Verbum

БАРЫШЭ́ЎСКІ (Уладзімір Рыгоравіч) (н. 1.7.1940, Мінск),

бел. фізік-тэарэтык. Д-р фізіка-матэм. н. (1974), праф. (1977). Чл. Нью-Йоркскай АН (1993). Скончыў БДУ (1962). З 1965 у БДУ, з 1986 дырэктар НДІ ядз. праблем БДУ. Навук. працы па ядз. фізіцы і фізіцы элементарных часціц. Стварыў новую галіну фіз. даследаванняў — ядз. оптыку палярызаваных асяроддзяў, у якой ім зроблены два адкрыцці: ядз. прэцэсіі спіна нейтронаў (1979) і з’явы вярчэння плоскасці палярызацыі гамаквантаў (1988).

Тв.:

Ядерная оптика поляризованных сред. Мн., 1976;

Каналирование, излучение и реакции в кристаллах при высоких энергиях Мн., 1982.

т. 2, с. 336

ПА́ТРЫН (Аляксей Аляксеевіч) (н. 8.10.1945, г. Брэст),

бел. фізік. Д-р фіз.-матэм. н. (1991), праф. (1993). Скончыў БДУ (1967) і працаваў у ім. З 1993 на пед. рабоце ў Польшчы. Навук. працы па фотаэлектрычных з’явах у паўправадніках. Выявіў дыслакацыйную люмінесцэнцыю ў крэмніі, распрацаваў асновы фотаэлектрычнай спектраскапіі вызначэння якасці крэмніевых матэрыялаў.

Тв.:

Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии (разам з М.​А.​Драздовым, В.​Дз.​Ткачовым) // Письма в ЖЭТФ. 1976. Т. 23, № 11;

Спектр оптического поглощения кремния, содержащего внутренние упругие напряжения (разам з М.​І.​Тарасік) // Журн. прикладной спектроскопии. 1998. Т. 65, № 4.

т. 12, с. 182

КАМАРО́Ў (Фадзей Фадзеевіч) (н. 20.8.1945, в. Галузы Чавускага р-на Магілёўскай вобл.),

бел. фізік. Чл.-кар. Нац. АН Беларусі (1996), д-р фіз.-матэм. н. (1983), праф. (1984). Скончыў Магілёўскі пед. ін-т (1969). З 1969 у БДУ, з 1974 у НДІ прыкладных фіз. праблем БДУ (у 1981—92 нам. дырэктара), адначасова з 1988 у БДУ. Навук. працы па радыяцыйнай фізіцы цвёрдага цела і мікраэлектроніцы. Распрацаваў тэарэт. асновы фізікі ўзаемадзеяння высокаінтэнсіўных іонных пучкоў з крышталямі, іонна-прамянёвага легіравання матэрыялаў, фіз. прынцыпы кіравання пучкамі жорсткіх рэнтгенаўскіх і гама-квантаў.

Тв.:

Излучение заряженных частиц в твердых телах. Мн., 1985 (разам з М.​А.​Кумахавым);

Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М., 1985 (у сааўт.);

Ионная имплантация в металлы. М., 1990.

т. 7, с. 503

РАДЫЯЦЫ́ЙНАЯ БІЯХІ́МІЯ,

раздзел біяхіміі, які вывучае змены абмену рэчываў, што ўзнікаюць у арганізме ў выніку дзеяння на яго іанізавальнага выпрамянення. Цесна звязана з радыебіялогіяй. Асн. задача Р.б. — высвятленне механізмаў узнікнення асаблівасцей цячэння метабалічнай рэакцыі арганізма ў адказ на апрамяненне на малекулярным, субклетачным, клетачным, аргана-тканкавым, арганізмавым узроўнях. На Беларусі Р.б. развіваецца з канца 1950-х г. Даследаванні праводзяцца ў ін-тах фізіялогіі, біяхіміі Нац. АН, БДУ, Віцебскім мед. ін-це і інш. Уклад у Р.б. зрабілі А.Ц.Пікулеў, Л.С.Чаркасава, Т.​М.​Міронава, В.Г. і К.В. Фамічэнкі і інш. Вывучаліся дзеянні лятальных доз рэнтгенаўскіх і гама-прамянёў на бялковы і вугляводны абмен у функцыянальна важных тканках жывёльнага арганізма, малых доз вострага, фракцыянаванага і хранічнага апрамянення на паказчыкі абмену рэчываў (прыярытэт бел. школы біяхімікаў), складаных бялковых біяпалімераў, амінакіслот, ферментаў вугляводна-энергет. нуклеінавага абмену, дзеянне адносна невял. доз нейтронаў прамежкавых энергій на абмен рэчываў. Пасля Чарнобыльскай катастрофы (1986) арганізаваны Ін-т радыебіялогіі Нац. АН Беларусі, Н.-д. клінічны ін-т радыяцыйнай медыцыны і эндакрыналогіі. Даследуюцца эфекты малых доз радыяцыі на гарманальны статус арганізма (гармоны шчытападобнай, падстраўнікавай і палавых залоз), фосфарна-кальцыевы абмен, метабалізм вугляводаў, імуналагічныя паказчыкі (Я.Ф.Канапля, Г.Р.Гацко, І.​М.​Багель і інш.).

Літ.:

Ионизирующее излучение и обмен веществ. Мн., 1962;

Фамічэнка К.В., Петрусенка Г.П. Сістэма нуклеаз у тканках пасля адрэналэктаміі і рэнтгенаўскага апраменьвання // Весці АН БССР. Сер. біял. навук. 1985. № 5;

Основные итоги выполнения научного раздела Гос. программы РБ по минимизации и преодолению последствий катастрофы на Чернобыльской АЭС на 1996—2000 гг. за 1996 г. Мн. 1997.

К.​В.​Фамічэнка.

т. 13, с. 242

ІНФРАЧЫРВО́НАЕ ВЫПРАМЯНЕ́ННЕ, інфрачырвоныя прамяні,

нябачнае электрамагнітнае выпрамяненне аптычнага дыяпазону з даўжынёй хваль ад 0,74 мкм да 1—2 мм (ад чырв. канца бачнага спектра да найб. кароткіх радыёхваль). Выпрамяняецца ўсякім целам, асабліва нагрэтым. Складае значную ч. выпрамянення Сонца, большую ч. выпрамянення лямпаў напальвання, розных газаразрадных крыніц святла. Шырока выкарыстоўваюцца спец. крыніцы І.в. — стрыжні на аснове вокіслаў рэдказямельных элементаў і карбіду крэмнію, перспектыўныя лазерныя крыніцы І.в. Адкрыта ў 1800 У.Гершэлем.

І.в. вылучаюць таксама касм. целы: халодныя чырв. карлікі (зоркі з т-рай паверхні 1000—1500 К), шэраг планетарных туманнасцей, пылавыя воблакі, ядры галактык (у т. л. нашай), квазары. Спектр І.в. (як і бачнага, ультрафіялетавага) можа складацца з асобных ліній, палос або быць неперарыўным у залежнасці ад прыроды крыніцы. Аптычныя ўласцівасці рэчываў (празрыстасць, каэф. адбіцця і пераламлення) у інфрачырв. вобласці спектра звычайна адрозніваюцца ад уласцівасцей у бачнай і ультрафіялетавай абласцях. Многія рэчывы, празрыстыя ў бачнай вобласці, непразрыстыя ў некаторых абласцях І.в. і наадварот У большасці металаў адбівальная здольнасць для І.в. значна большая, чым для бачнага. Вылучыць І.в. з агульнага патоку выпрамянення можна з дапамогай прызмаў, дыфракцыйных рашотак, дысперсійных фільтраў і інш. Для выяўлення і вымярэння І.в. выкарыстоўваюцца цеплавыя і фотаэлектрычныя прыёмнікі (балометры, тэрмаэлементы), оптыка-акустычныя і піраэлектрычныя прыёмнікі, фотаэлементы і фотапамнажальнікі, электронна-аптычныя пераўтваральнікі і фотарэзістары, спец. фотаматэрыялы. І.в. выкарыстоўваецца ў навук даследаваннях, прам-сці, сельскай гаспадарцы, медыцыне, ваен. справе — для ідэнтыфікацыі і вывучэння будовы хім злучэнняў, якаснага і колькаснага спектральнага аналізу (гл. Інфрачырвоная спектраскапія), сушкі і нагрэву, дэфектаскапіі вырабаў (гл. Інфрачырвоная дэфектаскапія), фатаграфавання ў цемнаце, у начнога бачання прыладах і цеплапеленгацыі, саманавядзення снарадаў і ракет, наземнай і касм. сувязі, у лакатарах, дальнамерах і інш. (гл. таксама Інфрачырвоная тэхніка).

Літ.:

Леконт Ж. Инфракрасное излучение: Пер. с фр. М., 1958;

Марков М.Н. Приемники инфракрасного излучения. М., 1968;

Хадсон Р.Д. Инфракрасные системы: Пер. с англ. М., 1972;

Левитин И.Б. Применение инфракрасной техники в народном хозяйстве. Л., 1981.

Р.​Г.​Жбанкоў.

т. 7, с. 294

ДЫСЛАКА́ЦЫІ ў крышталях,

трансляцыйныя лінейныя дэфекты ў крышталях; лініі, уздоўж і паблізу якіх парушана рэгулярнае размяшчэнне атамных плоскасцей. Могуць выходзіць на паверхню, замыкацца (утвараць дыслакацыйную пятлю), разгаліноўвацца, не абрываюцца ўнутры крышталя. Сярэдняя колькасць ліній Д., што праходзяць праз сячэнне адзінкавай плошчы, вызначае дыслакацыйную шчыльнасць.

У простай кубічнай рашотцы бываюць 2 тыпы Д. — краявая і вінтавая; у больш складаных структурах паміж гэтымі гранічнымі тыпамі могуць існаваць прамежкавыя (напр., у рашотцы алмазу бывае 10 тыпаў Д.). Краявыя Д. — лініі, уздоўж якіх унутры крышталя абрываецца край лішняй атамнай паўплоскасці. Вінтавыя Д. ўтвараюцца ў выніку зруху на перыяд рашоткі адной часткі крышталя адносна другой уздоўж некаторай атамнай паўплоскасці паралельна яе краю. Пры абходзе вакол лініі Д. па вузлах рашоткі ўзнікае незамкнёнасць контуру, якая характарызуецца вектарам Бюргерса $\overrightarrow{b}$. Даўжыня вектара $\overrightarrow{b}$ роўная аднаму з трансляцыйных перыядаў рашоткі, а напрамак залежыць ад напрамку абходу контуру. Для краявой Д. вектар датычнай L да яе лініі і вектар $\overrightarrow{b}$ перпендыкулярныя, для вінтавой — паралельныя. Існуюць 2 спосабы перамяшчэння Д. па крышталі: слізганне (абумоўлена разрывам і перазлучэннем міжатамных сувязей уздоўж лініі Д.) і перапаўзанне (атамная рэканструкцыя краю лішняй паўплоскасці). У рэальных крышталях Д. — ломаныя лініі, якія складаюцца з участкаў (сегментаў) розных тыпаў. Пры збліжэнні двух Д. аднатыпныя сегменты 3 паралельнымі вектарамі Бюргерса адштурхоўваюцца, а з антыпаралельнымі — прыцягваюцца, і адбываецца «анігіляцыя» сегментаў. Узнікненне Д. абумоўлена пластычнай дэфармацыяй крышталя ў працэсе яго росту або далейшых тэрмаапрацовак. Д. ў крышталі знаходзіцца ў полі пругкіх напружанняў. Пры павелічэнні пластычнай дэфармацыі расце колькасць Д., іх палі перакрываюцца і слізганне ўскладняецца (дэфармацыйнае ўмацаванне). Рух і ўзаемадзеянне Д. вызначаюць змяненне формы крышталя і яго ўласцівасцей. У кавалентных крышталях (германій, крэмній, алмаз) Д. маюць абарваныя хім. сувязі; кожная разарваная (ненасычаная) сувязь можа выступаць як цэнтр захопу электрона. У кавалентных і іонных крышталях Д. праяўляюць сябе ў фотапругкасці, люмінесцэнцыі, анізатрапіі электраправоднасці і інш. Акрамя Д. у крышталях бываюць ратацыйныя лінейныя дэфекты — дысклінацыі (парушэнні сіметрыі напрамкаў).

Літ.:

Судзуки Т., Ёсинага Х., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность: Пер. с яп. М., 1989;

Дроздов Н.А., Патрин А.А., Ткачев В.Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в Журн. экспер. и теорет. физики. 1976. Т. 23, № 11.

М.​А.​Драздоў, М.​А.​Паклонскі.

т. 6, с. 293