расійскі фізік. Акад.Рас.АН (1992; чл.-кар. 1976). Скончыў Ленінградскі ун-т (1952). З 1952 у Пецярбургскім фіз.-тэхн. ін-це, з 1972 адначасова ў Пецярбургскім эл.-тэхн. ін-це. Навук. працы па оптыцы, спектраскапіі і магнітаоптыцы паўправаднікоў, оптаэлектроніцы. Выявіў эфект асцыляцый магнітапаглынання ў паўправадніках (1956) і дыямагнітныя эксітоны (1968). Адкрыў шэраг з’яў, звязаных з уздзеяннем магн. і эл. палёў на спектры ў паўправадніках (разам з рас. фізікам Я.Ф.Гросам). Распрацаваў асновы новага кірунку ў фізіцы паўправаднікоў — аптычнай арыентацыі электронных і ядз. спінаў. Ленінская прэмія 1966. Дзярж. прэмія СССР 1976.
Тв.:
Фазовый переход металл — полупроводник и его применение. Л., 1979 (разам з А.А.Бугаевым, Ф.А.Чудноўскім).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,
кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл.Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.
Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу AIIIBV, дзе AIII — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), BV — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.
Літ.:
Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М., 1975;
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. М., 1979.
