верхні слой атмасферы (ад 80 да 500 км), які ўтрымлівае ў сабе іоны і свабодныя электроны.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
дысацыя́цыя
(лац. dissociatio = раз’яднанне)
1) распад малекул на састаўныя часткі (атамы, радыкалы, іоны);
2) парушэнне звязнасці псіхічных працэсаў (проціл.асацыяцыя 3).
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
дысацыя́цыя
(лац. dissociatio = раз’яднанне, раздзяленне)
1) хім. распад малекул на некалькі больш простых элементаў (атамы, радыкалы, іоны);
2) псіх. парушэнне звязнасці псіхічных працэсаў (проціл.асацыяцыя 3).
Слоўнік іншамоўных слоў. Актуальная лексіка (А. Булыка, 2005, правапіс да 2008 г.)
АМФАТЭ́РНАСЦЬ (ад грэч. amphoteros і той і гэты),
здольнасць некаторых хім. злучэнняў праяўляць у залежнасці ад умоў кіслотныя або асн. ўласцівасці. Уласцівая вадзе, аксідам і гідраксідам алюмінію, цынку, хрому і інш., некаторым амінам, амінакіслотам, іанітам.
Пры дысацыяцыі ў водных растворах амфатэрныя злучэнні (амфаліты) утвараюць H+ і OH−іоны (напр., Cr3++3OH− ⇄ Cr(OH)3 ⇄ H++CrO−2+H2O). Перавага тыпу ўласцівасцяў амфатэрных гідраксідаў залежыць ад месца элемента ў перыяд. сістэме. Амфатэрнасць злучэнняў карыстаюцца ў хім. аналізе для раздзялення элементаў.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
КРЫШТАЛЕФАСФО́РЫ (ад крышталі + фосфар),
неарганічныя крышт.люмінафоры. Люмінесцыруюць пад уздзеяннем святла, патоку электронаў, пранікальнай радыяцыі, эл. току. Люмінесцэнцыя К. абумоўлена наяўнасцю актыватараў ці дэфектаў у крышталях.
Найб. пашыраныя К. — сульфіды, селеніды, тэлурыды цынку і кадмію, аксіды кальцыю і магнію, галагеніды шчолачных металаў, оксісульфіды індыю і лантану (In2O2S, La2O2S). Актыватарамі з’яўляюцца іоны металаў (медзь, кобальт, марганец і інш.). К. даюць яркае свячэнне (працягласць паслясвячэння ад 10−9 с да некалькіх гадзін). Выкарыстоўваюць у люмінесцэнтных лямпах, экранах тэлевізараў і асцылографаў, сцынтыляцыйных лічыльніках, паўправадніковых лазерах.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
О́ЛА ((Olah) Джордж) (н. 22.5.1927, Будапешт),
амерыканскі хімік-арганік. Скончыў тэхн.ун-т у Будапешце. З 1957 у Канадзе, з 1964 у ЗША. З 1965 праф.Зах. рэзервовага ун-та (г. Кліўленд), з 1977 ва ун-це Паўд. Караліны (г. Лос-Анджэлес). Навук. працы па хіміі карбкатыёнаў, даследаванні механізму хім. рэакцый. Вынайшаў метад атрымання стабільных карбкатыёнаў з дапамогай звышкіслот. Атрымаў трохвалентныя карбкатыёны («карбеніевыя» іоны — вытворныя CH+3), даследаваў іх структуру, уласцівасці і рэакцыйную здольнасць. Нобелеўская прэмія 1994.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,
парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).
Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш.Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш.Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім.цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.
Літ.:
Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;
Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;
Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВІ́ЛЬСАН, Уілсан (Wilson) Чарлз Томсан Рыс (14.2.1869, Гленкарс, каля г. Эдынбург, Вялікабрытанія — 15.11.1959), англійскі фізік. Чл. Брытанскага каралеўскага т-ва (1900). Скончыў Манчэстэрскі (1887) і Кембрыджскі (1892) ун-ты. У 1900—34 у Кембрыджскім ун-це (з 1925 праф.). Навук. працы па малекулярнай, атамнай і ядзернай фізіцы. Даследаваў кандэнсацыю пары пры ўздзеянні розных агентаў. Устанавіў, што пры пэўных умовах зараджаныя іоны становяцца цэнтрамі кандэнсацыі вадзяной пары і рух іонаў становіцца бачным (1897); стварыў прыладу для назірання і фатаграфавання слядоў (трэкаў) зараджаных часціц (гл.Вільсана камера). Нобелеўская прэмія 1927.
