Інтэгральная схема 7/198

Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)

Схема інтэгральная 9/46, 47; 10/143, 280; 11/438, 441

Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)

Інтэгральная паказальная функцыя 10/18

Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)

ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА, інтэгральная мікрасхема, мікрасхема,

мікрамініяцюрнае электроннае ўстройства для пераўтварэння, апрацоўкі ці захавання (назапашвання) інфармацыі, пададзенай у выглядзе эл., аптычных і інш. сігналаў. Складаецца з электрычна звязаных паміж сабой электрарадыёэлементаў (ЭРЭ), сфарміраваных у адзіным тэхнал. цыкле на аснове агульнай нясучай канструкцыі (падложкі). Актыўныя ЭРЭ І.с.: дыёды, транзістары, структуры метал—дыэлектрык—паўправаднік і інш.; пасіўныя: рэзістары, кандэнсатары электрычныя, трансфарматары, індуктыўнасці шпулі і інш. Тэорыю, метады разліку, тэхналогію вырабу І.с. вывучае і распрацоўвае мікраэлектроніка.

І.с. адрозніваюць: па спосабе аб’яднання (інтэгравання) элементаў — паўправадніковыя, ці маналітныя (асн. тып), плёначныя і гібрыдныя (у т. л. шматкрышталёвыя); па выглядзе інфармацыі, што апрацоўваюць, — лічбавыя і аналагавыя; па ступені інтэграцыі (колькасці элементаў на падложцы) — малыя, сярэднія, вялікія, звышвялікія. У маналітных І.с. элементы фарміруюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай, у асн. крэмніевай ці арсенідгаліевай, пласціны) у выніку камбінацыі працэсаў легіравання, траўлення, аксідавання, металізацыі і інш., што праводзяцца метадам фоталітаграфіі. Плёначныя І.с. змяшчаюць толькі пасіўныя элементы. Падложкамі гібрыдных І.с. служаць дыэлектрычныя пласціны, напр з керамікі, або пакрытыя дыэлектрыкам метал. пласціны, напр. на аснове алюмінію і яго аксідаў. На іх паверхні жорстка замацаваны мініяцюрныя ЭРЭ, злучаныя паміж сабой танка- ці таўстаплёначнымі праваднікамі; пасіўныя ЭРЭ могуць быць навяснымі ці плёначнымі. І.с. з’яўляюцца элементнай базай сучасных сродкаў электроннай тэхнікі. Гл. таксама Вялікая інтэгральная схема.

Літ.:

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. М., 1989;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

Інтэгральная схема з дыёднай ізаляцыяй: а — электрычная схема; б — тапалогія; 1 — металічныя міжзлучэнні; 2 — слой дыэлектрыка дыаксіду крэмнію SiO2; 3 — паўправадніковая пласціна з участкамі p, n і n​+-тыпу праводнасці, А, Б, В — адпаведныя адзін аднаму пункты на рыс. а і б.

т. 7, с. 280

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ О́ПТЫКА,

раздзел оптаэлектронікі, які вывучае аптычныя з’явы ў тонкіх слаях празрыстых матэрыялаў, распрацоўвае прынцыпы і метады стварэння яе элементарнай базы. Узнікла ў 1960-я г. на стыку электронікі, лазернай тэхнікі і класічнай оптыкі. Элементы І.о. выкарыстоўваюцца для стварэння аптычных ліній сувязі (гл Аптычная сувязь), аптычных сістэм апрацоўкі і перадачы інфармацыі, у аптычных камп’ютэрах і інш.

Да І.о. адносяць прылады і прыстасаванні, дзе традыцыйныя правады і кабелі заменены на аптычныя хваляводы, звычайныя электронныя схемы — на аптычныя інтэгральныя схемы, розныя элементы якіх размешчаны на агульнай падложцы і злучаны паміж сабой танкаплёначнымі аптычнымі хваляводамі. Хваляводы ўяўляюць сабой празрыстыя плоскапаралельныя пласцінкі (ці слаі) з паказчыкам пераламлення большым, чым у падложцы і навакольным асяроддзі. Іх атрымліваюць высокачастотным распыленнем дыэлектрыкаў, дыфузіяй, іонным абпрамяненнем (імплантацыяй) і інш.

На Беларусі даследаванні па І.о. вядуцца з 1972 у Ін-це прыкладной оптыкі (пад кіраўніцтвам А.М.Ганчарэнкі), у Ін-це электронікі Нац. АН і інш.

Літ.:

Гончаренко А.М., Редько В.П. Введение в интегральную оптику. Мн., 1975;

Гончаренко А.М., Карпенко В.А. Основы теории оптических волноводов Мн., 1983;

Хансперджер Р. Интегральная оптика. Теория и технология: Пер. с англ. М., 1985.

А.​М.​Ганчарэнка.

т. 7, с. 280

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ВЯЛІ́КАЯ ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА,

інтэгральная схема з вялікай колькасцю схемных элементаў (высокай ступені інтэграцыі); асн. элементная база ЭВМ і радыёэлектронных сродкаў. Аналагавыя вялікія інтэгральныя схемы маюць да 800, лічбавыя — да некалькіх дзесяткаў тысяч элементаў. Звышвялікая інтэгральная схема мае на парадак большую ступень інтэграцыі. Вялікія інтэгральныя схемы забяспечваюць надзейнасць радыёэлектроннай тэхнікі, яе малыя габарыты і масу, нізкую спажываную магутнасць.

Асаблівасць вялікіх інтэгральных схем — малыя памеры яе элементаў і міжэлементных злучэнняў (да 1,2 мкм пры выкарыстанні фоталітаграфіі і менш за 1 мкм пры рэнтгенаўскай і электроннай літаграфіі); скарачэнне колькасці знешніх вывадаў для забеспячэння хуткадзеяння, напр. у аднакрышталёвых ЭВМ. Адрозніваюць вялікія інтэгральныя схемы цвердацельныя (маналітныя; бываюць на аснове структур метал-дыэлектрык-паўправаднік і біпалярных структур) і гібрыдныя (дыскрэтныя бяскорпусныя паўправадніковыя прыборы і інтэгральныя схемы размешчаны на плёначнай падложцы; маюць больш шырокі частотны дыяпазон у параўнанні з маналітнымі; недахопы — меншая шчыльнасць упакоўкі элементаў, меншая надзейнасць). Праектаванне і тэхнал. рэалізацыя вялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца пры дапамозе ЭВМ.

Вялікія інтэгральныя схемы выкарыстоўваюцца як запамінальныя прыстасаванні, аналага-лічбавыя і лічбавыя пераўтваральнікі, узмацняльнікі, у мікрапрацэсарных камплектах і інш. На Беларусі навук. распрацоўкі і вытворчасць вялікіх інтэгральных схем і звышвялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца ў навук.-вытв. аб’яднаннях «Інтэграл», «Карал», канцэрне «Планар», Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Мінскім н.-д. прыладабудаўнічым ін-це, НДІ радыёматэрыялаў і інш.

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. Кн. 1—2. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

т. 4, с. 380

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

МІКРАСХЕ́МА,

тое, што інтэгральная схема.

т. 10, с. 362

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

КАШЫ́ ТЭАРЭ́МА інтэгральная,

адна з асн. тэарэм тэорыі аналітычных функцый. Калі функцыя 𝑓(z) — адназначная аналітычная функцыя ў некаторай вобласці камплекснай плоскасці, то інтэграл ад яе ўздоўж любой замкнутай спрамляльнай крывой, размешчанай у гэтай вобласці, роўны нулю. Апублікавана А.Кашы ў 1825, поўнасцю даказана франц. матэматыкам Э.​Гурса ў 1884. Выражае адну з асн. характарыстычных уласцівасцей аналітычных функцый.

т. 8, с. 202

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПО́ЎНАГА ТО́КУ ЗАКО́Н,

адзін з асн. законаў электрамагнітнага поля; інтэгральная форма другога Максвела ўраўнення, якое крыніцай магн. поля вызначае токі праводнасці і зрушэння. Паводле П.т.з. цыркуляцыя вектара напружанасці магн. поля H уздоўж адвольнага замкнёнага контуру L, праведзенага ў полі, роўная поўнаму эл. току скрозь паверхню S, абмежаваную гэтым контурам: L ( H dl ) = S ( J dS ) , дзе J — вектар шчыльнасці поўнага току, роўны геам. суме вектараў шчыльнасцей токаў праводнасці і зрушэння.

т. 12, с. 520

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІАНІЗАЦЫ́ЙНАЯ КА́МЕРА,

прылада для рэгістрацыі і спектраскапіі іанізавальных выпрамяненняў. Мае рабочы аб’ём газу паміж двума электродамі (плоскімі, цыліндрычнымі ці інш.), да якіх прыкладзена эл. напружанне. Бывае імпульсная (рэгіструюцца асобныя часціцы і вымяраецца іх энергія) і інтэгральная (вымяраецца інтэнсіўнасць выпрамянення).

Прынцып дзеяння І.к. заснаваны на збіранні электродамі эл. зарадаў, якія ўзніклі толькі ў выніку першаснай іанізацыі газу (у адрозненне ад інш. газавых дэтэктараў, напр., Гейгераўскага лічыльніка). Можа выкарыстоўвацца і для рэгістрацыі нейтронаў: пры рэгістрацыі павольных нейтронаў у рабочы аб’ём І.к. ўваходзяць злучэнні бору (напр., фтарыд бору), а пры рэгістрацыі хуткіх нейтронаў — вадарод.

т. 7, с. 139

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)