Verbum

АМІ́НЫ,

азотазмяшчальныя арган. злучэнні; вытворныя аміяку, у якіх атамы вадароду замешчаны арган. радыкаламі. Па колькасці замешчаных атамаў адрозніваюць аміны першасныя RNH₂, другасныя R₂NH, трацічныя R₃N, па колькасці амінагруп — мона-, ды-, тры- і поліаміны. Ніжэйшыя аміны — газы, вышэйшыя — вадкасці ці цвёрдыя рэчывы. Аміны — асновы, з кіслотамі ўтвараюць солі, раствараюцца ў вадзе. Атрымліваюць звычайна алкіліраваннем аміяку, аднаўленнем нітразлучэнняў, нітрылаў. Выкарыстоўваюцца ў вытв-сці фарбавальнікаў, лекаў, палімерных матэрыялаў, флотарэагентаў, паверхнева-актыўных і роставых рэчываў, гербіцыдаў; уваходзяць у састаў біялагічна актыўных рэчываў, амінакіслот, нуклепратэідаў, ферментаў.

т. 1, с. 318

ГІДРАКСІЛАМІ́Н,

вытворнае аміяку, у якім атам вадароду замешчаны гідраксільнай групай, NH₂OH. Бясколерныя, гіграскапічныя крышталі, t_пл 32 °C, шчыльн. 1335 кг/м³ (10 °C). Пры хуткім награванні да 100 °C раскладаецца з выбухам. Неабмежавана раствараецца ў вадзе з утварэннем гідрату. З моцнымі к-тамі ўтварае солі гідраксіламонію — моцныя аднаўляльнікі, напр. хларыд NH₃OHCl (t_пл 152 °C), сульфат (NH₃OH)₂SO₄ (t_пл 172 °C). Выкарыстоўваюць у вытв-сці капралактаму. Гідраксіламін і яго солі таксічныя: на скуры выклікаюць экзему. ГДК для NH₃OHCl у вадзе вадаёмаў 5 мг/л.

т. 5, с. 225

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230