Verbum

зона праводнасці

т. 7, с. 106

электроны праводнасці

т. 18, кн. 1, с. 101

ЛАНДА́У ДЫЯМАГНЕТЫ́ЗМ,

дыямагнетызм сістэмы носьбітаў зарадаў (напр., электронаў праводнасці ў металах). Прадказаны Л.Д.Ландау ў 1930. Абумоўлены квантаваннем арбітальнага руху зараджаных часціц у магн. полі, дзе траекторыя іх свабоднага руху скрыўляецца і ўзнікае дадатковае магн. поле, накіраванае процілегла знешняму полю. Назіраецца ў выраджаным газе свабодных электронаў і ў электронаў праводнасці ў металах, паўметалах і паўправадніках.

т. 9, с. 118

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.М.Дашанкоў.

т. 1, с. 218

АРЫТМІ́Я (ад а... + грэчаскае rhythmos рытм) сардэчная, парушэнне рытму, паслядоўнасці і сілы сардэчных скарачэнняў. Узнікае ад парушэнняў аўтаматызму, узбуджальнасці, праводнасці і скарачальнасці сэрца, пры хваробах сэрца, парушэннях яго нервовай рэгуляцыі і гэтак далей. Адрозніваюць пачашчэнне (тахікардыя) і запаволенне (брадыкардыя) біцця сэрца, няправільны рытм сардэчных скарачэнняў (экстрасісталія, мігальная арытмія), прыступы частага біцця сэрца (параксізмальная тахікардыя) і інш. Лячэнне асноўнай хваробы сэрца ліквідуе арытмію.

т. 2, с. 9

ДЗІ́РКА ў фізіцы цвёрдага цела,

квазічасціца ў паўправадніку, дыэлектрыку ці метале, звязаная з незанятым электронам квантавым станам у валентнай зоне. Пад уздзеяннем знешніх эл. і магн. палёў паводзіць сябе як часціца з дадатным зарадам, роўным па абсалютнай велічыні зараду электрона. Эфектыўная маса Дз. большая, а рухомасць меншая, чым у электрона праводнасці. Дз. разам з электронамі вызначаюць дынамічныя ўласцівасці крышталёў. Гл. таксама Паўправаднікі.

т. 6, с. 117

ВАЛЕ́НТНАЯ ЗО́НА,

энергетычная вобласць дазволеных электронных станаў у цвёрдым целе. Пры т-ры абсалютнага нуля цалкам запоўнена валентнымі электронамі (гл. Зонная тэорыя). Пад уплывам цеплавога руху, знешніх уздзеянняў (асвятленне, апрамяненне, увядзенне прымесяў і інш.) невял. частка электронаў пераходзіць з валентнай зоны ў зону праводнасці ці на прымесныя ўзроўні ў забароненай зоне. У выніку ў валентнай зоне з’яўляюцца незапоўненыя электронныя станы (дзіркі) і электроны валентнай зоны могуць удзельнічаць у электраправоднасці.

т. 3, с. 479

ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,

кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл. Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.

Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу A​^IIIB​^V, дзе A​^III — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), B​^V — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.

Літ.:

Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М., 1975;

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. М., 1979.

Л.М.Шахлевіч.

т. 5, с. 209