Verbum

ПАЗІТРО́Н [ад лац. positivus дадатны + (элек)трон],

дадатна зараджаная элементарная часціца; антычасціца электрона. Абазначаецца е​⁺ або е​⁻ Мае аднолькавыя з электронам масу і спін, а магн. момант і эл. зарад роўныя па модулі і процілеглыя па знаку. П. мае спін, роўны ​¹/₂ (ферміён), адносіцца да лептонаў, удзельнічае ў эл.-магн., слабым і гравітацыйным узаемадзеяннях.

Існаванне П. тэарэтычна вынікае з Дзірака ўраўнення, эксперыментальна адкрыты К.Д.Андэрсанам (1932) у складзе касм. прамянёў і стаў першым прыкладам антычасціц. Пры пэўных умовах утварае з электронам вадародападобную сістэму (гл. Пазітроній). Узнікае пры ўзаемапераўтварэннях свабодных элементарных часціц, напр., пры распадах мюонаў, а таксама пры бэта-распадзе некаторых ізатопаў. Прадказаныя Дзіракам і эксперыментальна назіраныя працэсы анігіляцыі і нараджэння пар (П. — электрон) былі першымі доказамі ўзаемапераўтварэнняў элементарных часціц, на аснове якіх распрацаваны метады нараджэння новых элементарных часціц у накапляльных кольцах паскаральнікаў. П. выкарыстоўваецца пры даследаваннях размеркавання скарасцей электронаў праводнасці, дэфектаў крышталічнай рашоткі, кінетыкі некаторых хім. рэакцый і інш.

І.​С.​Сацункевіч.

т. 11, с. 517

ДЫЛАТО́МЕТР,

прылада, якая вымярае змены памераў цела, выкліканыя ўздзеяннем знешніх умоў (гл. Дылатаметрыя). Бывае оптыка-мех., ёмістасны, індукцыйны, інтэрферэнцыйны, рэнтгенаўскі, радыёрэзанансны і інш. Найб. важная характарыстыка — адчувальнасць да абс. змен памераў цела.

У оптыка-механічных Д. (адчувальнасць да 10​⁻⁷ см) змены памераў даследаванага ўзору выклікаюць адпаведныя зрушэнні светлавога паказальніка; у ёмістасных Д. (адчувальнасць да 10​⁻⁹ см) — змены ёмістасці калібраванага кандэнсатара; у індукцыйных Д. (адчувальнасць да 10​⁻⁹ см) пры зменах памераў узору змяняецца ўзаемаіндуктыўнасць двух шпуль індуктыўнасці; у інтэрферэнцыйных Д. (адчувальнасць да 10​⁻⁸ см) даследаваны ўзор размяшчаюць паміж аптычнымі пласцінамі і атрымліваюць інтэрферэнцыйную карціну пры асвятленні іх монахраматычным святлом (змены памераў выклікаюць зрушэнне інтэрферэнцыйных палос); у рэнтгенаўскіх Д. (адчувальнасць да 10​⁻⁶ см) вымяраюць змену параметраў крышталічнай рашоткі цела на рэнтгенаграмах; у радыёрэзанансных Д. (адчувальнасць да 10 ​¹² см) выяўляюцца змены рэзананснай частаты аб’ёмнага рэзанатара, сценкі якога выраблены з даследаванага матэрыялу.

т. 6, с. 281

МАГНІ́ТНАЯ АНІЗАТРАПІ́Я,

неаднолькавасць магн. уласцівасцей рэчыва (намагнічанасці, магнітнай успрыімлівасці, магн. энергіі і інш.) па розных напрамках. Абумоўлена анізатропным характарам магн. ўзаемадзеяння паміж часціцамі — носьбітамі магн. моманту ў рэчыве. Праяўляецца ў магнітаўпарадкаваных монакрышталях (фера- і ферымагнітных), полікрышт. і аморфных рэчывах. М.а. ў крышталях звязана з упарадкаваным размяшчэннем магн. момантаў іх часціц (атамаў, малекул, іонаў) і з’яўляецца вынікам магн. ўзаемадзеяння суседніх часціц і спецыфічных узаемадзеянняў іх электронаў з эл. унутрыкрышталічнымі палямі. М.а. ў полікрышталях праяўляецца пры наяўнасці ў іх магнітнай ці крышталічнай тэкстуры.

Адрозніваюць М.а. прыродную і наведзеную. Прыродная — характэрная для монакрышталёў ферамагнетыкаў, дзе вектары самаадвольнай намагнічанасці ферамагн. даменаў накіраваны ўздоўж некаторых восей крышталя (т.зв. восей лёгкага намагнічвання). Мерай прыроднай М.а. з’яўляецца энергія М.а., якая вызначаецца як работа знешняга магн. поля, неабходная для намагнічвання ферамагнетыка ў зададзеным напрамку. Наведзеная М.а. ўзнікае пры тэхнал. апрацоўцы магнітных матэрыялаў (напр., пры пракатцы, адпале, перакрышталізацыі ў магн. полі); яна з’яўляецца таксама характэрнай уласцівасцю магн. плёнак (узнікае пры напыленні ў магн. полі, напыленні пад вуглом да паверхні, эпітаксіяльным росце на монакрышт. падложцы); можа быць магнітапругкага паходжання (пры наяўнасці ў магн. узоры ўнутраных мех. напружанняў). Матэрыялы з вял. значэннямі канстант М.а. выкарыстоўваюцца ў прыстасаваннях магн. памяці.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 9, с. 481

П’ЕЗАЭЛЕКТРЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч. piezō цісну, + электрычнасць),

сукупнасць з’яў у некаторых дыэлектрычных крышталях, абумоўленых узаемасувяззю паміж іх палярызацыяй (гл. Палярызацыя дыэлектрыкаў) і мех. дэфармацыяй. Пры дэфармацыі прамавугольнай пласцінкі з п’езаэл. крышталя на яе процілеглых гранях узнікаюць эл. зарады рознага знака (прамы п’езаэл. эфект — ПЭЭ) і наадварот — пад уздзеяннем знешняга эл. поля ў пласцінцы ўзнікаюць дэфармацыі расцяжэння, сціскання ці зруху (адваротны ПЭЭ). П. адкрыў у 1817 франц. вучоны Р.​Ж.​Гаюі, даследавалі ў 1880 на крышталях кварцу браты Ж. і П. Кюры.

П. характэрна для анізатропных дыэлектрыкаў з дакладнай крышталічнай структурай, якая не мае цэнтра сіметрыі. Дыэлектрыкі, якім уласціва П., наз. п’езаэлектрыкамі. З іх найб. пашыраны: монакрышталічныя — кварц (п’езакварц), сегнетава соль, п’езакерамічныя — палярызаваныя сегнетаэлектрыкі і інш. п’езаэлектрычныя матэрыялы. ПЭЭ выяўляюцца і ў некаторых высакаомных паўправадніках, якія наз. п’езапаўправаднікамі. Эфекты пераўтварэння эл. энергіі ў пругкую мех. энергію і наадварот выкарыстоўваюць для генерацыі, стабілізацыі частаты і фільтрацыі эл. сігналаў, выпрамянення і прыёму акустычных хваль у розных п’езаэлектронных, акустаэлектронных і інш. прыстасаваннях.

Літ.:

Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики: Основные свойства и применения в электронике. М., 1989;

Современная кристаллография. Т. 4. М., 1981.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 12, с. 255

РАДЫЯЦЫ́ЙНАЯ ФІ́ЗІКА кандэнсаваных сістэм,

раздзел фізікі, які вывучае фіз. працэсы ў кандэнсаваных сістэмах (металы, паўправаднікі, дыэлектрыкі, арган. матэрыялы і інш.), абумоўленыя ўздзеяннем іанізавальнага выпрамянення (радыяцыі).

Дзеянне радыяцыі на крышталі выклікае зрушэнне атамаў са становішчаў раўнавагі ў крышталічнай рашотцы і прыводзіць да ўтварэння радыяцыйных дэфектаў. Радыяцыя змяняе ўласцівасці матэрыялаў (графіт, сталь, бетон) і прылад, якія выкарыстоўваюцца ў атамнай энергетыцы, пры асваенні касм. прасторы (напр., сонечныя батарэі) і інш. Напр., у выніку дзеяння радыяцыі на ваду ўтвараецца малекулярны вадарод і пераксід вадароду; шкло змяняе празрыстасць (афарбоўваецца), металы павялічваюць аб’ём і інш. Здольнасць кандэнсаваных сістэм захоўваць свае ўласцівасці пры ўздзеянні радыяцыі (гл. Радыяцыйная стойкасць) залежыць ад тыпу хім. сувязі іх элементаў структуры, інтэнсіўнасці і віду радыяцыі, т-ры і інш.

На Беларусі даследаванні ў галіне Р.ф. праводзяцца ў Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Інжынерна-тэхн. цэнтры «Сосны» Нац. АН, БДУ.

Літ.:

Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988;

Кирсанов В.В., Суворов АЛ., Трушин Ю.В. Процессы радиационного дефектообразования в металлах. М., 1985;

Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках: Эксперимент. аспекты: Пер. с англ. М., 1985;

Бреховских С.М., Тюльнин В.А. Радиационные центры в неорганических стеклах. М., 1988.

М.​А.​Паклонскі.

т. 13, с. 243

ДАМЕ́НЫ,

вобласці хімічна аднароднага асяроддзя, якія адрозніваюцца эл., магн., пругкімі ўласцівасцямі або ўпарадкаванасцю размеркавання часціц. Утварэнне Д. звязана з фазавым пераходам крышталёў у стан з больш нізкай сіметрыяй; аналіз з дапамогай тэорыі груп дазваляе выявіць усе магчымыя віды Д. пры любым фазавым пераходзе. Д. бываюць: ферамагн., сегнетаэл., пругкія, Гана, у вадкіх крышталях і інш.

Вобласць, у якой адбываецца паступовы пераход ад аднаго Д. да другога, наз. мяжой Д. (даменнай сценкай); яе характэрная таўшчыня залежыць ад тыпу фазавага пераходу — ад некалькіх міжатамных адлегласцей для Д., якія адрозніваюцца атамна-крышталічнай структурай, да соцень і тысяч міжатамных адлегласцей у ферамагн. Д. Ферамагнітныя Д. — вобласці самаадвольнай (спантаннай) намагнічанасці; намагнічаныя да насычэння часткі аб’ёму ферамагнетыка, на якія ён распадаецца пры т-рах, меншых за кюры пункт; звычайна маюць памеры да 0,1 мм. Сегнетаэлектрычныя Д. — вобласці аднароднай спантаннай палярызацыі ў сегнетаэлектрыках; маюць памеры да 0,01 мм. Пругкія Д. — вобласці з рознай спантаннай дэфармацыяй, што ўзнікаюць у цвёрдай фазе пры яе ўтварэнні ўнутры або на паверхні інш. цвёрдай фазы; выяўляюцца пры ўпарадкаванні цвёрдых раствораў, мех. двайнікаванні і інш. Д. Гана — вобласці паўправаднікоў з розным удзельным эл. супраціўленнем і рознай напружанасцю эл. поля; утвараюцца ў паўправадніках з N-падобнай вольтампернай характарыстыкай (гл. Гана эфект).

П.​С.​Габец, П.​А.​Пупкевіч.

т. 6, с. 31

МЕЗО́ННАЯ ХІ́МІЯ,

раздзел хіміі, які вывучае атамныя сістэмы, дзе ядро атама заменена інш. дадатнай часціцай (напр., μ​⁺-мюонам, пазітронам) або электрон заменены інш. адмоўнай часціцай (напр., μ​⁻ мюонам, π​⁻- ці K​⁻-мезонам). Узнікла ў 1960-я г. ў сувязі з даследаваннямі хім. рэакцый, якія адбываюцца пры ўзаемадзеянні мюонаў з рэчывам. З дапамогай М.х. атрымліваюць даныя аб размеркаванні электроннай шчыльнасці, крышталічнай і магн. структуры рэчыва, механізме і скорасці хім. рэакцый.

Асн. кірункі даследаванняў у М.х.: π​⁻- і μ​⁻ М.х., вывучэнне паводзін μ​⁺-мюона ў рэчыве і рэакцый мюонія. У π​⁻- М.х. асн. з’яўляецца рэакцыя перазарадкі π​⁻-мезона на пратонах π​⁻ + p → n + π​⁰, імавернасць якой залежыць ад зараду ядра атама, з якім злучаны вадарод, тыпу сувязі паміж атамамі вадароду і інш., што дае магчымасць адрозніць хімічна звязаны вадарод ад свабоднага вадароду. У аснове μ​⁻- М.х. ляжыць вымярэнне энергій і інтэнсіўнасцей асобных ліній у рэнтгенаўскіх спектрах мезаатамаў. Асаблівасці рэнтгенаўскага выпрамянення μ​⁻-атамаў дазваляюць вызначыць элементны састаў узору, а таксама від хім. злучэння гэтых элементаў. μ​⁺-мюон і мюоній па сутнасці з’яўляюцца мечанымі атамамі, за рухам якіх можна сачыць ад моманту нараджэння да моманту распаду. Напр., лакальныя магн. палі ў крышталях узаемадзейнічаюць са спінам мюона і змяняюць карціну яго прэцэсіі, што дазваляе вывучаць характарыстыкі ўнутраных магн. палёў. На аснове вывучэння рэакцый мюонію робяць высновы аб рэакцыях атамарнага вадароду.

Літ.:

Кириллов-Угрюмов В.Г., Никитин Ю.П., Сергеев Ф.М. Атомы и мезоны. М., 1980;

Евсеев В.С., Мамедов Т.Н., Роганов В.С. Отрицательные мюоны в веществе. М., 1985.

т. 10, с. 259

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364