злучэнні, якія ўтвараюцца ўключэннем малекул ці іонаў малых памераў у поласці крышт.рашоткі (рашэцістыя) ці ў поласць адной вял. малекулы. К. называюць злучэннямі тыпу «гаспадар-госць».
Рашэцістыя К., ці інтэркалаты, існуюць толькі ў крышт. стане. Паводле формы поласці адрозніваюць К. клетачныя і слаістыя. Напр., клетачныя К. — газавыя гідраты, у якіх «гасцямі» з’яўляюцца малекулы газаў — аргон, крыптон, хлор, метал і інш., а «гаспадарамі» — малекулы вады, што ўтвараюць крышт. каркас. Знешне яны нагадваюць снег, але могуць існаваць пры дадатнай т-ры. Слаістыя К. ўтвараюцца пры ўкараненні малекул ці іонаў паміж слаямі крышталёў са слаістай рашоткай (напр., злучэнне ўключэння графіту з сернай к-той C+24HSO−4∙H2SO4). Утварэнне К. выкарыстоўваюць пры сінтэзе стэрэарэгулярных палімераў, апрасненні марской вады, захоўванні газаў і высокатаксічных рэчываў, у храматаграфіі.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
КРЫШТАЛЯФІ́ЗІКА,
раздзел фізікі, у якім вывучаюцца фіз. ўласцівасці крышталёў у сувязі з іх атамным (хімічным) саставам і будовай крышталічнай рашоткі. Для крышталёў характэрна анізатрапія, іх анізатропныя ўласцівасці характарызуюцца сукупнасцю некалькіх незалежных велічынь і апісваюцца тэнзарамі.
Кожны крышталь у адносінах да адных уласцівасцей можа. быць анізатропным, да другіх — ізатропным. Наяўнасць залежнасці якой-н. уласцівасці ад напрамку ў крышталі і колькасць незалежных велічынь, якімі гэтая ўласцівасць апісваецца, вызначаюцца прыродай самой уласцівасці і сіметрыяй крышталя. Некаторыя фіз. ўласцівасці крышталёў не могуць залежаць ад напрамку, напр., цеплаёмістасць, шчыльнасць. Гл. таксама Крышталяграфія, Крышталяоптыка.
Літ.:
Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц: Пер. с англ. 2 изд. М., 1967;
Сиротин Ю.И. Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2 им, М., 1979;
амерыканскі фізік і фізікахімік, адзін са стваральнікаў тэрмадынамікі нераўнаважных працэсаў. Чл.Нац.АН ЗША (1947), Амер. акадэміі навук і мастацтваў (1953). Скончыў Нарв. вышэйшую тэхн. школу ў Тронхейме (1925). З 1928 у ЗША. З 1933 у Іельскім ун-це (з 1945 праф.), з 1972 ва ун-це Маямі. Навук. працы па тэорыі нераўнаважных працэсаў, тэорыі электралітаў, тэорыі фазавых пераходаў, дынаміцы квантавых вадкасцей. Вывеў ураўн. залежнасці электраправоднасці раствораў ад іх канцэнтрацыі (1926; ураўн. О.). Адкрыў прынцып сіметрыі кінетычных каэф. і вывеў суадносіны ўзаемнасці (гл.Онсагера тэарэма). Распрацаваў тэорыю тэрмадынамічных уласцівасцей плоскай крышт.рашоткі. Прапанаваў тэорыю квантавых віхроў у звышцякучым геліі (1949). Залаты медаль імя Б.Румфарда (1953), медаль імя Х.Лорэнца (1958). Нобелеўская прэмія 1968.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БОРН ((Born) Макс) (11.12.1882, г. Вроцлаў, Польшча — 5.1.1970),
нямецкі фізік-тэарэтык, адзін са стваральнікаў квантавай механікі. Замежны чл. Расійскай (1924) і АНСССР (1934) і інш. акадэмій. Скончыў Гётынгенскі ун-т. Праф. ун-таў у Берліне і Гётынгене (1915—33), у Кембрыджы і Эдынбургу (1933—53). Навук. працы па дынаміцы крышт.рашоткі, квантавай і кінетычнай тэорый кандэнсаваных газаў і вадкасцяў, атамнай фізіцы і тэорыі адноснасці, філас. праблемах фізікі і тэорыі пазнання. Упершыню (1926) даў імавернасную інтэрпрэтацыю хвалевай функцыі, прапанаваў спосаб разліку электронных абалонак атама, распрацаваў метад рашэння квантава-мех. задач аб сутыкненні часціц, заснаваны на тэорыі ўзбурэнняў (борнаўскае прыбліжэнне), разам з Н.Вінерам увёў у квантавую механіку паняцце аператара. Заснаваў гётынгенскую школу тэарэт. фізікі. Нобелеўская прэмія 1954.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МАГНІ́ТНАЯ СТРУКТУ́РА,
размеркаванне самаадвольнай намагнічанасці ўнутры ферамагнетыкаў пры т-рах, ніжэйшых за Кюры пункт Адрозніваюць М.с. атамную (характарызуецца упарадкаваным размеркаваннем атамных магнітных момантаў па вузлах крышталічнай рашоткі) і даменную (размеркаваннем даменаў з рознай арыентацыяй магн. момантаў па аб’ёме ўзору).
Атамная М.с. апісваецца сярэднім значэннем мікраскапічнай шчыльнасці магн моманту M(x, y, z) у кожным пункце крышталя. Крышталі з M(x, y, z) = 0 не маюць атамнай М.с. (дыямагнетыкі і парамагнетыкі). Крышталі з M(x, y, z) ≠ 0 бываюць з адрозным ад нуля (ферамагнетыкі) і роўным нулю (антыферамагнетыкі) сумарным магн. момантам элементарнай ячэйкі. Даменная М.с. можа назірацца эксперыментальна з дапамогай магн. парашку, які асядае на межах даменаў. У ферамагнетыках пры зададзенай т-ры форма даменаў, іх памеры і арыентацыя магн. момантаў залежаць ад памераў і формы ўзору, арыентацыі паверхні крышталя, дэфектаў крышталічнай рашоткі, унутр. напружанняў, а ў полікрышталічных узорах — і ад віду магн структуры суседніх крышталёў. Пад уплывам знешніх уздзеянняў (пруткіх напружанняў, знешніх магн. палёў, змен т-ры) адбываецца перабудова даменнай структуры. На сувязі паміж асн.магн. характарыстыкамі ферамагн. матэрыялу і яго структурай заснаваны магнітаструктурны аналіз, які найчасцей выкарыстоўваюць для вызначэння мех. уласцівасцей сталі і чыгуну пасля тэрмічнай апрацоўкі. На аснове залежнасці магн. характарыстык пэўнай маркі сталі ад т-ры загартоўкі, адпалу і да т.п., робяць неразбуральны кантроль якасці тэрмічнай апрацоўкі вырабаў. Найб. пашыраны магн. метады (з выкарыстаннем пастаянных магн. палёў для намагнічвання вырабаў), эл.-магн. (з выкарыстаннем пераменных эл.-магн. палёў), імпульсныя (імпульсных магн. палёў). Даследуецца таксама тэкстура металаў (на аснове выкарыстання сувязі тэкстуры з анізатрапіяй магн. уласцівасцей), спосабы кантролю ферамагн. складальнай у аўстэнітных сталях, каляровых металах і горных пародах.
На Беларусі праблемы М.с. і магнітаструктурнага аналізу даследуюцца ў Ін-це прыкладной фізікі Нац.АН.
Літ.:
Вонсовский С.В. Магнетизм. М., 1971;
Ивановский В.И., Черникова Л.А. Физика магнитных явлений. М., 1981;
Михеев М.Н., Горкунов Э.С. Магнитные методы структурного анализа и неразрушающего контроля. М., 1993: Мельгуй М.А. Магнитный контроль механических свойств сталей. Мн., 1980.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МАГНІТАСТРЫ́КЦЫЯ (ад магніт + лац. strictio сцісканне, нацягванне),
змена памераў і формы цела пры намагнічванні. Выяўлена для жалеза Дж.П.Джоўлем у 1842. Адлюстроўвае ўзаемасувязь падсістэм атамных магнітных момантаў і крышталічнай рашоткі; уласціва ўсім рэчывам.
Тлумачыцца тым, што ўзаемадзеянні, якія вызначаюць магн. стан крышталя, залежаць ад адлегласці паміж атамамі (ці іонамі). Змены магн. стану пры зменах магн. поля, т-ры, пругкіх напружанняў і інш. вядуць да зрушэння атамаў і іонаў ад стану раўнавагі і тым самым да дэфармацыі цела. Характарызуецца адноснай зменай лінейных памераў цела λ = Δl/l (лінейная М.) або аб’ёму (аб’ёмная М.) і залежыць ад напрамку вымярэння адносна знешняга магн. поля. Пры вымярэннях уздоўж поля М. наз. падоўжнай, перпендыкулярна полю — папярочнай, напр., у фера- і ферымагнетыках λ дасягае 10−2, у антыфера-, пара- і дыямагнетыках — да 10−6. Гл. таксама Магнітастрыкцыйныя матэрыялы.
Літ.:
Белов К.П. Магнитострикционные явления и их технические приложения. М., 1987.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МЁСБА́ЎЭРА ЭФЕ́КТ,
рэзананснае выпрамяненне і паглынанне гама-квантаў атамнымі ядрамі. Адкрыты ў 1958 Р.Л.Мёсбаўэрам. Выкарыстоўваецца пры вывучэнні ўнутраных эл. і магн. палёў у крышталях, ваганняў атамаў крышт.рашоткі, пры правядзенні хім. аналізу і інш. З’яўляецца самым дакладным метадам вымярэння энергіі эл.-магн. выпрамянення, напр., з дапамогай М.э. вызначана гравітацыйнае чырвонае зрушэнне частаты фатонаў, прадказанае адноснасці тэорыяй.
Назіраецца для ядраў з малымі (да 150 кэВ) энергіямі ўзбуджэння, напр., для жалеза-57, волава-119, цынку-67, ірыдыю-191; адпаведныя лініі выпрамянення маюць амаль натуральную шырыню. Пры выпрамяненні (ці паглынанні) гама-кванта свабоднае ядро набывае пэўны імпульс і адпаведную энергію аддачы. Значэнне гэтай энергіі істотна перавышае шырыню лініі выпрамянення, а імавернасць рэзананснага паглынання малая. М.э. узнікае, калі імпульс аддачы перадаецца ўсяму крышталю як цэламу, у выніку чаго энергія на аддачу не выдаткоўваецца і энергетычны спектр выпрамянення (паглынання) мае вузкую лінію, энергія якой роўная энергіі адпаведнага пераходу.
рассеянне святла рэчывам, якое суправаджаецца зменай частаты зыходнага святла на частату ваганняў малекул асяроддзя ці крышталічнай рашоткі. Бывае спантаннае, вымушанае і кагерэнтнае. Выкарыстоўваецца для вывучэння структуры і ўласцівасцей рэчыва і для пераўтварэння частаты святла.
Адкрыта ў 1928 сав. вучонымі Г.С.Ландсбергам і Л.І.Мандэльштамам на крышталях і незалежна інд. фізікамі Ч.Раманам і К.С.Крышнанам на вадкасцях. Назіраецца ў выглядае спектральных ліній, зрушаных адносна ліній рэлееўскага рассеяння святла ў бок меншых частот (стоксавы кампаненты) ці большых частот (антыстоксавы кампаненты). Спантаннае К.р.с. адбываецца пры апраменьванні ад магутных нялазерных крыніц святла (напр., ртутных лямпаў), вымушанае і кагерэнтнае — ад магутных лазерных крыніц. Яно можа выклікаць перапампоўку да 90% энергіі першаснага пучка ў стоксавыя і антыстоксавыя кампаненты.
На Беларусі работы па вывучэнні і выкарыстанні К.р.с. вядуцца ў Ін-це фізікі, Ін-це малекулярнай і атамнай фізікі Нац.АН, БДУ і НДІ прыкладных фіз. праблем імя А.Н.Сеўчанкі.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАЗІТРО́Н [ад лац. positivus дадатны + (элек)трон],
дадатна зараджаная элементарная часціца; антычасціца электрона. Абазначаецца е+ або е− Мае аднолькавыя з электронам масу і спін, а магн. момант і эл. зарад роўныя па модулі і процілеглыя па знаку. П. мае спін, роўны 1/2 (ферміён), адносіцца да лептонаў, удзельнічае ў эл.-магн., слабым і гравітацыйным узаемадзеяннях.
Існаванне П. тэарэтычна вынікае з Дзірака ўраўнення, эксперыментальна адкрыты К.Д.Андэрсанам (1932) у складзе касм. прамянёў і стаў першым прыкладам антычасціц. Пры пэўных умовах утварае з электронам вадародападобную сістэму (гл.Пазітроній). Узнікае пры ўзаемапераўтварэннях свабодных элементарных часціц, напр., пры распадах мюонаў, а таксама пры бэта-распадзе некаторых ізатопаў. Прадказаныя Дзіракам і эксперыментальна назіраныя працэсы анігіляцыі і нараджэння пар (П. — электрон) былі першымі доказамі ўзаемапераўтварэнняў элементарных часціц, на аснове якіх распрацаваны метады нараджэння новых элементарных часціц у накапляльных кольцах паскаральнікаў. П. выкарыстоўваецца пры даследаваннях размеркавання скарасцей электронаў праводнасці, дэфектаў крышталічнай рашоткі, кінетыкі некаторых хім. рэакцый і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАЎПРАВАДНІКІ́,
рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).
П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.
На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац.АН, БДУ і інш.
Літ.:
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;
Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;
Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;
Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.
