Verbum

МІНІМА́ЛЬНАЯ ПАВЕ́РХНЯ,

паверхня, сярэдняя крывізна якой ва ўсіх пунктах роўная нулю. Выяўляецца пры рашэнні варыяцыйнай задачы знаходжання такой прасторавай паверхні, якая мае найменшую (мінімальную, адсюль назва) плошчу сярод блізкіх паверхняў з той жа зададзенай мяжой. Тэорыя М.п. цесна звязана з тэорыяй аналітычных функцый і варыяцыйным злічэннем, развівалася ў працах Ж.Л.Лагранжа, Г.Монжа і інш. Эксперыментальны спосаб адшукання М.п. з дапамогай мыльнай плёнкі, нацягнутай на драцяны каркас, прапанаваў бельгійскі фізік Ж.​Плато. Прыклады М.п.: плоскасць, вінтавая паверхня, катэноід.

т. 10, с. 386

ПРАСВЯТЛЕ́ННЕ О́ПТЫКІ,

змяншэнне адбіцця святла ад паверхняў аптычных дэталей нанясеннем на іх непаглынальных плёнак таўшчынёй, сувымернай з даўжынёй хвалі аптычнага выпрамянення. Вынік інтэрферэнцыі святла, адбітага ад пярэдніх і задніх паверхняў такіх плёнак, вядзе да ўзаемнага «гашэння» адбітых хваль і ўзмацнення інтэнсіўнасці святла, якое прайшло праз плёнку. Плёнкі наносяць у 1, 2 ці больш слаёў фіз. (напр., вакуумным напыленнем) і хім. (апрацоўкай паверхні растворамі к-т) метадамі. Выкарыстоўваецца ў складаных аптычных сістэмах з многімі адбівальнымі паверхнямі, напр., у фатагр. аб’ектывах, акулярах, перыскопах.

т. 13, с. 17

ПРАШЫ́ЎКА ў металаапрацоўцы,

1) адна з аперацый пры коўцы і штампоўцы, пры якой у загатоўку ўціскаецца спец. інструмент (прошывень) для стварэння скразных адтулін і паглыбленняў. Для П. выкарыстоўваюць прэсы, молаты. П. можа быць падрыхтоўчай аперацыяй для працяжкі.

2) Выдаленне ўнутранай завусеніцы (плёнкі), што застаецца на загатоўках пасля штампавання пры прабіванні ў іх адтулін.

3) Металарэзны інструмент падобны на працяжку, які праштурхоўваецца праз адтуліны, што апрацоўваюцца.

В.​І.​Шагун.

т. 13, с. 36

ГА́ЗАВАЯ ХРАМАТАГРА́ФІЯ,

фізіка-хімічны метад аналізу і раздзялення сумесей, дзе рухомая фаза — газ (пара); від храматаграфіі. У залежнасці ад агрэгатнага стану нерухомай фазы (цвёрды паверхнева-актыўны адсарбент ці вадкасць, нанесеная ў выглядзе тонкай плёнкі на паверхню цвёрдага носьбіта) адрозніваюць газаадсарбцыйную і газавадкасную храматаграфію. Выкарыстоўваюць у розных галінах прам-сці і фізіка-хім. даследаваннях для якаснага і колькаснага аналізу тэрмічна ўстойлівых арган. і неарган. злучэнняў, для вызначэння розных характарыстык (т-ры плаўлення і кіпення, канстанты скорасці і раўнавагі хім. рэакцый і інш.).

Літ.:

Новікаў Г.І., Жарскі І.М. Асновы агульнай хіміі. Мн., 1995.

т. 4, с. 426

ГІДРАФО́БНЫ ЦЭМЕ́НТ,

прадукт тонкага здрабнення партландцэментнага клінкеру (гл. Партландцэмент) разам з гіпсам і гідрафобнымі (воданепрымальнымі) дабаўкамі (асідол, мыланафт, алеінавая к-та і інш.). Дабаўкі (0,1—0,3% ад масы цэменту) утвараюць на паверхні яго часціц тонкія гідрафобныя плёнкі (гл. Гідрафільнасць і гідрафобнасць), якія змяншаюць яго гіграскапічнасць і прадухіляюць ад псавання пры працяглым захоўванні нават у вільготных умовах. Бетоны і растворы на гідрафобным цэменце вызначаюцца меншым водапаглынаннем, большай марозаўстойлівасцю і воданепранікальнасцю, чым на звычайным цэменце. Выкарыстоўваюцца ў аэрадромным і дарожным буд-ве, для абліцоўкі будынкаў і інш.

т. 5, с. 237

МІКРАФІЛЬТРА́ЦЫЯ, мембранная фільтрацыя,

метад раздзялення вадкіх і газападобных дысперсных сістэм з памерамі часцінак 0,02—10 мкм; адзін з мембранных метадаў раздзялення. Займае прамежкавае становішча паміж ультрафільтрацыяй і фільтраваннем. Пры М. ў якасці мембран выкарыстоўваюць пераважна палімерныя высакапорыстыя плёнкі. Рухальная сіла працэсу — градыент ціску; ажыццяўляюць М. пад ціскам 0,01—0,1 МПа. Пры М., у адрозненне ад інш. барамембранных працэсаў, на паверхні мембраны магчыма ўтварэнне цвёрдай фазы (асадку солей). Выкарыстоўваюць пераважна для стэрылізацыі паветра і раствораў, тонкай ачысткі тэхнал. асяроддзяў.

Літ.:

Брок Т.Д. Мембранная фильтрация: Пер. с англ. М., 1987.

А.​В.​Більдзюкевіч.

т. 10, с. 362

ПАЛІМЕ́РНЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ,

матэрыялы на аснове высокамалекулярных злучэнняў (звычайна шматкампанентныя і шматфазныя); найважнейшы клас сучасных матэрыялаў. Асн. тыпы П.м. — пластычныя масы і кампазіцыйныя матэрыялы, гума, лакафарбавыя матэрыялы і лакафарбавыя пакрыцці, кляі, кампаўнды палімерныя, герметыкі, палімербетон, валакністыя плёначныя і ліставыя матэрыялы (валакніты, нятканыя матэрыялы, плёнкі палімерныя, скура штучная і да т.п.). Паводле прызначэння падзяляюць на канстр. агульнага прызначэння і функцыян. (напр., фрыкцыйныя і антыфрыкцыйныя, цепла- і электраізаляцыйныя, токаправодныя, антыкаразійныя, магн.). Вызначаюцца шырокімі магчымасцямі рэгулявання саставу, структуры і ўласцівасцей. Выкарыстоўваюць ва ўсіх галінах тэхнікі і тэхналогіі, у сельскай гаспадарцы і быце.

т. 12, с. 5

ПОЛІЭФІ́РНЫЯ ЛА́КІ,

лакафарбавыя матэрыялы на аснове ненасычаных поліэфірных смол; растворы поліэфірных смол у рэакцыйназдольным арган. растваральніку (пераважна стыроле). Маюць рэчывы, што ініцыіруюць і паскараюць ацвярдзенне, дабаўкі, якія прадухіляюць інгібіраванне гэтага працэсу (напр., парафін) і інш. Наносяць пнеўматычным распыленнем ці пры дапамозе спец. лаканаліўной машыны. Пакрыцці на аснове Пл. (плёнкі таўшчынёй 10—300 мкм) вода- і цеплаўстойлівыя (т-ра эксплуатацыі ад -40 да 60 °C), добра паліруюцца. Выкарыстоўваюць Пл., а таксама шпаклёўкі і эмалі на іх аснове для атрымання ахоўна-дэкаратыўных пакрыццяў на вырабах з дрэва і драўняных матэрыялаў (напр., мэблі).

т. 12, с. 480

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405