Verbum

ПА́ВІЧ (Міларад) (н. 15.10.1929, Бялград),

сербскі пісьменнік, гісторык л-ры. Акад. Сербскай АН і мастацтваў (з 1989). Д-р філал. н. (1966). Скончыў Бялградскі ун-т (1957). Ў 1967—89 праф. Нові-Садскага і Бялградскага ун-таў. Пачынаў як паэт (зб-кі «Палімпсесты», 1967; «Месяцаў камень», 1971), потым выступіў як празаік-навеліст з нетрадыц. тэматыкай (кнігі апавяд. «Коні святога Марка», 1976; «Душы купаюцца апошні раз», 1982; аўтабіягр. кн. «Шкляны смоўж», 1998). Сусв. вядомасць прынёс неардынарны па змесце і форме раман «Хазарскі слоўнік» (1984). Аўтар «Невялікага начнога рамана» (1981), іранічнага рамана-прытчы «Пейзаж, напісаны чаем» (1988), гіст.-парадыйнага «Унутраны бок ветру» (1991), літ.-знаўчых даследаванняў, у т. л. «Гісторыя сербскай літаратуры перыяду барока, XVII і XVIII ст.» (1970), «Моўная памяць і паэтычная форма: Агляды» (1976), «Нараджэнне новай сербскай літаратуры» (1983), «Гісторыя, саслоўе і стыль» (1985) і інш. На бел. мову асобныя вершы П. пераклаў І.​Чарота.

Тв.:

Бел. пер. — у кн.: Сербская паэзія. Мн., 1989;

Рус. пер. — Пароль. Тайная вечеря // Набросок сценария со счастливым концом. М., 1984;

Сны недолгой ночи: (Хиландарская повесть) // Современная югославская повесть, 80-е гг. М., 1989;

Шляпа из рыбьей чешуи // Иностр. лит. 1997. № 1;

Последняя любовь в Константинополс // Там жа. № 7;

Хазарский словарь: Роман-лексикон в 100 000 слов: Мужская версия. СПб., 1999;

Внутренняя сторона ветра: Роман о Геро и Леандре. СПб., 1999.

І.​А.​Чарота.

т. 11, с. 470

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO₂) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO₂ рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405