ВАГА́ННІ КРЫШТАЛІ́ЧНАЙ РАШО́ТКІ,
узгодненыя зрушэнні атамаў крышталя каля становішчаў раўнавагі (вузлоў рашоткі). Характар ваганняў залежыць ад сіметрыі крышталёў, ліку атамаў у элементарнай ячэйцы, тыпу хім. сувязі, віду і канцэнтрацыі дэфектаў у крышталях. Амплітуда ваганняў павялічваецца з павышэннем тэмпературы крышталя. На цеплавыя ваганні могуць накладвацца ваганні, выкліканыя распаўсюджваннем у крышталі пругкіх хваляў, абумоўленых знешнім уздзеяннем.
У крышталі з N элементарных ячэек па υ атамаў у кожнай існуе 3υN-6 незалежных найпрасцейшых нармальных ваганняў, кожнае з якіх можна ўявіць у выглядзе дзвюх плоскіх пругкіх хваляў, што распаўсюджваюцца ў процілеглых напрамках. Гэтыя ваганні складаюцца з трох акустычных галін (ім адпавядаюць зрушэнні элементарнай ячэйкі як цэлага) і 3 (υ—1) аптычных (адпавядаюць зрушэнням атамаў унутры элементарнай ячэйкі). Пры пругкім характары міжатамнага ўзаемадзеяння вагальная энергія крышталя складаецца з энергій нармальных ваганняў, кожнае з якіх уцягвае ў рух усе атамы. Вагальную энергію крышталя можна разглядаць і як суму энергій фанонаў — квантаў энергіі пругкіх ваганняў. Квантавая прырода ваганняў крышталічнай рашоткі праяўляецца ў наяўнасці нулявых ваганняў атамаў пры Т = 0К. Ваганні крышталічнай рашоткі ўплываюць на электраправоднасць металаў і паўправаднікоў, на аптычныя ўласцівасці дыэлектрыкаў.
Літ.:
Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981;
Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М., 1975;
Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965.
М.А.Паклонскі.
т. 3, с. 428
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
донар,
дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка.
т. 6, с. 183
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
дысперсія,
здольнасць дыфракцыйнай рашоткі раздзяляць прамяні розных даўжынь хваль.
т. 6, с. 295
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БРЫЛЮЭ́НА ЗО́НА,
мнагаграннік, які будуецца для кожнага крышталя па акрэсленых правілах. Форма брылюэна зоны вызначаецца сіметрыяй крышталёў, напр., брылюэна зона простай кубічнай рашоткі мае форму куба, гранецэнтраванай кубічнай рашоткі — ссечанага актаэдра. Выкарыстоўваецца ў фізіцы цвёрдага цела. Прапанавана ў 1930 франц. фізікам Л.Брылюэнам.
т. 3, с. 277
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БРАВЭ́ РАШО́ТКА від прасторавай рашоткі крышталёў. Прапанавана А.Бравэ ў 1848, які выказаў гіпотэзу, што прасторавыя рашоткі крышталёў пабудаваны з заканамерна размеркаваных у прасторы пунктаў (вузлоў, дзе размешчаны атамы), якія можна атрымаць у выніку паўтарэння дадзенага пункта паралельнымі пераносамі (трансляцыямі). Правядзеннем прамых ліній праз гэтыя пункты прасторавая рашотка разбіваецца на роўныя паралелепіпеды (ячэйкі).
Адрозніваюць 4 тыпы Бравэ рашоткі: прымітыўныя (вузлы — толькі ў вяршынях элементарных паралелепіпедаў), гранецэнтраваныя (у вяршынях і цэнтрах усіх граняў), аб’ёмнацэнтраваныя (у вяршынях і цэнтры паралелепіпедаў), базацэнтраваныя (у вяршынях і цэнтрах процілеглых граняў). Існуе 14 відаў Бравэ рашоткі, якія размеркаваны па 7 сінганіях (сістэмах): трыкліннай (1 від Бравэ рашоткі), манакліннай (2), тэтраганальнай (2), рамбічнай (4), трыганальнай (1), гексаганальнай (1), кубічнай (3). Бравэ рашотка выкарыстоўваецца пры апісанні атамнай структуры крышталёў (складаныя структуры, калі элементарная ячэйка змяшчае некалькі атамаў, апісваюць як некалькі Бравэ рашотак, устаўленых адна ў адну).
Літ.:
Современная кристаллография. Т. 1. М., 1979.
П.А.Пупкевіч.
т. 3, с. 226
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АКЦЭ́ПТАР,
дэфект крышталічнай рашоткі паўправадніка, здольны «захапіць» электроны і тым забяспечыць дзірачную электраправоднасць. Тыповыя акцэптары для германію (Ge) і крэмнію (Si) — атамы-дамешкі хім. элементаў III групы (B, Al, Ga, In). Гл. таксама Донары.
т. 1, с. 223
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МЕТАЛІ́ЧНАЯ СУ́ВЯЗЬ,
разнавіднасць хімічнай сувязі, якая ўтвараецца пры ўзаемадзеянні электроннага газу (аб’яднаных валентных электронаў металаў) з дадатна зараджанымі іонамі крышт. рашоткі. Характэрна для металаў, іх сплаваў і расплаваў, а таксама большасці металідаў. Вызначае ўласцівасці, характэрныя для металаў: высокія электра- і цеплаправоднасць, пластычнасць.
т. 10, с. 306
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МІ́НСКІ ЗАВО́Д АЦЯПЛЯ́ЛЬНАГА АБСТАЛЯВА́ННЯ.
Засн. ў 1953 у Мінску, прадукцыю выпускае з 1954. Асн. прадукцыя (1999): катлы чыгунныя, ацяпляльныя радыятары з літога чыгуну, злучэнні і фітынгі з чыгуну, мацаванні для радыятарных полак, дэкаратыўна-мастацкае (рашоткі, лаўкі, кветачніцы) і пячное ліццё. Праводзіць устаноўку, абслугоўванне і рамонт катлоў.
т. 10, с. 438
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АСТРАСПЕКТРО́ГРАФ,
прылада для рэгістравання спектраў выпрамянення нябесных целаў. Устанаўліваецца ў фокусе тэлескопа. Канструкцыя сістэмы тэлескоп — астраспектрограф робіцца жорсткай, каб пазбегнуць зрушэння відарыса. Спектральнае раскладанне святла атрымліваюць пры дапамозе прызмы аптычнай, дыфракцыйнай рашоткі. Спектр фатаграфуюць або рэгіструюць фотаэлектрычнымі прыёмнікамі святла. Астраспектрограф дае магчымасць вызначаць хім. састаў нябесных целаў, скорасць іх руху ўздоўж праменя зроку, наяўнасць магн. поля і інш.
т. 2, с. 53
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АДПАЧЫ́Н МЕТА́ЛАЎ,
працэс частковага аднаўлення структуры і фіз.-хім. уласцівасцяў дэфармаваных ці радыяцыйна апрамененых металаў і сплаваў. Адбываецца пры награванні да т-ры рэкрышталізацыі без змены мікраструктуры. Жалезныя вырабы награваюць да t 250—300 °C, легкаплаўкія металы і сплавы (напр., свінец) вытрымліваюць пры пакаёвай т-ры. Адпачын металаў ліквідуе скажэнні крышталічнай рашоткі, суправаджаецца зніжэннем эл. супраціўлення, скорасці растварэння ў кіслотах і межаў цякучасці металаў і сплаваў. Выкарыстоўваецца для павышэння пластычнасці канструкцыйных матэрыялаў без паніжэння іх трываласці.
т. 1, с. 127
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)