замяшчэнне аднаго іншым, звычайна падобным па ўласцівасцях, прызначэнню (напр. замена аднаго металу другім, аднаго гуку ў мове іншым).
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
МОЧАПАЛАВА́Я СІСТЭ́МА,
сукупнасць анатамічна, функцыянальна і генетычна звязаных органаў мочавыдзялення (нырак, мачаточнікаў) і палавой сістэмы ў беспазваночных, пазваночных жывёл і чалавека. У земнаводных і большасці рыб мача і палавыя прадукты выводзяцца праз мезанефральныя пратокі. У самцоў паўзуноў, птушак, млекакормячых жывёл і чалавека першасная нырка ператвараецца ў прыдатак семянніка, а яе праток (вольфаў) — у семяправод; у самак палавыя прадукты выводзяцца праз яйцаводы. М.с. мае агульную вывадную трубку (мочаспускальны канал у мужчын) ці адкрываецца ў адзіную агульную прастору (пераддзвер’е похвы ў жанчын). У мочапалавыя каналы ўпадаюць пратокі дадатковых залоз: у самцоў — семянныя пузыркі і прастата, цыбуліна-бульбаурэтральныя залозы; у самак — вял. залозы пераддзвер’я похвы. Рост і фарміраванне органаў М.с. адбываецца найб. інтэнсіўна пры палавым выспяванні. Пры старэнні назіраецца характэрнае для парэнхіматозных органаў (ныркі, палавыя залозы) замяшчэнне парэнхіматозных клетак злучальнай тканкай, змяншэнне іх памераў і зніжэнне функцыі.
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
амфібаліза́цыя
(ад амфіболы)
замяшчэннепіраксенаў і іншых цемнаколерных сілікатных мінералаў амфіболамі; характэрная для магматычных, метамарфічных і асадачных парод асноўнага складу, якія зазналі рэгрэсіўны рэгіянальны метамарфізм.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
zastępstwo
zastępstw|o
н. намесніцтва; замена; замяшчэнне;
w czyim ~ie — замяняючы каго;
prawo ~a юр. права прадстаўлення
Польска-беларускі слоўнік (Я. Волкава, В. Авілава, 2004, правапіс да 2008 г.)
ГАЛАГЕНАВЫТВО́РНЫЯ ВУГЛЕВАДАРО́ДАЎ,
клас арганічных злучэнняў, якія маюць атамы галагенаў, звязаныя з вуглевадароднымі радыкаламі.
Большасць галагенавытворных вуглевадародаў бясколерныя вадкасці. У вадзе амаль не раствараюцца, добра раствараюцца ў эфіры, спірце і інш.арган. растваральніках. З вадой і слабымі растворамі шчолачаў утвараюць спірты, з аміякам — аміны, з солямі карбонавых кіслот — складаныя эфіры і г.д. Атам галагену каля вугляроду пры падвойнай сувязі (у т. л. ў араматычных галагенавытворных вуглевадародах) інертны і з цяжкасцю ўступае ў звычайныя для галагенавытворных вуглевадародаў рэакцыі (напр., вінілхларыд, хлорбензол). Пад уздзеяннем канцэнтраваных раствораў шчолачаў галагенавытворныя вуглевадароды утвараюць алкены. Атрымліваюць галагеніраваннем вуглевадародаў, спіртоў (замяшчэнне атамаў вадароду, гідроксігрупы галагенам), ненасычаных арган. злучэнняў (далучэнне галагенаў і галагенавадародаў) і інш. метадамі.
Выкарыстоўваюць як растваральнікі (метыленхларыд, тэтрахлорэтылен, трыхлорэтылен, трыхлорэтаны), холадагенты для халадзільных машын (хладоны), інсектыцыды (гексахлорбутадыен, ДД — сумесь дыхлорпрапанаў і дыхлорпрапенаў, гексахлорцыклагексан), абязбольвальныя сродкі ў медыцыне (хлараформ, этылхларыд, ёдаформ), як антыпірэны, у вытв-сці палімераў (полівінілхларыд, фторапласты) і інш.арган. рэчываў.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
Bewérbungf -, -en
1) дамага́нне; прэтэ́нзія;
~ um ein Amt ко́нкурс на замяшчэ́нне паса́ды
2) зая́ва (аб прыняцці ў навучальную ўстанову)
3) сва́танне
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
Besétzungf -, -en
1) заня́цце (памяшкання); акупа́цыя
2) замяшчэ́нне (пасады)
3) вызначэ́нне (на пасаду)
4) тэатр. размеркава́нне (роляў); склад выкана́ўцаў
5) спарт. кама́нда; саста́ў, склад
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
Vertrétungf -, -en
1) прадстаўні́цтва;
die ~ léiten узнача́льваць прадстаўні́цтва
2) замяшчэ́нне (каго-н. у пасадзе), выкана́нне чыі́х-н. абавя́зкаў;
in ~… выко́нваючы абавя́зкі (таго-та);
in j-s ~ у я́касці чыйго́-н. наме́сніка
Нямецка-беларускі слоўнік (М. Кур'янка, 2006, правапіс да 2008 г.)
ПАЎПРАВАДНІКІ́,
рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).
П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.
На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац.АН, БДУ і інш.
Літ.:
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;
Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;
Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;
Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.