Verbum

АПТЫ́ЧНАЯ АКТЫ́ЎНАСЦЬ,

здольнасць актыўнага асяроддзя выклікаць вярчэнне плоскасці палярызацыі святла, што праз яго праходзіць. Натуральная аптычная актыўнасць абумоўлена несіметрычнай будовай малекул рэчываў (цукар, камфора, вінная кіслата і інш.; гл. Аптычная ізамерыя) або выклікана спецыфічнай арыентацыяй малекул (іонаў) у элементарных ячэйках крышталёў (кварц, кінавар і інш.). Крышталі такіх рэчываў не маюць пунктаў, восяў і плоскасцяў сіметрыі, заўсёды існуюць у 2 люстраных формах — правай і левай (гл. Энантыямарфізм). Штучная аптычная актыўнасць выяўляецца ў выніку вонкавых уздзеянняў, напр., магн. поля (гл. Фарадэя эфект). Аптычная актыўнасць вымяраецца з дапамогай палярыметраў, цукрамераў, спектрапалярыметраў і інш. На аснове аптычнай актыўнасці ў малекулярнай фізіцы і хіміі распрацаваны метады даследавання прасторавай структуры малекул, палімераў, крышталёў, унутры- і міжмалекулярных узаемадзеянняў.

т. 1, с. 437

ВЯРЧЭ́ННЕ ПЛО́СКАСЦІ ПАЛЯРЫЗА́ЦЫІ святла,

паварот плоскасці палярызацыі лінейна палярызаванага святла пры праходжанні яго праз некаторыя рэчывы; від падвойнага праменепраламлення. Адбываецца ў аптычна актыўных ізатопах асяроддзя і ў актыўных крышталях (гл. Аптычная актыўнасць), а таксама ў неактыўных рэчывах пры дзеянні на іх знешняга магнітнага поля (гл. Фарадэя эфект).

Пры вярчэнні плоскасці палярызацыі ў асяроддзі ўзнікаюць 2 эл.-магн. хвалі, палярызаваныя па крузе ў процілеглых напрамках вярчэння, з аднолькавымі амплітудамі і рознымі скарасцямі. У выніку гэтага плоскасць палярызацыі сумарнай хвалі паступова паварочваецца. Вугал павароту залежыць ад таўшчыні, канцэнтрацыі, т-ры рэчыва і даўж. хвалі святла. Вярчэнне плоскасці палярызацыі выкарыстоўваецца для даследавання будовы рэчыва, пры вызначэнні канцэнтрацыі аптычна-актыўных рэчываў, а таксама ў некат. аптычных прыладах (аптычныя мадулятары, квантавыя гіраскопы і інш.). Гл. таксама Палярызацыя святла.

В.​В.​Валяўка.

т. 4, с. 398

МАС-СПЕКТРО́МЕТР,

прылада для раздзялення з дапамогай эл. і магн. палёў пучкоў іанізаваных атамаў, малекул ці інш. часціц з рознымі адносінамі масы m часціцы да яе эл. зараду e. Распрацаваны амер. фізікам А.​Дэмпстэрам (1918) і ўдасканалены Ф.У.Астанам (1925).

Бывае статычны, дзе форма траекторыі часціцы ў пастаянных (у часе) палях залежыць ад m/e, і дынамічны, дзе велічыня m/e вызначаецца па перыядзе ваганняў часціцы ў пераменным эл. або магн. полі, па рэзанансных частотах ці інш. спосабам. Рэгістрацыя часціц ажыццяўляецца эл. метадамі, напр., лічыльнікам іонных токаў, а таксама з дапамогай прыстаўкі з фотапласцінкамі (мас-спектрограф; распрацаваны Ф.​У.​Астанам у 1919). Па атрыманым мас-спектры вызначаюцца маса і канцэнтрацыя кампанентаў у даследуемым рэчыве. Выкарыстоўваецца ў эксперым. фізіцы, касм. даследаваннях, хіміі, біялогіі, геалогіі, ядз. тэхніцы і інш.

т. 10, с. 191

КЕ́РА ЭФЕ́КТ (ад прозвішча шатл. фізіка Дж.​Кера; 1824—1907). 1) Электрааптычны К.э. — узнікненне падвойнага праменепраламлення ў аптычна ізатропных рэчывах (газах, вадкасцях, крышталях з цэнтрам сіметрыі, шкле) пад уздзеяннем знешняга эл. поля. Абумоўлены арыентацыяй дыпольных момантаў малекул рэчыва ўздоўж эл. поля. У выніку аптычна ізатропнае рэчыва (асяроддзе) у эл. полі становіцца анізатропным, набывае ўласцівасці аднавосевага крышталя (гл. Крышталяоптыка). Эфект выкарыстоўваецца для высокачастотнай мадуляцыі святла і ў хуткадзейных фатаграфічных затворах. Адкрыты Керам у 1875.

2) Магніта-аптычны К.э. — змена інтэнсіўнасці і палярызацыі святла пры яго адбіцці ад намагнічанага асяроддзя (у асноўным магн. ферамагнетыкаў). Па фіз. прыродзе падобны да Фарадэя эфекту. У выніку магнітааптычнага К.э. лінейна палярызаванае святло робіцца эліптычна палярызаваным. Выкарыстоўваецца пры даследаванні магн. матэрыялаў. Адкрыты Керам у 1876.

3) Аптычны К.э. — узнікненне пастаяннай складальнай падвойнага праменепраламлення ў ізатропным асяроддзі пад дзеяннем магутнага (звычайна лазернага) выпрамянення. Выклікае самафакусіроўку святла (гл. Нелінейная оптыка). Адкрыты пасля паяўлення лазераў.

т. 8, с. 233

МАГНІ́ТНЫЯ ВЫМЯРЭ́ННІ,

тэорыя, метады і сродкі вымярэнняў магн. велічынь. Вымяраюцца вектар магнітнай індукцыі, магнітны паток, напружанасць, градыент і інш. параметры магнітнага поля (магнітометрамі) і магн. ўласцівасці (характарыстыкі, параметры) магнітных матэрыялаў (спец. ўстаноўкамі, якія маюць вымяральныя блокі, прыстасаванні для намагнічвання і размагнічвання вырабаў, тэрмакамеры і інш.).

Пры вымярэнні і даследаванні ўласцівасцей магн. матэрыялаў і параметраў магн. поля найб. пашыраны метады: індукцыйны (засн. на вымярэнні эрс, якая ўзбуджаецца ў другаснай — вымяральнай абмотцы ўзору пры прапусканні праз першасную абмотку намагнічвальнага току), магнітастатычны (засн. на вымярэнні сілавога ўздзеяння магн. поля ўзору, што вывучаецца, на магн. стрэлку), каларыметрычны (засн. на вымярэнні цеплавой энергіі, што вылучаецца ўзорам пры яго намагнічванні ў камеры каларыметра), магнітааптычныя (засн на магнітааптычных эфектах — Кера эфекце, Фарадэя эфекце), параметрычныя, або маставыя (засн. на выкарыстанні мастоў пераменнага току, у адно з плячэй якіх уключаюць абмотку, што намагнічвае ўзор), холаўскі (засн. на вымярэнні параметраў магн. поля з дапамогай пераўтваральнікаў Хола). Пры даследаванні гонкай магн. структуры рэчываў выкарыстоўваюць метады ядзернага магнітнага рэзанансу, электроннага парамагнітнага рэзанансу, ферамагнітнага рэзанансу і інш.

Літ.:

Чечерников В.И. Магнитные измерения. 2 изд. М., 1969;

Антонов В.Г., Петров Л.М., Щелкин А.П. Средства измерений магнитных параметров материалов. Л., 1986.

М.​А.​Мяльгуй.

т. 9, с. 483

АНІЗАТРАПІ́Я (ад грэч. anisos неаднолькавы + tropos напрамак),

1) у фізіцы — залежнасць фіз. (мех., аптычных, магн. і інш.) уласцівасцяў рэчыва ад напрамку. Натуральная анізатрапія — характэрная асаблівасць крышталёў; абумоўлена іх сіметрыяй і выяўляецца тым больш, чым яна меншая. Анізатрапія некаторых вадкасцяў (напр., вадкіх крышталёў) тлумачыцца асіметрыяй і пэўнай арыентацыяй малекул. У аморфных і полікрышталічных рэчывах анізатрапія бывае пры наяўнасці прыроднай (напр., драўніна) або штучнай тэкстуры (напр., пры пракатцы ліставой сталі зерні металу арыентуюцца ўздоўж напрамку пракаткі, у выніку чаго ствараецца анізатрапія мех. уласцівасцяў). Анізатрапія многіх уласцівасцяў крышталёў, напр. лінейнага цеплавога расшырэння, электраправоднасці, пругкіх уласцівасцяў, характарызуецца значэннямі адпаведных пастаянных уздоўж гал. восі сіметрыі і ўпоперак да яе. Аптычная анізатрапія выяўляецца ў выглядзе падвойнага праменепраламлення, дыхраізму, змен характару палярызацыі і вярчэння плоскасці палярызацыі святла. Натуральная аптычная анізатрапія крышталёў абумоўлена неаднолькавасцю ў розных напрамках поля сіл, якія ўтрымліваюць атамы ці іоны рашоткі. Штучная анізатрапія ствараецца ў ізатропных асяроддзях пад уздзеяннем вонкавых сіл ці палёў, што вызначаюць у асяроддзях пэўныя напрамкі, напр., у выніку ўздзеяння пругкіх дэфармацый, эл. поля, магн. поля (гл. Катона—Мутона эфект, Фарадэя эфект).

2) А. ў геалогіі абумоўлена мікраслаістасцю, упарадкаванай арыентацыяй зерняў і крышталёў і мікратрэшчынаватасцю горных парод і мінералаў. Крышталі розных мінералаў выяўляюць анізатрапію розных уласцівасцяў: слюды — аптычных, мех. (спайнасці, пругкасці, трываласці); дыстэну — цвёрдасці; кварцу, турмаліну — аптычных, п’езаэлектрычнага эфекту; магнетыту — ферамагнітных; кальцыту — аптычных. Анізатрапія некаторых мінералаў выкарыстоўваецца ў прыладабудаванні. Анізатрапія масіваў горных парод вызначаецца ўпарадкаванымі лінейнымі ці плоскаснымі элементамі будовы (стратыфікаваныя асадкавыя і метамарфічныя тоўшчы горных парод з лінейна арыентаванымі структурамі, слаістасцю, макратрэшчынаватасцю і інш.). Пры горных работах найб. значэнне маюць дэфармацыйныя ўласцівасці парод.

3) У батаніцы — здольнасць розных органаў адной і той жа расліны займаць рознае становішча пры аднолькавым ўздзеянні пэўнага фактара вонкавага асяроддзя. Напр., пры бакавым асвятленні расліны яе верхавінка выгінаецца ў бок крыніцы святла, а лісцевыя пласцінкі займаюць перпендыкулярнае напрамку прамянёў становішча.

Літ.:

Шаскольская М.П. Очерки о свойствах кристаллов. 2 изд. М., 1978;

Сиротин Ю.М., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2 изд. М., 1979.

т. 1, с. 368