электрамагнітнае выпрамяненне, вылучанае сістэмай зарадаў (напр., атамам), з частатой, роўнай частаце ўзбуджальнага выпрамянення. Назіраецца пры пэўных умовах, напр., у разрэджаных газах, замарожаных растворах. Адкрыта Р.Вудам (1905) пры даследаваннях пары натрыю.
Для ўзбуджэння Р.в. атам (ці інш. сістэму звязаных зарадаў) абпрамяняюць, напр., святлом пэўнай частаты. Пры паглынанні кванта святла атам пераходзіць ва ўзбуджаны стан, пры спантанным вяртанні з якога ў асн. стан адбываюцца Р.в., — атам выпрамяняе квант святла той жа частаты і ў спектры выпрамянення выяўляецца рэзанансная лінія. Пры ўзаемадзеянні атамнага ядра з гама-выпрамяненнем назіраецца Р.в. гама-квантаў. Р.в. заўсёды палярызавана, пры гэтым ступень і характар палярызацыі вызначаецца характарам палярызацыі ўзбуджальнага выпрамянення, напрамкам назірання, уласцівасцямі выпрамяняльнага аб’екта, наяўнасцю ў ім дамешкаў, знешняга магн. поля (найб. адчувальна; у эксперыментах неабходна ўлічваць магн. поле Зямлі). Гл. таксама Вымушанае выпрамяненне, Квантавы генератар.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
spáltbara расшчапля́льны (пра атам)
2) які́ растрэ́скваецца
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
мезаа́там
(ад мезон + атам)
атам, у якім адзін з электронаў атамнай абалонкі замешчаны адмоўна зараджаным мезонам або мюонам.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
КВАНТ ЭНЕ́РГІІ,
вызначаная колькасць энергіі, якую можа вылучыць ці паглынуць мікрасістэма (атамнае ядро, атам, малекула) у элементарным акце ўзаемадзеяння. Гл. таксама Квантаванне, Квантавая механіка.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
Atómn -s, -e а́там;
markíerte ~e ме́чаныя а́тамы
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
КРЭМНІЙАРГАНІ́ЧНЫЯ ЗЛУЧЭ́ННІ,
рэчывы, малекулы якіх маюць атамы крэмнію (Si), злучаныя з атамам вугляроду непасрэдна або праз атамінш. элемента. Падзяляюць на манамерныя (у малекуле адзін ці некалькі атамаў Si) і высокамалекулярныя — крэмнійарганічныя палімеры.
Вядомы розныя групы К.з.: з адным атамам Si (звычайна іх разглядаюць як вытворныя сілану SiH4) — арганагалагенсіланы [напр., (CH3)3SiCl трыметылхлорсілан], алкоксісіланы [напр., (C2H5O)3SiH трыэтоксісілан], арганасіланолы [напр., (C6H5)2Si(OH)2 дыфенілсіландыол] і інш.; з некалькімі атамамі Si — арганасілаксаны ці сілаксаны [напр., (CH3)3SiOSi(CH3)3 гексаметылдысілаксан], маюць у малекуле групоўку Si—O—Si, арганасілазаны з групоўкай Si—N—Si у малекуле [напр., (CH3)3SiNHSi(CH3)3 гексаметылдысілазан] і інш.; крэмнійэлементаарганічныя злучэнні — К.з., у малекуле якіх ёсць сувязь Si—M і Si—Y—M, дзе M — атам металу ці неметалу (напр., літый, алюміній, бор, фосфар), Y — група, якая мае атам вугляроду, кіслароду, азоту, серы, злучаны з Si. Большасць К.з. — бясколерныя вадкасці; дыэлектрыкі. Раствараюцца ў арган. растваральніках, некат. (напр., арганасіланолы) — і ў вадзе. Біялагічна актыўныя рэчывы. Выкарыстоўваюць у сінтэзе крэмнійарган. палімераў, лек. сродкаў, вытв-сці крэмнійарган. вадкасцей і каўчукоў, смол і лакаў, у якасці гідрафабізатараў, антыадгезіваў, напаўняльнікаў пластмас, цепланосьбітаў (да 400 °C) і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
кіп
(лаоск. kip)
грашовая адзінка Лаоса, роўная 100 атам.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
РАДЫЯЦЫ́ЙНЫЯ ДЭФЕ́КТЫ,
дэфекты структуры, якія ўтвараюцца пры апрамяненні цвёрдых цел іанізавальным выпрамяненнем (радыяцыяй). Адрозніваюць абарачальныя Рд. — назіраюцца ў працэсе апрамянення і знікаюць пасля спынення ўздзеяння радыяцыі, і астаткавыя — назапашваюцца ў працэсе апрамянення і захоўваюцца пасля яго. Паводле саставу бываюць уласныя і дамешкавыя (у іх склад уваходзяць атамы легіравальнай дамешкі), паводле памераў — кропкавыя і працяглыя (вобласці назапашвання ўласных і/ці дамешкавых дэфектаў).
Энергія, якая перадаецца пры апрамяненні цвёрдаму целу (мішэні), можа прывесці да разрыву міжатамных сувязей з утварэннем першасных Р.д. — пары міжвузельны атам — вакансія (гл.Вакансія ў фізіцы). Жорсткае эл.-магн. выпрамяненне (ультрафіялетавае выпрамяненне, рэнтгенаўскае выпрамяненне, гама-выпрамяненне) непасрэдна ўзбуджае электронную сістэму цвёрдага цела, а потым уключаюцца механізмы зрушэння атамаў са становішчаў устойлівай раўнавагі. Утварэнне Р.д. пры перадачы энергіі выпрамянення электронам рэчыва мае месца ў асноўным у дыэлектрыках і паўправадніках. Калі энергія зрушанага ў міжвузелле атама мішэні значна перавышае парогавую энергію ўтварэння Р.д., то такі атам можа пры руху ўтвараць пары міжвузельны атам — вакансія. Магчыма таксама ўтварэнне Р.д. у выніку перадачы часткі энергіі ядзерных рэакцый атаму мішэні. Колькасць і структуру Р.д. можна змяніць награваннем мішэні (тэрмічны адпал дэфектаў). Утварэнне Р.д. у спалучэнні з інш. знешнімі ўздзеяннямі (мех. нагрузкі, эл. і магн. палі, асвятленне) дае магчымасць мэтанакіравана мадыфікаваць уласцівасці матэрыялаў.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВАЛЕ́НТНАСЦЬ (ад лац. valentia сіла),
здольнасць атама хім. элемента ўтвараць пэўную колькасць хімічных сувязяў з інш. атамамі. Паняцце «валентнасць» увёў англ. хімік Э.Франкленд (1853). Велічыня валентнасці атама хім. элемента вызначаецца колькасцю атамаў вадароду (прынята лічыць аднавалентным), якія ён далучае пры ўтварэнні гідрыдаў (злучэнні з вадародам). Напр., атам хлору далучае 1 атам вадароду (хлорысты вадарод HCl), атам кіслароду — 2 атамы (вада H2O), таму валентнасць хлору і кіслароду ў гэтых злучэннях адпаведна 1 і 2. Паняцце «валентнасць» атрымала развіццё ў квантава-хім. тэорыі хім. сувязі. Паводле гэтай тэорыі велічыня валентнеасці атама (спін-валентнасць) вызначаецца колькасцю электронных пар, якія фарміруюцца пры ўтварэнні хім. сувязяў паміж дадзеным і інш. атамамі за кошт абагульнення іх электронаў з няспаранымі спінамі. Электроны атама, якія могуць удзельнічаць у фарміраванні агульных электронных пар, наз. валентнымі (электроны вонкавых электронных слаёў). У атамах элементаў з недабудаваным перадапошнім слоем (напр., у атамаў жалеза Fe, марганцу Mn, вальфраму W) валентнымі могуць быць і некаторыя электроны гэтага слоя. Многія элементы маюць пераменную валентнасць (напр., у серавадародзе H2S, аксідах SO2 і SO3 валентнасць серы адпаведна 2, 4, 6).
Валентнасць вызначаецца толькі колькасцю кавалентных сувязяў. Для злучэнняў з іоннай сувяззю выкарыстоўваецца паняцце акіслення ступень, якая колькасна роўная валентнасці, але дадаткова характарызуецца дадатным ці адмоўным знакам. У комплексных злучэннях і іонных крышталях каардынацыйны лік атамаў (іонаў) перавышае велічыню спін-валентнасці, таму карыстаюцца паняццем каардынацыйнай валентнасці, якая колькасна роўная суме спін-валентнасці і колькасці атамаў (іонаў), дадаткова звязаных з валентнанасычаным атамам. Напр., у комплексным злучэнні гексафтораалюмінат (III) натрыю Na3[AlF6] спін-валентнасць атама алюмінію 3, ступень акіслення +3, але пры ўтварэнні злучэння з AlF3 і NaF атам валентнанасычанага Al дадаткова хімічна звязваецца з 3 іонамі F−, таму каардынацыйная валентнасць алюмінію ў гэтым злучэнні 6. Гл. таксама Комплексныя злучэнні, Малекула, Крышталі.
Літ.:
Чаркин О.П. Проблемы теории валентности, химической связи, молекулярной структуры. М., 1987.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДО́НАРу фізіцы,
дэфект крышт. рашоткі паўправадніка (напр., дамешкавы атам), здольны аддаваць электроны ў зону праводнасці. Тыповыя Д. для германію Ge і крэмнію Si — атамы элементаў V групы перыядычнай сістэмы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb). Гл. таксама Акцэптар, Паўправаднікі.