Verbum

ІНФАРМА́ЦЫІ ТЭО́РЫЯ,

раздзел кібернетыкі, які вывучае працэсы захоўвання, пераўтварэння і перадачы інфармацыі. У І.т. выкарыстоўваюцца метады тэорый імавернасцей, лікаў, графаў, гульняў, матэм. статыстыкі, алгебры. Інтэнсіўнае развіццё абумоўлена патрэбамі сродкаў сувязі, электроннай выліч. і кіравальнай тэхнікі, радыёлакацыі і інш.

Узнікла ў канцы 1940-х г. на аснове прац амер. матэматыка К.​Шэнана; значны ўклад у яе абгрунтаванне зрабілі сав. вучоныя А.​М.​Калмагораў, А.​Я.​Хінчын, А.​А.​Харкевіч. Асн. частка І.т. — агульная тэорыя сувязі, якая распрацоўвае эфектыўныя метады перадачы інфармацыі па лініях сувязі, вывучае праблемы аптымальнага кадзіравання і фільтрацыі інфармацыі, выяўлення і прадказання сігналаў. І.т. зыходзіць з таго, што сігналы (паведамленні) паступаюць ад крыніцы ў выпадковай паслядоўнасці, маюць пэўную імавернасць, а таксама імавернасць таго, што паведамленні могуць скажацца ў час перадачы. У якасці меры такой неазначальнасці прымаецца сярэдняя колькасць двайковых знакаў, неабходная для запісу адвольнага паведамлення дадзенай крыніцы самым эканомным спосабам кадзіравання Гэтая мера не меншая за энтрапію мноства паведамленняў $H=\sum _{i=1}^n{p}_i{\log }_2\text{(}\frac{1}{p_i}\text{)}$ , дзе n — колькасць паведамленняў, P_i — імавернасць з’яўлення асобнага паведамлення. Колькасць інфармацыі ў паведамленні X адносна паведамлення Y вызначаецца суадносінамі I(X, Y) = H(X) + Y(Y) − H(X, Y), дзе H(X, Y) — энтрапія пары (X, Y). Скорасць V перадачы інфармацыі па канале сувязі не перавышае велічыні, вызначанай з суадносін Hv = C, дзе H — энтрапія крыніцы на сімвал, C — прапускная здольнасць дадзенага канала.

На Беларусі даследаванні па І.т. праводзяцца з 1960-х г. у Ін-це тэхн. кібернетыкі Нац. АН, БДУ, Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Шеннон К Работы по теории информации и кибернетике: Пер. с англ. М., 1963;

Дивногорцев Г.П., Караченцева Н.Я., Яшин В.М. Передача данных в сетях вычислительных центров. Мн., 1971;

Липницкий С.Ф., Ярмош Н.А. Моделирование интеллектуальных процессов в инженерных информационных системах. Мн., 1996.

М.​А.​Ярмаш.

т. 7, с. 291

СЕГНЕТАЭЛЕКТРЫ́ЧНАСЦЬ, фераэлектрычнасць,

сукупнасць электрычных і інш. уласцівасцей, характэрных для сегнетаэлектрыкаў, раздзел фізікі цвёрдага цела, які вывучае такія ўласцівасці. Сегнетаэл. ўласцівасці ўстаноўлены ў 1921 чэш. вучоным І.​Валашакам у крышталях сегнетавай солі (адсюль назва).

Арыентацыя многіх элементарных эл. дыпольных момантаў у сегнетаэлектрыку ў адным напрамку вядзе да ўзнікнення самаадвольна палярызаваных абласцей (даменаў), што абумоўлівае спецыфічныя фіз. ўласцівасці сегнетаэлектрыкаў: вял. значэнне дыэл. пранікальнасці, залежнае ад напружанасці эл. поля і т-ры, анамаліі цеплаёмістасці, п’езаэл. і інш. уласцівасцей, асабліва прыкметныя ў вобласці фазавага пераходу. Наяўнасць даменнай структуры вядзе да поўнай кампенсацыі макраскапічнай палярызацыі (адсутнічае «уніпалярнасць»), Раўнаважная даменная структура адпавядае мінімуму свабоднай энергіі крышталя. У ідэальных крышталях яна вызначаецца балансам паміж змяншэннем электрастатычнай энергіі пры ўтварэнні даменаў і энергіяй узніклых даменных сценак; у рэальных крышталях — акрамя таго, прыродай і размеркаваннем дэфектаў, а таксама перадгісторыяй узору. Паводле характару палярызацыі ячэек у даменах адрозніваюць сегнета-, антысегнета- і сегнетыэлектрыкі: у сегнетаэлектрыках усе ячэйкі маюць аднолькавы напрамак палярызацыі, у антысегнетаэлектрыках дамены складаюцца з антыпаралельна палярызаваных ячэек, якія маюць роўныя па модулі эл. моманты; у сегнетыэлектрыках эл. моманты элементарных ячэек скампенсаваны не поўнасцю і гэтыя матэрыялы маюць сегнета- і антысегнетаэлектрычныя ўласцівасці. Усе сегнетаэлектрыкі з’яўляюцца таксама піра- і п’езаэлектрыкамі. Каля Кюры пункта з-за адчувальнасці атамнай структуры крышталю да знешніх уздзеянняў многія яго ўласцівасці (дыэл., п’езаэл., электрааптычныя, пругкія і інш.) нелінейныя і экстрэмальныя. Акрамя таго дынаміка даменнай структуры істотная для анізатропных уласцівасцей крышталю ў сегнетафазе і таксама вядзе да іх нелінейнасці і ўзрастання. Такія крышталі выкарыстоўваюцца ў радыё-, опта-, акустаэлектроніцы і вымяральнай тэхніцы.

На Беларусі даследаванні па С. вядуцца ў Ін-це фізікі Нац. АН, БДУ, Бел. пед. ун-це, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Сонин АС., Струков Б.А. Введение в сегнетоэлектричество. М., 1970;

Струков Б.А., Леванюк АП. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. 2 изд. М., 1995;

Физика сегнетоэлектрических явлений. Л., 1985.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 14, с. 293