчай школы (1922—23), клуба прафсаюзаў электрыкаў (1939), Палаца прыгожых мастацтваў (1945, 1950—51), Нац. музея гісторыі (пачаў у 1959; усе ў Мехіка). У 1950—60-я г. ў трактоўцы гіст. падзей і вобразаў узмацніліся выразнасць і паліт. вастрыня. Аўтар мазаікі і рэльефаў на фасадзе рэктарата Універсітэцкага гарадка ў Мехіка (1952—54), манум.-дэкар. збудавання «Паліфорум» (1971), якое спалучае архітэктуру, жывапіс і скульптуру станковых карцін, літаграфій, малюнкаў. Іл. гл. таксама ў арт. Мексіка.

Літ.:

Григулевич И.Р. Сикейрос. М., 1980;

Семенов О.С. Д.​А.​Сикейрос. М., 1980.

С.​У.​Пешын.

т. 14, с. 372