Verbum

ПАЛЯРЫЗАВА́НАСЦЬ.

вектар палярызацыі, вектарная фіз. велічыня, якая характарызуе палярызацыю дыэлектрыкаў. Вызначаецца формулай: $\overrightarrow{P}=d\overrightarrow{p}/dV$ , дзе $d\overrightarrow{p}$ — геам. сума эл. дыпольных момантаў усіх часціц дыэлектрыка ў малым элеменце яго аб’ёму dV. Для большасці дыэлектрыкаў у слабых эл. палях П. прапарцыянальныя напружанасці эл. поля $\overrightarrow{E}$: $\overrightarrow{P}={\mathrm{\epsilon }}_0\mathrm{\chi }\overrightarrow{E}$ , дзе ε₀ — электрычная пастаянная, χ — дыэлектрычная ўспрыімлівасць. У магутных эл. палях лінейная залежнасць паміж $\overrightarrow{P}$ і $\overrightarrow{E}$ парушаецца. У ізатропных дыэлектрыках напрамкі вектараў $\overrightarrow{P}$ і $\overrightarrow{E}$ супадаюць, у анізатропных (крышталі, тэкстуры) — у агульным выпадку не супадаюць. П. аднароднага плоскага дыэлектрыка ў аднародным полі роўная паверхневай шчыльнасці звязаных зарадаў. Адзінка П. ў СІ — кулон на квадратны метр (Кл/м²).

т. 12, с. 27

ДЫЭЛЕКТРЫ́ЧНАЯ ПРАНІКА́ЛЬНАСЦЬ,

велічыня, якая характарызуе здольнасць дыэлектрыка палярызавацца ў знешнім эл. полі. Уваходзіць у Кулона закон як велічыня, што паказвае, у колькі разоў змяншаецца сіла ўзаемадзеяння эл. зарадаў пры пераносе іх з вакууму ў дыэлектрык пры нязменнай адлегласці паміж імі. Для ізатропных дыэлектрыкаў Д.п. ε вызначаецца адным лікам (ε—скаляр), для анізатропных — сукупнасцю лікаў (ε—тэнзар). Нараўне з Д.п. ўласцівасці дыэлектрыкаў апісваюць дыэлектрычнай успрыімлівасцю x, якая звязана з ёй суадносінамі: ε = x + 1.

Д.п. — адна з асн. характарыстык дыэлектрыка, вызначаецца механізмам яго палярызацыі і залежыць ад палярызаванасці часціц (атамаў, малекул, іонаў), што ўваходзяць у яго склад. У непалярных дыэлектрыках Д.п. слаба залежыць ад т-ры; у палярных — залежнасць істотная, асабліва для сегнетаэлектрыкаў. Найб. пашыраныя метады вымярэння Д.п. заснаваны на вымярэнні ёмістасці кандэнсатара, запоўненага даследаваным дыэлектрыкам. Для газаў Д.п. роўна 1,0001—1,006, для вадкасцей — 1,8—81, для сегнетаэлектрыкаў — да 50000.

А.​У.​Шэлег.

т. 6, с. 305

ДЖО́ЗЕФСАН ((Josephson) Браян Дэйвід) (н. 4.1.1940, г. Кардыф, Вялікабрытанія),

англійскі фізік. Чл. Лонданскага каралеўскага т-ва (1970). Скончыў Кембрыджскі ун-т (1960), дзе і працуе (з 1974 праф.). Навук. працы па фізіцы цвёрдага цела і звышправаднікоў. Прадказаў (1960) праходжанне звышправоднага току праз тонкі слой дыэлектрыка, які раздзяляе 2 звышправаднікі (гл. Джозефсана эфект). Нобелеўская прэмія 1973 (разам з А.Джаеверам і Л.Эсакі).

т. 6, с. 89

ДЫЭЛЕКТРЫ́ЧНЫЯ СТРА́ТЫ,

частка энергіі пераменнага эл. поля, якая ў дыэлектрыку пераходзіць у цеплавую. Складаюцца са страт праводнасці (джоўлевы страты; гл. Джоўля—Ленца закон) і страт, абумоўленых актыўнай кампанентай току зрушэння ў дыэлектрыку; сегнетаэлектрыкі, акрамя таго, маюць страты на пераарыентацыю даменаў (гл. Сегнетаэлектрычны гістэрэзіс). У сінусаідальным полі характарызуюцца тангенсам вугла Д.с. tgδ, які вызначае долю эл. энергіі, што пераходзіць у цеплавую за 1 перыяд ваганняў эл. поля. Д.с. вымяраюцца, як правіла, разам з вымярэннем дыэлектрычнай пранікальнасці рэчыва. Змяншэнне страт мае важнае значэнне ў вытв-сці кандэнсатараў і эл.-ізаляцыйнай тэхніцы. Д.с. суправаджаюцца разаграваннем дыэлектрыка (дыэлектрычны нагрэў), што выкарыстоўваецца для высушвання матэрыялаў з малой цеплаправоднасцю (драўніны, паперы, керамікі і інш).

А.​У.​Шэлег.

т. 6, с. 306

ДЖО́ЗЕФСАНА ЭФЕ́КТ,

працяканне звышправоднага току праз тонкі слой дыэлектрыка, які раздзяляе 2 звышправаднікі (кантакт Джозефсана). Прадказаны Б.Джозефсанам (1962); эксперыментальна выяўлены амер. фізікамі П.​Андэрсанам і Дж.​Роўэлам у 1963 пры вывучэнні вольт-ампернай характарыстыкі джозефсанаўскіх кантактаў.

Уласцівасці Дж.э.: электроны праводнасці праходзяць праз дыэлектрык з-за тунэльнага эфекту і, калі ток праз кантакт меншы за пэўнае значэнне, падзення напружання на кантакце няма (стацыянарны Дж.э.), а калі перавышае — узнікае падзенне напружання і кантакт выпрамяняе эл.-магн. хвалі (нестацыянарны Дж.э.). На аснове Дж.э. распрацаваны звышправодныя інтэрферометры, маламагутныя генератары, хуткадзейныя элементы ЭВМ, параметрычныя пераўтваральнікі, адчувальныя дэтэктары, узмацняльнікі і інш.

т. 6, с. 89

ПАЛЯРЫЗА́ЦЫЯ ДЫЭЛЕ́КТРЫКАЎ,

працэс узнікнення ў дыэлектрыках стану, які характарызуецца наяўнасцю эл. дыпольнага моманту ў кожнага элемента іх аб’ёму (палярызаванага стану), пад уздзеяннем знешніх фактараў (эл. палёў, мех. напружанняў, змены т-ры і інш.), а таксама сам палярызаваны стан дыэлектрыка. Характарызуецца палярызаванасцю ці вектарам палярызацыі $\overrightarrow{P}$.

Найб. значэнне мае П.д. у знешнім эл. полі, якая абумоўлена зрушэннем электронаў у атамах і іонах (электронная, ці дэфармацыйная палярызацыя), зрушэннем іонаў у цвёрдых дыэлектрыках з іоннай крышт. рашоткай (іонная палярызацыя), паваротам дыпольных малекул (арыентацыйная палярызацыя). Залежыць ад напружанасці знеш. эл. поля — $\overrightarrow{E}$. У слабых палях $\overrightarrow{P}={\mathrm{\epsilon }}_0\mathrm{\chi }\overrightarrow{E}$ , дзе ε₀ — эл. пастаянная, χ — дыэлектрычная ўспрыімлівасць. П.д. можа мець месца з прычыны мех. напружанняў (гл. П’езаэлектрычныя матэрыялы). Існуюць дыэлектрыкі са спантаннай (самаадвольнай) палярызацыяй (гл. Піраэлектрычнасць, Сегнетаэлектрыкі), а таксама дыэлектрыкі, здольныя працяглы час захоўваць наэлектрызаваны стан (электрэты).

т. 12, с. 28

П’ЕЗАЭЛЕКТРЫ́ЧНЫ ПЕРАЎТВАРА́ЛЬНІК,

прыстасаванне для пераўтварэння мех. напружанняў у эл. сігналы (і наадварот) на аснове п’езаэл. эфекту (гл. П’езаэлектрычнасць, разнавіднасць вымяральнага пераўтваральніка.

Бываюць механаэл. і электрамех.; п’езапрыёмнікі, выпраменьвальнікі, генератары, рухальнікі (прыстасаванні перамяшчэння), трансфарматары (напружання, току, сілы, скорасці, ціску); вымяральныя. З вымяральных П.п. (датчыкаў) найб. пашыраны механаэл. і п’езарэзанансныя. У найпрасцейшых механаэл. П.п. пад дзеяннем мех. напружання (ціску, паскарэння, сілы) на паверхні п’езаэлемента (або іх групы) узнікаюць эл. зарады і адпаведная эрс, значэнне якой прапарцыянальнае мех. ўздзеянню. Імі вымяраюць у асн. хутказменныя мех. ўздзеянні. Выкарыстоўваюцца ў гідраакустыцы, ультрагукавой і лазернай тэхніцы, аўтаматыцы, тэлемеханіцы і інш.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 12, с. 256

ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА, інтэгральная мікрасхема, мікрасхема,

мікрамініяцюрнае электроннае ўстройства для пераўтварэння, апрацоўкі ці захавання (назапашвання) інфармацыі, пададзенай у выглядзе эл., аптычных і інш. сігналаў. Складаецца з электрычна звязаных паміж сабой электрарадыёэлементаў (ЭРЭ), сфарміраваных у адзіным тэхнал. цыкле на аснове агульнай нясучай канструкцыі (падложкі). Актыўныя ЭРЭ І.с.: дыёды, транзістары, структуры метал—дыэлектрык—паўправаднік і інш.; пасіўныя: рэзістары, кандэнсатары электрычныя, трансфарматары, індуктыўнасці шпулі і інш. Тэорыю, метады разліку, тэхналогію вырабу І.с. вывучае і распрацоўвае мікраэлектроніка.

І.с. адрозніваюць: па спосабе аб’яднання (інтэгравання) элементаў — паўправадніковыя, ці маналітныя (асн. тып), плёначныя і гібрыдныя (у т. л. шматкрышталёвыя); па выглядзе інфармацыі, што апрацоўваюць, — лічбавыя і аналагавыя; па ступені інтэграцыі (колькасці элементаў на падложцы) — малыя, сярэднія, вялікія, звышвялікія. У маналітных І.с. элементы фарміруюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай, у асн. крэмніевай ці арсенідгаліевай, пласціны) у выніку камбінацыі працэсаў легіравання, траўлення, аксідавання, металізацыі і інш., што праводзяцца метадам фоталітаграфіі. Плёначныя І.с. змяшчаюць толькі пасіўныя элементы. Падложкамі гібрыдных І.с. служаць дыэлектрычныя пласціны, напр з керамікі, або пакрытыя дыэлектрыкам метал. пласціны, напр. на аснове алюмінію і яго аксідаў. На іх паверхні жорстка замацаваны мініяцюрныя ЭРЭ, злучаныя паміж сабой танка- ці таўстаплёначнымі праваднікамі; пасіўныя ЭРЭ могуць быць навяснымі ці плёначнымі. І.с. з’яўляюцца элементнай базай сучасных сродкаў электроннай тэхнікі. Гл. таксама Вялікая інтэгральная схема.

Літ.:

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. М., 1989;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

т. 7, с. 280

ГІСТЭРЭ́ЗІС (ад грэч. hystēresis адставанне),

неадназначная залежнасць фіз. велічыні, якая апісвае стан або ўласцівасці цела, ад велічыні, што характарызуе знешнія ўздзеянні. Абумоўлены неабарачальнымі зменамі ў целе, якія выяўляюцца пад уплывам знешніх фактараў, у выніку чаго цела пасля спынення ўплыву на яго характарызуецца астаткавымі ўласцівасцямі (астаткавай намагнічанасцю, электрызацыяй, дэфармацыяй і інш.) і адпаведна гэтаму гістэрэзіс наз. магнітным, дыэлектрычным, пругкім і інш.

Магнітны гістэрэзіс — адставанне змен намагнічанасці J ферамагнетыка ад змен напружанасці H знешняга магн. поля. Звычайна ферамагнетык намагнічаны неаднародна, ён разбіты на вобласці спантаннай намагнічанасці (дамены), дзе велічыня намагнічанасці аднолькавая, а напрамкі яе розныя. Пад уздзеяннем знешняга магн. поля колькасць і памеры даменаў, намагнічаных ўздоўж поля, павялічваюцца за кошт іншых даменаў. Пры некаторым значэнні H-H_m намагнічанасць узору дасягае свайго найб. значэння і больш не змяняецца пры павелічэнні Н. Калі H змяншаць, залежнасць J (H) апішацца крывой, якая ідзе вышэй за папярэднюю. Плошча пятлі гістэрэзісу, утворанай гэтымі крывымі, прапарцыянальная энергіі, страчанай знешнім магн. полем за 1 цыкл перамагнічвання. Велічыня J=J_r пры H = 0 наз. астаткавай намагнічанасцю, а велічыня H_c, пры якой J=0, — каэрцытыўнай сілай. Дыэлектрычны гістэрэзіс — адставанне змен палярызацыі сегнетаэлектрыка (ці антысегнетаэлектрыка) ад змен напружанасці знешняга эл. поля. Таксама тлумачыцца даменнай структурай дыэлектрыка. Па форме пятля дыэл. гістэрэзісу падобная на пятлю магн. Гістэрэзіс (гл. Сегнетаэлектрычны гістэрэзіс). Пругкі гістэрэзіс — адставанне змен дэфармацый цела ад змен мех. напружанняў. Узнікае пры наяўнасці пластычных дэфармацый (гл. Пластычнасць). Мех. апрацоўка і ўвядзенне дамешкаў прыводзяць да ўмацавання матэрыялу і пругкі гістэрэзіс назіраецца пры большых напружаннях.

П.​С.​Габец.

т. 5, с. 277