Verbum

ІКЕБА́НА (яп. — ажыўленыя кветкі, кветкі, што прачнуліся да жыцця),

мастацтва складання букетаў у Японіі; букет, састаўлены па законах І. Складаецца з трох асн. кампанентаў: прыроднага матэрыялу (кветкі, лісце і інш.), вазы і кендзана (прылады для ўмацавання сцябла і надання яму патрэбнага стану). Кампазіцыю вызначаюць 3 асн. галіны (або кветкі), якія маюць сімвалічны сэнс: высокая (сін) — неба, сярэдняя (сое) — чалавек, ніжняя (хікае) — зямля; пярэдні, сярэдні і задні планы адпавядаюць напрамкам свету і порам года. Гал. эстэт. прынцып І. — вытанчаная прастата, якая дасягаецца выяўленнем натуральнай прыгажосці матэрыялу.

Элементы І. вядомы ў Японіі здаўна як традыцыя ахвяравання кветак продкам і духам. Мастацтва састаўлення кампазіцый прыйшло ў 6 ст. з Індыі праз пасрэдніцтва кітайскіх будыйскіх місіянераў і першапачаткова выкарыстоўвалася як ахвярапрынашэнне да статуі Буды. У 7 ст. заснавана першая школа «ікеноба». З пашырэннем дзэнбудызму пры самурайскіх дынастыях І. пачалі выкарыстоўваць для аздаблення храмаў і палацаў, з 15 ст. — частка рытуалу «чайнай цырымоніі», важны элемент нац. яп. культуры. І., што размяшчаецца ў спец. нішы ў сцяне дома — таканома — стварае яркі дэкар. эфект і з’яўляецца эмацыянальнай дамінантай інтэр’ера. Існуе шэраг кірункаў І.: рыка («кветкі стаяць») — буйнамаштабныя кампазіцыі, што сімвалізуюць ландшафты; сэйка («стыль жывых кветак») вылучаецца асіметрыяй і дынамікай; марыбана («нагрувашчванне») — кампазіцыі ў плоскіх вазах; дзіюгата («свабодны стыль»), дзінэй («авангардны стыль») і інш. У 1956 створана арг-цыя «Сяброўства праз кветкі», якая прапагандуе мастацтва І. ў свеце.

Я.​Ф.​Шунейка.

т. 7, с. 194

НЕАБХО́ДНАСЦЬ І ВЫПАДКО́ВАСЦЬ,

суадносныя філасофскія катэгорыі, якія выражаюць розныя тыпы сувязей прадметаў і з’яў паміж сабой, ступень іх узаемнай дэтэрмінаванасці. Неабходнасць увасабляе ўнутр. істотную сувязь, карэнныя асаблівасці прадмета або з’явы, характарызуе тое, што павінна настаць пры наяўнасці пэўных умоў. Выпадковасць, наадварот, адлюстроўвае знешнія неістотныя сувязі аб’екта, не вынікае з яго прыроды, а з’яўляецца вынікам уздзеяння пабочных фактараў і таму можа мець або не мець месца. Н. і в. узаемаабумоўлены. Абсалютызацыя неабходнасці і яе адрыў ад выпадковасці прыводзяць да фаталізму ў тлумачэнні развіцця прыроды і грамадства, а перабольшванне ролі выпадковасці і ігнараванне неабходнасці пазбаўляюць прыродныя і грамадскія сістэмы ўпарадкаванасці, арганізаванасці, сістэмнасці. Важным момантам дыялектычнай сувязі паміж Н. і в. служаць іх і узаемапранікненне і ўзаемапераходы. У рэчаіснасці адна і тая ж з’ява ў розных сістэмах або нават у адной сістэме, але праз некаторы час можа выступаць і ў якасці Н. і в. Неабходнасць не існуе ў чыстым выглядзе, яна праяўляецца праз выпадковасць, апошняя выступае ў якасці формы неабходнасці і яе дапаўнення. Вывучэнне дыялектыкі Н. і в. з’яўляецца адной з перадумоў навук. пазнання рэчаіснасці, бо накіроўвае ўвагу даследчыка на пошук у мностве выпадковасцей элементаў неабходнасці і абумоўленых імі тэндэнцый развіцця прыродных і грамадскіх працэсаў. Навук. распрацоўка праблем Н. і в. пачалася ў стараж.-грэч. філасофіі (Платон) і вядзецца ў межах матэрыяльнага або духоўнага фактару.

В.​І.​Боўш.

т. 11, с. 251

МАНЭ́ ((Monet) Клод) (14.2.1840, Парыж — 6.12.1926),

французскі мастак; адзін з заснавальнікаў імпрэсіянізму. Вучыўся ў Э.Будэна ў Гаўры (1858—59), у акадэміі Сюіса (1859—60) і ў майстэрні Ш.​Глейра (1862—63) у Парыжы. Працаваў пераважна ў жанры пейзажа. Развіваў традыцыі пленэрнага жывапісу майстроў барбізонскай школы і Будэна, імкнуўся да перадачы асабістых уражанняў ад пейзажнага або арх. матыву праз колеравае багацце свету і эфекты зменлівасці святлопаветранага асяроддзя і мяккай вібрацыі паветра. Выпрацаваў тэхніку жывапісу раздзельнымі мазкамі і чыстымі фарбамі, разлічаную на аптычнае іх сумяшчэнне ў зрокавым успрыняцці. У серыях карцін-варыяцый «Стагі сена» (1890—91), «Руанскі сабор» (1893—95), «Німфеі» (1904—18) праз адлюстраванне аднаго і таго ж матыву ў розныя часы дня і пры розным надвор’і выяўляў разнастайнасць станаў прыроды. Сярод твораў: «Шпацыр» (1865), «Жанчыны ў садзе» (1866—67), «Сняданак на траве», «Тэраса над морам у Сент-Адрэс» (абодва 1866), «Жабнікі» (1869), «Атэль на пляжы» (1870), «Уражанне, узыход сонца» (1872), «Макі», «Вячэра» (абодва 1873), «Мост у Аржантэйлі» (1874), «Вакзал Сен-Лазар» (1877), «Берагі Сены ў Ветойль» (1880), «Скалы вострава Бель-Іль» (1886), «Белыя гарлачыкі» (1899), «Туман у Лондане» (1903), серыя пано «Гарлачыкі» (1914—22) і інш. Іл. гл. таксама да арт. Імпрэсіянізм.

Літ.:

Сапего И. К.​Моне: [Альбом]. Л., 1969;

Георгиевская Е.Б. К.​Моне: [Альбом]. 2 изд. М., 1974;

Богемская К.Г. К.​Моне. М., 1984.

В.​Я.​Буйвал.

т. 10, с. 98

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405