Verbum

ПАКЛО́НСКІ (Канстанцін Вацлаў Юр’евіч) (? — пасля 1661),

бел. военачальнік у час вайны Расіі з Рэччу Паспалітай 1654—67, палкоўнік. У пач. вайны перайшоў на бок рас. цара Аляксея Міхайлавіча, ад якога атрымаў званне бел. палкоўніка. Войска П. складалася з 6 тыс. чал. На працягу жн. 1654 узяў Чавусы і Магілёў (разам з арміяй ваяводы М.​Ваейкава). На падуладных тэр. усх. Беларусі спрабаваў праводзіць самаст. палітыку, незалежную ад царскага ўрада і ўкр. казакоў, што прывяло да жорсткага супрацьстаяння і баявых дзеянняў з наказным гетманам укр. казацкага войска І.​Залатарэнкам. Да канца 1654 казакі былі выцеснены з Магілёўскага пав. У 1655 перайшоў на бок ВКЛ, пацярпеў паражэнні ад рас. войск пад Барысавам і Койданавам, ад казакоў Залатарэнкі пад Ашмянамі. З восені 1655 завербаваны ў войска брандэнбургскага электара Фрыдрыха Вільгельма, саюзніка Рэчы Паспалітай. Праз некалькі месяцаў, з-за здрады электара, удзельнічаў у паходзе на Прусію пад кіраўніцтвам В.​Гасеўскага. 22.10.1656 у час бітвы са шведамі пад Філіпавам трапіў у палон, зняволены ў Мальбаркскай крэпасці. Пасля вызвалення на вайсковую службу не пайшоў, уласныя сродкі ахвяраваў на ўзбраенне войск ВКЛ.

А.​А.​Шпунт.

т. 11, с. 527

Паклонскі Мікалай Аляксандравіч

т. 18, кн. 1, с. 437

РЭКАМБІНА́ЦЫЯ ў фізіцы,

звязванне свабодных носьбітаў зараду процілеглага знака; працэс, адваротны іанізацыі. Напр., у выніку Р. электронаў і дадатна зараджаных іонаў (катыёнаў) у газавай плазме ўтвараюцца нейтральныя атамы ў асноўным ці ўзбуджаным стане (гл. Узроўні энергіі). У крышт. паўправадніках Р. дэлакалізаваных электрона і дзіркі (электроннай вакансіі) адбываецца ў выніку пераходу электрона з зоны праводнасці ў валентную зону (гл. Зонная тэорыя). Пры гэтым лішак энергіі можа вылучацца ў выглядзе выпрамянення фатонаў (выпрамяняльная Р.; вызначае механізм дзеяння паўправадніковых лазераў і святловыпраменьвальных дыёдаў) ці безвыпрамяняльна перадавацца ваганням крышт. рашоткі, дамешкавым атамам і інш.

М.​А.​Паклонскі.

т. 13, с. 568

ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ,

рэчывы з выразна выяўленымі ўласцівасцямі паўправаднікоў у шырокім інтэрвале тэмператур, прызначаныя для вырабу паўправадніковых прылад. У адрозненне ад металаў электраправоднасць у П.м. павялічваецца з ростам т-ры. П.м. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (награванне, апрамяненне, дэфармаванне і інш.), да наяўнасці ў іх дамешкаў і структурных дэфектаў. Асн. галіна выкарыстання — мікраэлектроніка. Найб. пашыраныя П.м.: крэмній, германій, алмаз, крэмнію карбід, злучэнні некаторых элементаў III і V (GaAs, InSb, GaN і інш.), II і VI (CdSe, ZnTe і інш.) груп перыядычнай сістэмы.

Літ.:

Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986;

Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. 2 изд. М., 1986;

Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов: Пер. с англ. М., 1991.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 231

РАДЫЯЦЫ́ЙНАЯ СТО́ЙКАСЦЬ матэрыялаў і вырабаў, здольнасць матэрыялаў і вырабаў захоўваць свае ўласцівасці і параметры ў зададзеных межах у працэсе і пасля ўздзеяння іанізавальнага выпрамянення (радыяцыі).

Змена ўласцівасцей матэрыялаў пры апрамяненні абумоўлена з’яўленнем дэфектаў у крышт. рашотцы (гл. Радыяцыйныя дэфекты), ядзернымі рэакцыямі, разрывам хім. сувязей і інш. Р.с. матэрыялаў залежыць ад тыпу хім. сувязі атамаў, іх структурнага ўпарадкавання, характарыстык іанізавальнага выпрамянення, якія вызначаюць назапашванне ўстойлівых радыяцыйных дэфектаў, ад т-ры матэрыялаў у працэсе апрамянення (павялічваецца з павышэннем т-ры з прычыны ўзрастання імавернасці анігіляцыі першасных радыяцыйных дэфектаў — міжвузельных атамаў і атамных вакансій). Р.с. вырабаў вызначаецца здольнасцю матэрыялаў, з якіх яны зроблены. процістаяць уздзеянню радыяцыі.

Літ.:

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Мн., 1986;

Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М., 1989.

М.​А.​Паклонскі.

т. 13, с. 243

БЭТАТРО́Н,

цыклічны індукцыйны паскаральнік электронаў віхравым эл. полем, якое ствараецца пераменным у часе магн. патокам, што пранізвае арбіту электронаў.

Утрыманне электронаў на раўнаважнай кругавой арбіце ажыццяўляецца кіравальным магн. полем. Пастаянства радыуса раўнаважнай арбіты забяспечваецца падборам формы полюсных наканечнікаў электрамагніта, паміж якімі знаходзіцца тараідальная вакуумная камера, сувосевая з індуцыруючым патокам. Электроны перыядычна інжэкціруюцца ў камеру па датычнай да раўнаважнай арбіты ў адпаведны момант часу. Паскарэнне электронаў адбываецца ў час росту магн. поля. У канцы цыкла паскарэння з дапамогай спец. зрушвальнай абмоткі пучок электронаў адхіляецца ад раўнаважнай арбіты і накіроўваецца на мішэнь, якая знаходзіцца ўнутры камеры воддаль ад раўнаважнай арбіты. Бэтатрон адрозніваецца малымі памерамі крыніцы выпрамянення, магчымасцю плаўнай рэгуліроўкі энергіі. Бэтатрон выкарыстоўваецца для радыяцыйнай дэфектаскапіі матэрыялаў і вырабаў, у ядзерных даследаваннях, у медыцыне (прамянёвая тэрапія).

Літ.:

Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. 2 изд. М., 1978.

М.​А.​Паклонскі.

т. 3, с. 386

РАДЫЯЦЫ́ЙНАЯ ФІ́ЗІКА кандэнсаваных сістэм,

раздзел фізікі, які вывучае фіз. працэсы ў кандэнсаваных сістэмах (металы, паўправаднікі, дыэлектрыкі, арган. матэрыялы і інш.), абумоўленыя ўздзеяннем іанізавальнага выпрамянення (радыяцыі).

Дзеянне радыяцыі на крышталі выклікае зрушэнне атамаў са становішчаў раўнавагі ў крышталічнай рашотцы і прыводзіць да ўтварэння радыяцыйных дэфектаў. Радыяцыя змяняе ўласцівасці матэрыялаў (графіт, сталь, бетон) і прылад, якія выкарыстоўваюцца ў атамнай энергетыцы, пры асваенні касм. прасторы (напр., сонечныя батарэі) і інш. Напр., у выніку дзеяння радыяцыі на ваду ўтвараецца малекулярны вадарод і пераксід вадароду; шкло змяняе празрыстасць (афарбоўваецца), металы павялічваюць аб’ём і інш. Здольнасць кандэнсаваных сістэм захоўваць свае ўласцівасці пры ўздзеянні радыяцыі (гл. Радыяцыйная стойкасць) залежыць ад тыпу хім. сувязі іх элементаў структуры, інтэнсіўнасці і віду радыяцыі, т-ры і інш.

На Беларусі даследаванні ў галіне Р.ф. праводзяцца ў Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Інжынерна-тэхн. цэнтры «Сосны» Нац. АН, БДУ.

Літ.:

Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988;

Кирсанов В.В., Суворов АЛ., Трушин Ю.В. Процессы радиационного дефектообразования в металлах. М., 1985;

Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках: Эксперимент. аспекты: Пер. с англ. М., 1985;

Бреховских С.М., Тюльнин В.А. Радиационные центры в неорганических стеклах. М., 1988.

М.​А.​Паклонскі.

т. 13, с. 243

БЭ́ТА-РАСПА́Д, β-распад,

самаадвольнае ператварэнне ўнутры атамнага ядра аднаго з нейтронаў у пратон (ці наадварот), а таксама свабоднага нейтрона ў пратон, абумоўленае слабым узаемадзеяннем. Адзін з асн. тыпаў радыеактыўнасці. Ператварэнне нейтрона ў пратон суправаджаецца выпусканнем электрона e​⁻ і электроннага антынейтрына ν̃_e, а пратона ў нейтрон — выпусканнем пазітрона e​⁺ і электроннага нейтрына ν_e (гл. Бэта-выпрамяненне).

Пры электронным бэта-распадзе (β​⁻) утвараецца ядро з колькасцю пратонаў, большай на 1 за іх колькасць у зыходным ядры, напр.: ${\displaystyle \genfrac{}{}{0ex}{}{14}{6}c\to \genfrac{}{}{0ex}{}{14}{7}\mathrm{N}+e+{\mathrm{\nu ̃}}_{\mathrm{e}}}$ . Пры пазітронным бэта-распадзе (β​⁺) колькасць пратонаў у ядры памяншаецца на 1: ${\displaystyle \genfrac{}{}{0ex}{}{11}{6}c\to \genfrac{}{}{0ex}{}{11}{5}\mathrm{\beta }+e^{\mathrm{+}}+{\nu }_{\mathrm{e}}}$ . Да бэта-распаду адносяць таксама электронны захоп. Энергія, якая вылучаецца пры бэта-распадзе, размяркоўваецца пераважна паміж e​⁻ і ν̃_e (ці e​⁺ і ν_e). Перыяды паўраспадаў β-актыўных ядраў ад 10​⁻² с да 10​¹⁸ гадоў. Пры бэта-распадзе не захоўваецца прасторавая цотнасць, што выяўляецца ў асіметрыі прасторавых напрамкаў у руху электронаў, якія выпраменьваюцца ядрамі: у напрамку спіна ядраў вылятае менш электронаў, чым у адваротным. Асновы тэорыі бэта-распаду закладзены Э.Фермі (1934). Далейшае развіццё тэорыі бэта-распаду прывяло да стварэння адзінай тэорыі слабых і эл.-магн. узаемадзеянняў (гл. Электраслабае ўзаемадзеянне).

М.​А.​Паклонскі.

т. 3, с. 386

ВАГА́ННІ КРЫШТАЛІ́ЧНАЙ РАШО́ТКІ,

узгодненыя зрушэнні атамаў крышталя каля становішчаў раўнавагі (вузлоў рашоткі). Характар ваганняў залежыць ад сіметрыі крышталёў, ліку атамаў у элементарнай ячэйцы, тыпу хім. сувязі, віду і канцэнтрацыі дэфектаў у крышталях. Амплітуда ваганняў павялічваецца з павышэннем тэмпературы крышталя. На цеплавыя ваганні могуць накладвацца ваганні, выкліканыя распаўсюджваннем у крышталі пругкіх хваляў, абумоўленых знешнім уздзеяннем.

У крышталі з N элементарных ячэек па ν атамаў у кожнай існуе 3νN—6 незалежных найпрасцейшых нармальных ваганняў, кожнае з якіх можна ўявіць у выглядзе дзвюх плоскіх пругкіх хваляў, што распаўсюджваюцца ў процілеглых напрамках. Гэтыя ваганні складаюцца з трох акустычных галін (ім адпавядаюць зрушэнні элементарнай ячэйкі як цэлага) і 3 (ν—1) аптычных (адпавядаюць зрушэнням атамаў унутры элементарнай ячэйкі). Пры пругкім характары міжатамнага ўзаемадзеяння вагальная энергія крышталя складаецца з энергій нармальных ваганняў, кожнае з якіх уцягвае ў рух усе атамы. Вагальную энергію крышталя можна разглядаць і як суму энергій фанонаў — квантаў энергіі пругкіх ваганняў. Квантавая прырода ваганняў крышталічнай рашоткі праяўляецца ў наяўнасці нулявых ваганняў атамаў пры T = 0К. Ваганні крышталічнай рашоткі ўплываюць на электраправоднасць металаў і паўправаднікоў, на аптычныя ўласцівасці дыэлектрыкаў.

Літ.:

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981;

Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М., 1975;

Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965.

М.​А.​Паклонскі.

т. 3, с. 428