сярэдні шлях, які праходзіць часціца (малекула, атамі г.д.) паміж двума паслядоўнымі сутыкненнямі з інш. часціцамі. Для звычайных малекулярных газаў пры нармальных умовах Д.с.п. ~0,1 мкм, што прыкладна ў 100 разоў перавышае сярэднюю адлегласць паміж малекуламі. Паняцце «Д.с.п.» ўзнікла ў кінетычнай тэорыі газаў і абагульнена на выпадак слаба ўзаемадзейных часціц, якія ўтвараюць газападобныя сістэмы (электронны газ у металах і паўправадніках, нейтроны ў слаба паглынальным асяроддзі і інш.). Выкарыстоўваецца пры разліках розных працэсаў пераносу (гл.Пераносу з’явы).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БЕТАІ́НЫ,
цвітэр-іоны, унутраныя солі хім. злучэнняў, якія маюць карбаксільную групу (-COOH) і чацвярцічны атам азоту ці трацічныя атамы кіслароду і серы, напр. (CH3)3N+CH2COO-; біпалярныя іоны арган. злучэнняў. Нейтральныя малекулы, у якіх процілеглыя эл. зарады прасторава раз’яднаны. Існуюць у прыродзе як форма амінакіслот у крышталях і водных растворах, як прамежкавыя рэчывы азоцістага абмену многіх раслін і жывёл. Сінт. бетаіны — паверхневаактыўныя рэчывы; выкарыстоўваюцца як эмульгатары палімерызацыі, дыспергатары, антыстатыкі, змочвальнікі ў папяровай, гарбарнай, тэкст. і металаапр. Прам-сці.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АЗІ́НЫ,
1) шасцічленныя гетэрацыклічныя злучэнні, у цыкле якіх ёсць хоць бы адзін атам азоту. Могуць уключаць інш. гетэраатамы ці быць кандэнсаванымі з інш. цыкламі. Адрозніваюць монаазіны (з адным атамам азоту, напр., пірыдзін, хіналін), дыазіны (з двума атамамі азоту; пірымідзін), трыязіны — цыянуравая кіслата. Азіны — злучэнні з араматычнымі ўласцівасцямі, утвараюць солі з кіслотамі. Вытворныя азіны уваходзяць у састаў нуклеінавых кіслот, вітамінаў групы B, фарбавальнікаў. Выкарыстоўваюцца як тэрапеўт., псіхатропныя сродкі (аміназін, люмінал, сульфадымезін і інш.).
2) Вытворныя гідразіну агульнай формулы RR1C=N—N=CR1R.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГІДРАКСІЛАМІ́Н,
вытворнае аміяку, у якім атам вадароду замешчаны гідраксільнай групай, NH2OH. Бясколерныя, гіграскапічныя крышталі, tпл 32 °C, шчыльн. 1335 кг/м³ (10 °C). Пры хуткім награванні да 100 °C раскладаецца з выбухам. Неабмежавана раствараецца ў вадзе з утварэннем гідрату. З моцнымі к-тамі ўтварае солі гідраксіламонію — моцныя аднаўляльнікі, напр. хларыд NH3OHCl (tпл 152 °C), сульфат (NH3OH)2SO4 (tпл 172 °C). Выкарыстоўваюць у вытв-сці капралактаму. Гідраксіламін і яго солі таксічныя: на скуры выклікаюць экзему. ГДК для NH3OHCl у вадзе вадаёмаў 5 мг/л.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АКІСЛЕ́ННЯ СТУПЕ́НЬ, акіслення лік,
умоўны паказчык, які характарызуе зарад атама ў хім. злучэннях. У малекулах з іоннай сувяззю супадае з зарадам іонаў, напр., у NaCl акіслення ступень Na + I, Cl – I Na + 1, Cl – 1. У злучэннях з кавалентнай сувяззю за акіслення ступень прымаецца зарад, які атрымаў бы атам, калі б усе пары электронаў гэтай сувязі былі цалкам зрушаны ў бок больш электраадмоўных атамаў. Электронныя пары, абагульненыя аднолькавымі атамамі, дзеляцца папалам. Акіслення ступень выкарыстоўваецца пры складанні ўраўненняў рэакцый акіслення-аднаўлення, пры класіфікацыі неарган. злучэнняў, асабліва каардынацыйных (гл.Комплексныя злучэнні).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЗЯМ’Я́НАЎ Мікалай Якаўлевіч
(27.3.1861, г. Цвер, Расія — 19.3.1938),
савецкі хімік-арганік. Акад.АНСССР (1929; чл.-кар. 1924). Скончыў Маскоўскі ун-т (1886). З 1894 праф. Пятроўскай лясной і земляробчай акадэміі ў Маскве, з 1935 у Ін-це арган. хіміі АНСССР. Навук. працы па хіміі цыклічных злучэнняў. Распрацаваў агульны метад атрымання нармальных гранічных гліколяў, ненасычаных спіртоў і ізамерных ім аксідаў. Адкрыў ізамерызацыю аліцыклаў (расшырэнне ці звужэнне на адзін атам вугляроду) пры дэзамінаванні першасных амінаў азоцістай к-той (перагрупоўка Дз., 1903). Ленінская прэмія 1930.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ЗЕ́ЕМАНА З’Я́ВА,
расшчапленне ўзроўняў энергіі і спектральных ліній атамаў і інш. атамных сістэм у знешнім магн. полі. Выяўлена П.Зееманам (1896), тэорыю З.з. распрацаваў Х.А.Лорэнц.
Дзеянне знешняга магн. поля на квантавую сістэму (атам, малекулу, крышталь) вядзе да зняцця выраджэння яе ўзроўняў энергіі, у выніку чаго замест аднаго выраджанага ўзроўню ўзнікае некалькі нявыраджаных. Квантавыя пераходы на гэтыя ўзроўні суправаджаюцца выпрамяненнем і паглынаннем фатонаў з рознай энергіяй, што эксперыментальна выяўляецца як узнікненне замест адной некалькіх спектральных ■ ліній. З.з. выкарыстоўваецца для даследавання будовы атамаў, вымярэння магн. поля пры дапамозе квантавых магнетометраў.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ЛАКТА́МЫ,
арганічныя рэчывы; унутраныя цыклічныя аміды амінакіслот. Маюць у цыкле групоўку —C(O)—NR— (R — атам вадароду Н ці арган. радыкал). Паводле колькасці атамаў у цыкле адрозніваюць α-Л. (3 атамы), β-Л. (4 атамы), γ-Л. (5 атамаў) і г.д.Л. — крышт. рэчывы. Добра раствараюцца ў вадзе і арган. растваральніках (гл.Капралактам). Паводле хім. уласцівасцей падобныя да амідаў карбонавых кіслот. Многія Л. — біялагічна актыўныя рэчывы (напр., β-Л. ўваходзяць у састаў лактамных антыбіётыкаў, у прыватнасці пеніцылінаў). У прам-сці выкарыстоўваюць пераважна для вытв-сці поліамідных валокнаў.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
ВАКА́НСІЯ ў фізіцы, дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).
Літ.:
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.